上海微电子到底能不能做出28纳米能力的DUV？
关于上海微电子装备（SMEE）能否制造出28纳米级别的DUV光刻机，这是一个非常受关注且复杂的问题，需要从多个层面来解析。简单地说，目前公开信息表明，SMEE在DUV光刻机领域已经取得了显著进展，并且在理论上，制造出28纳米级别的DUV光刻机是其发展方向之一，但实际实现并量产仍面临诸多挑战。
为了更详细地说明，我们不妨拆解来看：
1. DUV光刻机的技术原理和关键组成
首先，理解DUV（深紫外）光刻机的工作原理至关重要。它通过深紫外光源（例如248nm或193nm的激光）照射掩模版（上面刻有芯片电路图），然后通过复杂的镜头系统将图案缩小并聚焦到涂有光刻胶的晶圆上，从而完成电路的转移。
DUV光刻机最核心、最关键的组成部分，也是技术壁垒最高的部分，主要包括：
光源系统（Light Source）： 提供稳定、高能量的深紫外激光。对于28nm节点，主流使用的是193nm ArF准分子激光。
光学系统（Optics）： 包括照明系统（Uniformity of illumination）和投影系统（Lens Assembly）。投影系统是核心中的核心，它需要极其精密的光学元件（如反射镜、透镜）来将掩模版上的图案精确地缩小并聚焦到晶圆上。镜头的数值孔径（NA）和各种像差的校正技术直接决定了光刻机的分辨率。
对准系统（Alignment System）： 确保掩模版与晶圆之间的精确对准，这是多层电路叠加的关键。
基座和移动平台（Stage and Metrology）： 保证晶圆在曝光过程中的稳定性和精确移动。
控制系统（Control System）： 整合以上所有部分，实现高效率、高精度的自动化生产。
2. SMEE在DUV光刻机上的进展
SMEE作为中国大陆在高端光刻机领域的核心企业，一直在努力追赶国际先进水平。
早期积累： SMEE早期通过引进和合作，在iline（365nm）、KrF（248nm）等成熟的DUV光刻机技术上积累了经验。
“一号工程”的突破： 众所周知，中国在推动半导体自主化过程中，国家投入了巨大的资源支持“一号工程”，旨在攻克光刻机等关键设备。SMEE是这一计划的核心执行者。
SMEE 28nm DUV光刻机： 关于SMEE在28nm DUV光刻机上的进展，公开的、被广泛报道的成果是其EUV光刻机项目（如果SMEE真的有EUV项目，那将是极其重大的突破），但就DUV而言，SMEE已经成功交付了193nm DUV光刻机，并且理论上具备制造28nm节点的能力。
关键技术国产化： SMEE的目标是实现DUV光刻机的关键零部件的国产化。这包括光学镜头、光源、精密运动平台等。
上海微电子的SM系列： SMEE旗下有SM系列的光刻机产品，例如SM4000系列，据信已经能够满足一定工艺节点的需求。
28nm节点的定义： 需要明确的是，“28nm”这个节点代表的是一个工艺家族，不同的“flavors”或者“generation”在制程上会有差异。通常，28nm可以采用193nm DUV光刻机，配合多重曝光（Multipatterning）等技术来实现。
3. 制造28nm DUV光刻机的挑战
尽管SMEE取得了重要进展，但要成功制造出达到28nm工艺能力的DUV光刻机，并实现大规模量产，仍然面临巨大的挑战：
光学系统的精度： 28nm工艺对光学系统的分辨率、像差控制提出了极高的要求。这需要使用数值孔径（NA）更高的镜头，并且对镜头的制造精度、材料纯度、表面光滑度有着近乎苛刻的要求。制造如此高精度的透镜（通常是石英和氟化钙的组合）是一个极其复杂且耗时的过程。
光源的稳定性与寿命： 193nm ArF准分子激光器需要极其稳定的输出功率和极长的寿命，同时对波长稳定性也有要求。这涉及到气体混合、放电控制、光学腔体设计等多个精密环节。
精密运动与对准： 晶圆在曝光过程中的移动和对准精度需要达到纳米甚至亚纳米级别。这需要高精度的直线电机、传感器和控制算法。
关键零部件的国产化： 核心的镜头、光源、精密控制单元等，往往是国外少数几家公司（如ASML、Zeiss）的独家技术。SMEE需要突破的不仅仅是组装，而是从设计到制造、再到验证的完整链条的国产化。
多重曝光技术的复杂性： 即使是DUV光刻机，要达到28nm的精度，也往往需要依赖先进的干涉光刻（Immersion Lithography）和多重曝光技术（如双重图形化、四重图形化）。这些技术不仅对光刻机本身提出了更高的要求，也增加了芯片制造的复杂度和成本。
可靠性与良率： 实验室里验证成功，与在晶圆厂实现稳定、高良率的大规模生产是两个完全不同的概念。光刻机作为核心制造设备，其可靠性、维护便利性、以及长期的稳定性都是至关重要的。
4. 结论：可能性与现实
综合来看：
理论上，SMEE有能力基于193nm DUV技术制造出可以支持28nm工艺的光刻机。 鉴于其背后的国家投入和战略目标，以及其在DUV领域多年的积累，这是发展方向。
但是，要达到国际顶尖水平，并且能够实现大规模、高效率、高良率的量产，SMEE还有很长的路要走。 尤其是在核心零部件（如高NA镜头、稳定光源）的国产化和集成方面，仍然存在巨大的挑战。
目前公开报道中，关于SMEE是否已经“完全自主”生产出达到“商用级”28nm DUV光刻机并投入大规模生产，信息并不明确。 很多时候，所谓“28nm能力”的实现，可能是在特定条件下的验证，或者是通过引进和集成部分国外先进技术部件来实现。
总而言之，SMEE在DUV光刻机领域取得了令人瞩目的进步，正在逐步突破关键技术瓶颈。制造出28纳米能力的DUV光刻机是其明确的目标，并且在技术路径上是可行的，但要实现与国际巨头在性能、可靠性、成本上的全面对标，以及实现成熟的量产能力，还有待时间和持续的投入。 这场技术攻坚战，需要的是耐心、创新以及对每一个细节的极致追求。
为了更详细地说明，我们不妨拆解来看：
1. DUV光刻机的技术原理和关键组成
首先，理解DUV（深紫外）光刻机的工作原理至关重要。它通过深紫外光源（例如248nm或193nm的激光）照射掩模版（上面刻有芯片电路图），然后通过复杂的镜头系统将图案缩小并聚焦到涂有光刻胶的晶圆上，从而完成电路的转移。
DUV光刻机最核心、最关键的组成部分，也是技术壁垒最高的部分，主要包括：
光源系统（Light Source）： 提供稳定、高能量的深紫外激光。对于28nm节点，主流使用的是193nm ArF准分子激光。
光学系统（Optics）： 包括照明系统（Uniformity of illumination）和投影系统（Lens Assembly）。投影系统是核心中的核心，它需要极其精密的光学元件（如反射镜、透镜）来将掩模版上的图案精确地缩小并聚焦到晶圆上。镜头的数值孔径（NA）和各种像差的校正技术直接决定了光刻机的分辨率。
对准系统（Alignment System）： 确保掩模版与晶圆之间的精确对准，这是多层电路叠加的关键。
基座和移动平台（Stage and Metrology）： 保证晶圆在曝光过程中的稳定性和精确移动。
控制系统（Control System）： 整合以上所有部分，实现高效率、高精度的自动化生产。
2. SMEE在DUV光刻机上的进展
SMEE作为中国大陆在高端光刻机领域的核心企业，一直在努力追赶国际先进水平。
早期积累： SMEE早期通过引进和合作，在iline（365nm）、KrF（248nm）等成熟的DUV光刻机技术上积累了经验。
“一号工程”的突破： 众所周知，中国在推动半导体自主化过程中，国家投入了巨大的资源支持“一号工程”，旨在攻克光刻机等关键设备。SMEE是这一计划的核心执行者。
SMEE 28nm DUV光刻机： 关于SMEE在28nm DUV光刻机上的进展，公开的、被广泛报道的成果是其EUV光刻机项目（如果SMEE真的有EUV项目，那将是极其重大的突破），但就DUV而言，SMEE已经成功交付了193nm DUV光刻机，并且理论上具备制造28nm节点的能力。
关键技术国产化： SMEE的目标是实现DUV光刻机的关键零部件的国产化。这包括光学镜头、光源、精密运动平台等。
上海微电子的SM系列： SMEE旗下有SM系列的光刻机产品，例如SM4000系列，据信已经能够满足一定工艺节点的需求。
28nm节点的定义： 需要明确的是，“28nm”这个节点代表的是一个工艺家族，不同的“flavors”或者“generation”在制程上会有差异。通常，28nm可以采用193nm DUV光刻机，配合多重曝光（Multipatterning）等技术来实现。
3. 制造28nm DUV光刻机的挑战
尽管SMEE取得了重要进展，但要成功制造出达到28nm工艺能力的DUV光刻机，并实现大规模量产，仍然面临巨大的挑战：
光学系统的精度： 28nm工艺对光学系统的分辨率、像差控制提出了极高的要求。这需要使用数值孔径（NA）更高的镜头，并且对镜头的制造精度、材料纯度、表面光滑度有着近乎苛刻的要求。制造如此高精度的透镜（通常是石英和氟化钙的组合）是一个极其复杂且耗时的过程。
光源的稳定性与寿命： 193nm ArF准分子激光器需要极其稳定的输出功率和极长的寿命，同时对波长稳定性也有要求。这涉及到气体混合、放电控制、光学腔体设计等多个精密环节。
精密运动与对准： 晶圆在曝光过程中的移动和对准精度需要达到纳米甚至亚纳米级别。这需要高精度的直线电机、传感器和控制算法。
关键零部件的国产化： 核心的镜头、光源、精密控制单元等，往往是国外少数几家公司（如ASML、Zeiss）的独家技术。SMEE需要突破的不仅仅是组装，而是从设计到制造、再到验证的完整链条的国产化。
多重曝光技术的复杂性： 即使是DUV光刻机，要达到28nm的精度，也往往需要依赖先进的干涉光刻（Immersion Lithography）和多重曝光技术（如双重图形化、四重图形化）。这些技术不仅对光刻机本身提出了更高的要求，也增加了芯片制造的复杂度和成本。
可靠性与良率： 实验室里验证成功，与在晶圆厂实现稳定、高良率的大规模生产是两个完全不同的概念。光刻机作为核心制造设备，其可靠性、维护便利性、以及长期的稳定性都是至关重要的。
4. 结论：可能性与现实
综合来看：
理论上，SMEE有能力基于193nm DUV技术制造出可以支持28nm工艺的光刻机。 鉴于其背后的国家投入和战略目标，以及其在DUV领域多年的积累，这是发展方向。
但是，要达到国际顶尖水平，并且能够实现大规模、高效率、高良率的量产，SMEE还有很长的路要走。 尤其是在核心零部件（如高NA镜头、稳定光源）的国产化和集成方面，仍然存在巨大的挑战。
目前公开报道中，关于SMEE是否已经“完全自主”生产出达到“商用级”28nm DUV光刻机并投入大规模生产，信息并不明确。 很多时候，所谓“28nm能力”的实现，可能是在特定条件下的验证，或者是通过引进和集成部分国外先进技术部件来实现。
总而言之，SMEE在DUV光刻机领域取得了令人瞩目的进步，正在逐步突破关键技术瓶颈。制造出28纳米能力的DUV光刻机是其明确的目标，并且在技术路径上是可行的，但要实现与国际巨头在性能、可靠性、成本上的全面对标，以及实现成熟的量产能力，还有待时间和持续的投入。 这场技术攻坚战，需要的是耐心、创新以及对每一个细节的极致追求。
网友意见
做肯定做的出啊，之前国家项目已经交付了一个所谓能做90的；只是单工台，过货能力只有每小时75片；
光源90/28是一样的，但是40开始就需要immersion了，也就是液浸润;
我个人觉得肯定能搞出一台来，这单纯的是工程问题；
但就因为是工程问题，不是说你搞一台出来，厂家就能马上用；机台和工艺的磨合，再加上反复提升改进，这时间要比一般人想的长的多
现在国内两家代工厂中芯和华虹，因为实际落后于台积电，所以真正开发同代工艺的时候，设备一般都比T要先进一代甚至两代；比如T开发第一代7的时候用的1985i，现在国内2050i都装机了，但工艺开发的怎么样呢？还要几年才能真正量产呢？
就现在28HK国内做的都比T还差一截；
然后你让换国产更差的机台，本来4，5年都没搞定的制程研发，直接奔10年去了。这就像本来就水平一般的赛车手，之前人家开法拉利，你开个柯尼塞克，也没跑过人家；现在要你换个国产吉利美人豹去和人家跑，你说结果如何？
正常一个工厂建厂，设备迁入，产能提升就需要2～3年的周期；这是在制程研发和设备OK的前提下。哪现在设备和制程都还没哪么OK，好多人觉得2～3年，或者5～6年解决问题的可能有多大？
搞是一定搞的出，但估计最后追上，要以十年为单位去计算；美国全面禁止华为可以以去年9月底为开始日期计算，虽然之前就已经开始了，只是后面逐步加码；现在才半年多，让我们等到后年9月的时候，回头看看哪些认为2～3年内能拿出备胎的想法多么荒谬！
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