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1、电磁炉因为是大电流工作,IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。电流通过率和工作效率是最高的,所以电磁炉等大功率控制设备都用IGBT来控制电流;
2、IGBT的代换只要知道两个管子的工作电流、和反向耐压,及安装尺寸即可完全替换。
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在电磁炉电路中,开关管扮演着非常重要的角色。当开关管导通时,+300V经加热线圈、开关管以大电流给加热线圈充电,电能转化为加热线圈中的电磁能。经测试,此时加在开关管上的电压约
为十250V,工作电流在20A~40A之间。如此大
普通的Mos场
效应管,虽然仅需微弱的驱动电压即可工作,但工作在高电压和大电流状态时,因内阻较大,管子发热快,难以长时间工作;大功率达林顿管虽
然可以在高电压、大电流状态下长时间工
作,但需要较大的驱动电流。人们自然想到将场效应管与
大功率达林顿管有机地结合的IGBT管,将场效应管
作为推动管,大功率管作为输出管,
在高电压、大电流状
态下长期安全工作,并表现出极好的开关特性,输出功率可达1000W以上。