电磁炉IGBT代换：H15R1203怎样代换？

  网友的相关建议: 
      1、对于功率在2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A或25A的IGBT管，如25Q101等；对于功率等于或大于2000W的电磁炉应选用最大电流为40A的IGBT管，如GT40T301等。如果一时没有大电流IGBT管，可用两只小电流的IGBT管并联(两只管的c、e、G极分别连在一起)代用。
2、注意内部是否含阻尼二极管，在最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管；若用不含阻尼二极管的IGBT管代换含阻尼二极管的IGBT管时，应在新换管的c、e极间加焊一只快恢复二极管。型号如表所示：
型号 最高耐压(kv) 最大电流Im（A） 反向恢复时间trr(ns)
BY228 1．5 3 <500
RU4DS 1．5 2．5 400
BY459—1500 1．5 10 <350
3TH41 1．5 3 1．5us
RS3FS 1．5 2 2us
ERDOT一15 1．5 1．5 400
S5J53 1．5 5 <500
BY328 1．4 3 <500
BY一428 1．3 4 <500
3、考虑封装和放置位置
如果封装不符，又受到散热板上固定螺丝孔的限制，就要考虑调整IGBT管的安装位置；适当改动散热板。若安装难度确实太大，应考虑另选代换管。

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  网友的相关建议: 
      IGBT的特点：
　　1.电流密度大，是MOSFET的数十倍。
　　2.输入阻抗高，栅驱动功率极小， 驱动电路简单。
　　3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
　　4.击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不会受损坏。
　　5.开关速度快，关断时间短，耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us，约为GTR的10%，接近于功率MOSFET，开关频率直达100KHz，开关损耗仅为GTR的30%。
　　IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体。是极佳的高速高压半导体功率器件。
　　目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下：

　　(1) SGW25N120----西门子公司出品，耐压1200V，电流容量25℃时46A,100℃时25A，内部不带阻尼二极管，所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用，该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
　　(2) SKW25N120----西门子公司出品，耐压1200V,电流容量25℃时46A，100℃时25A,内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120，代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。

　　(3) GT40Q321----东芝公司出品，耐压1200V,电流容量25℃时42A，100℃时23A，内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120，代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
　　(4) GT40T101----东芝公司出品，耐压1500V，电流容量25℃时80A，100℃时40A，内部不带阻尼二极管，所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用，该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321，配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
　　(5) GT40T301----东芝公司出品，耐压1500V,电流容量25℃时80A，100℃时40A，内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101，代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
　　(6) GT60M303 ----东芝公司出品，耐压900V，电流容量25℃时120A，100℃时60A， 内部带阻尼二极管。

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  网友的相关建议: 
      可用常见的H20R120代换，还要查那三只电容，大阻值电阻查完了再试机。

祝你愉快！

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