电子管（真空管）在核战中的生存机率，真的比晶体强吗？
关于电子管（真空管）和晶体管在核战争中的生存能力，这确实是一个很有意思但又很复杂的问题。简单地说，认为电子管“一定”比晶体管更能抵抗核战，其实是一种过于简化的看法。要深入理解这个问题，咱们得把事情掰开了揉碎了说。
首先，我们要明白，核战争对电子设备造成的威胁主要有两个方面：
1. 电磁脉冲 (EMP)：这是核爆炸最直接、最广泛的电子设备杀手。一颗在高空爆炸的核弹，会产生一股极其强大的电磁波，瞬间扫过大片区域。这股脉冲的能量能诱导高电压和强电流，瞬间烧毁电子元件内部的半导体结构（比如晶体管的PN结）或者引起过载。
2. 辐射（中子流、伽马射线等）：核爆炸后的辐射会持续存在，虽然EMP是瞬时效应，但核辐射对电子元件的长期影响也不容忽视。辐射会改变半导体材料的晶格结构，产生“缺陷”，这些缺陷会漏电、性能下降，最终导致器件失效。
好，有了这个基础，咱们再来对比电子管和晶体管：
电子管（真空管）
工作原理：电子管的核心是一个真空封装的玻璃或陶瓷外壳，里面有灯丝（加热阴极）、阴极、栅极和阳极（板极）等电极。通过加热阴极使其发射电子，然后利用栅极的电压来控制电子流，从而实现信号放大或开关。
“抗核”优势猜想（以及局限）：
物理结构：电子管是相对“粗犷”的机械结构。它不像晶体管那样，是将微米甚至纳米级别的精细半导体结构集成在一起。它的电极之间是通过真空隔离的，而且通常封装在玻璃或陶瓷里。这种相对“厚实”的物理隔绝，在理论上，似乎能更好地抵抗EMP的瞬时高压。EMP产生的电流如果直接耦合到晶体管内部，很容易烧毁那极细的半导体通道；而电子管的电极间距和结构，可能需要更大的能量才能直接将其“击穿”。
材料：电子管的金属电极和玻璃外壳，在某些方面，对辐射的“耐受性”可能比高度提纯的半导体材料要好一些。高纯度的硅等材料，其晶格对辐射损伤更敏感。
不受PN结敏感性限制：晶体管的核心是PN结，它对高压冲击非常敏感。一旦PN结被击穿，晶体管就报废了。电子管虽然也有栅极和阳极之间的间隙，但其工作方式不依赖于PN结的特性。
电子管的“软肋”：
易受物理冲击：玻璃外壳意味着它对震动和物理撞击非常敏感。在核战争那种动荡的环境下，这一点可能是致命的。
需要高温工作：电子管需要加热阴极才能工作，这本身就需要一个稳定的电源，而且灯丝在加热时也容易受到冲击。
体积大、功耗高、效率低：这本身不是生存能力的问题，但在核战后的重建中，效率和资源消耗会是很大的考量。
玻璃封口：虽然玻璃能隔离真空，但如果EMP产生的过电压非常非常高，或者出现强烈的二次放电，玻璃外壳也可能炸裂，导致真空失效，设备立刻罢工。
晶体管（以及集成电路）
工作原理：晶体管是利用半导体材料（如硅）的特性，通过掺杂形成PN结，通过改变控制电极（比如栅极）的电压，来控制电流在两个电极（比如源极和漏极）之间的导通或截止。集成电路（IC）则是将大量晶体管和其他元件集成在一块硅片上。
“抗核”劣势：
EMP杀手：如前所述，晶体管，尤其是现代大规模集成电路（VLSI），其内部的半导体结构极其微小和精细。EMP产生的瞬时高电压和强电流，极易通过连接线感应到晶体管的栅极、漏极等，瞬间烧毁PN结，导致器件永久性损坏。
辐射损伤：半导体材料的晶格结构在辐射作用下会产生缺陷，这些缺陷会干扰电子的正常运动，增加漏电流，降低增益，最终导致性能退化甚至失效。CMOS工艺制造的器件对辐射尤为敏感。
晶体管的“潜在优势”（以及实现方式）：
封装技术：虽然晶体管本身很脆弱，但现代电子设备会使用各种屏蔽措施来保护它们。例如，金属外壳、接地线、以及专门设计的“抗EMP”元件。在军事应用中，电子设备通常会被置于屏蔽良好的外壳内，并且有滤波和泄放电路来吸收或引导EMP能量，避免直接损坏到内部元件。
“加固”工艺：针对军事和太空应用，半导体制造商会开发“加固”型的晶体管和集成电路。例如，使用更耐辐射的材料（如蓝宝石衬底上的SOI技术），优化器件结构（如降低栅极氧化层厚度，采用更强的栅极材料），以及在封装层面做文章。一些专门设计的“抗辐射”IC，在辐射环境下也能维持相当长的时间。
尺寸小、功耗低、效率高：在核战后的重建中，能够高效运作的小型化设备会更具优势。
到底谁更强？
这个问题没有一个绝对的答案，很大程度上取决于“什么叫生存”，以及“什么样的核战场景”。
1. 纯粹的“原始”电子管 vs. 原始晶体管：
在EMP的瞬时冲击下，如果考虑未加防护的原始状态，一个制作精良、封装完好的大型电子管，相比于一个未加任何保护的普通小型晶体管，可能在抵御低到中等强度的EMP时，生存的几率会高一些。这是因为它的物理结构更“粗犷”，对高压的“耦合”效应没有那么直接。
但是，如果EMP强度极高，或者伴随强烈的物理震动，玻璃炸裂的电子管同样会失效。
2. 现代“加固”技术：
现代军事电子设备，即使使用晶体管，也会进行大量的“加固”处理，包括屏蔽、滤波、抗辐射设计等。这些技术是在晶体管的基础上，通过工程手段来提升其抗核能力。
在这种情况下，经过精心设计的加固型晶体管系统，在应对EMP和辐射方面，很可能比未加固的电子管系统更可靠，因为它的整体设计更先进，能综合考虑各种威胁。
3. 特定场景下的考量：
EMP主导的攻击：如果是高空EMP攻击，目的是瘫痪大范围的电子通信和控制系统，那么未加防护的电子管理论上可能比未加防护的晶体管更能“扛住”那一瞬间的电涌。
地面核爆炸后的辐射：如果是地面核爆炸，除了EMP，还有大量的持久性辐射。在这个场景下，晶体管的“抗辐射加固”技术就显得尤为重要。一些专门设计的抗辐射晶体管，在长时间的辐射暴露下，其失效周期可能比同等条件下失效的电子管（可能因为真空泄漏、灯丝损坏等）要长。
总结一下：
传统观念里，“电子管比晶体管抗EMP”的说法，有一定道理，主要是基于其物理结构和对高压耦合的相对抵抗力。
但这种优势是在“未加防护的原始对比”下讨论的。
现代电子设备的生存能力，更多地依赖于整体的“加固”和“防护”技术，而不是单纯依赖于某个特定元件的“原始”材料特性。 也就是说，一台精心设计的、使用了现代加固技术的晶体管计算机，可能比一台老旧的、未加固的电子管收音机在核战中生存得更好。
而且，电子管自身也存在易碎、体积大、功耗高等固有缺陷，在某些核战场景下（如物理冲击、对资源的高要求）并不占优。
所以，与其说电子管“真的”比晶体管更能抵抗核战，不如说，在某些特定的、未加防护的对比下，电子管在抵抗EMP的某些方面可能表现出一定的“韧性”，但这并不能代表它在整体核战生存能力上就必然胜出。现代科技的加固技术，才是决定电子设备能否在核战后继续工作的关键。 并且，很多时候，我们讨论的是“在核战后还能找到并使用的电子设备”，这不仅仅是元件本身的问题，更是系统设计、电源、维护等一系列复杂因素的综合体现。
首先，我们要明白，核战争对电子设备造成的威胁主要有两个方面：
1. 电磁脉冲 (EMP)：这是核爆炸最直接、最广泛的电子设备杀手。一颗在高空爆炸的核弹，会产生一股极其强大的电磁波，瞬间扫过大片区域。这股脉冲的能量能诱导高电压和强电流，瞬间烧毁电子元件内部的半导体结构（比如晶体管的PN结）或者引起过载。
2. 辐射（中子流、伽马射线等）：核爆炸后的辐射会持续存在，虽然EMP是瞬时效应，但核辐射对电子元件的长期影响也不容忽视。辐射会改变半导体材料的晶格结构，产生“缺陷”，这些缺陷会漏电、性能下降，最终导致器件失效。
好，有了这个基础，咱们再来对比电子管和晶体管：
电子管（真空管）
工作原理：电子管的核心是一个真空封装的玻璃或陶瓷外壳，里面有灯丝（加热阴极）、阴极、栅极和阳极（板极）等电极。通过加热阴极使其发射电子，然后利用栅极的电压来控制电子流，从而实现信号放大或开关。
“抗核”优势猜想（以及局限）：
物理结构：电子管是相对“粗犷”的机械结构。它不像晶体管那样，是将微米甚至纳米级别的精细半导体结构集成在一起。它的电极之间是通过真空隔离的，而且通常封装在玻璃或陶瓷里。这种相对“厚实”的物理隔绝，在理论上，似乎能更好地抵抗EMP的瞬时高压。EMP产生的电流如果直接耦合到晶体管内部，很容易烧毁那极细的半导体通道；而电子管的电极间距和结构，可能需要更大的能量才能直接将其“击穿”。
材料：电子管的金属电极和玻璃外壳，在某些方面，对辐射的“耐受性”可能比高度提纯的半导体材料要好一些。高纯度的硅等材料，其晶格对辐射损伤更敏感。
不受PN结敏感性限制：晶体管的核心是PN结，它对高压冲击非常敏感。一旦PN结被击穿，晶体管就报废了。电子管虽然也有栅极和阳极之间的间隙，但其工作方式不依赖于PN结的特性。
电子管的“软肋”：
易受物理冲击：玻璃外壳意味着它对震动和物理撞击非常敏感。在核战争那种动荡的环境下，这一点可能是致命的。
需要高温工作：电子管需要加热阴极才能工作，这本身就需要一个稳定的电源，而且灯丝在加热时也容易受到冲击。
体积大、功耗高、效率低：这本身不是生存能力的问题，但在核战后的重建中，效率和资源消耗会是很大的考量。
玻璃封口：虽然玻璃能隔离真空，但如果EMP产生的过电压非常非常高，或者出现强烈的二次放电，玻璃外壳也可能炸裂，导致真空失效，设备立刻罢工。
晶体管（以及集成电路）
工作原理：晶体管是利用半导体材料（如硅）的特性，通过掺杂形成PN结，通过改变控制电极（比如栅极）的电压，来控制电流在两个电极（比如源极和漏极）之间的导通或截止。集成电路（IC）则是将大量晶体管和其他元件集成在一块硅片上。
“抗核”劣势：
EMP杀手：如前所述，晶体管，尤其是现代大规模集成电路（VLSI），其内部的半导体结构极其微小和精细。EMP产生的瞬时高电压和强电流，极易通过连接线感应到晶体管的栅极、漏极等，瞬间烧毁PN结，导致器件永久性损坏。
辐射损伤：半导体材料的晶格结构在辐射作用下会产生缺陷，这些缺陷会干扰电子的正常运动，增加漏电流，降低增益，最终导致性能退化甚至失效。CMOS工艺制造的器件对辐射尤为敏感。
晶体管的“潜在优势”（以及实现方式）：
封装技术：虽然晶体管本身很脆弱，但现代电子设备会使用各种屏蔽措施来保护它们。例如，金属外壳、接地线、以及专门设计的“抗EMP”元件。在军事应用中，电子设备通常会被置于屏蔽良好的外壳内，并且有滤波和泄放电路来吸收或引导EMP能量，避免直接损坏到内部元件。
“加固”工艺：针对军事和太空应用，半导体制造商会开发“加固”型的晶体管和集成电路。例如，使用更耐辐射的材料（如蓝宝石衬底上的SOI技术），优化器件结构（如降低栅极氧化层厚度，采用更强的栅极材料），以及在封装层面做文章。一些专门设计的“抗辐射”IC，在辐射环境下也能维持相当长的时间。
尺寸小、功耗低、效率高：在核战后的重建中，能够高效运作的小型化设备会更具优势。
到底谁更强？
这个问题没有一个绝对的答案，很大程度上取决于“什么叫生存”，以及“什么样的核战场景”。
1. 纯粹的“原始”电子管 vs. 原始晶体管：
在EMP的瞬时冲击下，如果考虑未加防护的原始状态，一个制作精良、封装完好的大型电子管，相比于一个未加任何保护的普通小型晶体管，可能在抵御低到中等强度的EMP时，生存的几率会高一些。这是因为它的物理结构更“粗犷”，对高压的“耦合”效应没有那么直接。
但是，如果EMP强度极高，或者伴随强烈的物理震动，玻璃炸裂的电子管同样会失效。
2. 现代“加固”技术：
现代军事电子设备，即使使用晶体管，也会进行大量的“加固”处理，包括屏蔽、滤波、抗辐射设计等。这些技术是在晶体管的基础上，通过工程手段来提升其抗核能力。
在这种情况下，经过精心设计的加固型晶体管系统，在应对EMP和辐射方面，很可能比未加固的电子管系统更可靠，因为它的整体设计更先进，能综合考虑各种威胁。
3. 特定场景下的考量：
EMP主导的攻击：如果是高空EMP攻击，目的是瘫痪大范围的电子通信和控制系统，那么未加防护的电子管理论上可能比未加防护的晶体管更能“扛住”那一瞬间的电涌。
地面核爆炸后的辐射：如果是地面核爆炸，除了EMP，还有大量的持久性辐射。在这个场景下，晶体管的“抗辐射加固”技术就显得尤为重要。一些专门设计的抗辐射晶体管，在长时间的辐射暴露下，其失效周期可能比同等条件下失效的电子管（可能因为真空泄漏、灯丝损坏等）要长。
总结一下：
传统观念里，“电子管比晶体管抗EMP”的说法，有一定道理，主要是基于其物理结构和对高压耦合的相对抵抗力。
但这种优势是在“未加防护的原始对比”下讨论的。
现代电子设备的生存能力，更多地依赖于整体的“加固”和“防护”技术，而不是单纯依赖于某个特定元件的“原始”材料特性。 也就是说，一台精心设计的、使用了现代加固技术的晶体管计算机，可能比一台老旧的、未加固的电子管收音机在核战中生存得更好。
而且，电子管自身也存在易碎、体积大、功耗高等固有缺陷，在某些核战场景下（如物理冲击、对资源的高要求）并不占优。
所以，与其说电子管“真的”比晶体管更能抵抗核战，不如说，在某些特定的、未加防护的对比下，电子管在抵抗EMP的某些方面可能表现出一定的“韧性”，但这并不能代表它在整体核战生存能力上就必然胜出。现代科技的加固技术，才是决定电子设备能否在核战后继续工作的关键。 并且，很多时候，我们讨论的是“在核战后还能找到并使用的电子设备”，这不仅仅是元件本身的问题，更是系统设计、电源、维护等一系列复杂因素的综合体现。
网友意见
我说句实话吧，核武器制造的emp的影响范围，和它爆炸冲击波以及裹挟物的影响范围比，后者可能还大一点，无论电子管还是晶体管，面对冲击波都是白给的，完全不需要考虑emp的问题，如果是在地下人防工事内，人防工事本身就会起到法拉第笼的效果，何况还在地下，emp还能在导入大地后继续起效么，所以你觉得有区别么，在晶体管技术不成熟的早期，电子管可能在航天领域有一定的帮助，但是到现在已经完全没什么影响力了。
还有最关键最关键的一点，不要想当然的以为老美的电子管就比苏联差很多，老美才是在电子管技术世界第一的位置上呆的最久的国家，应该说后来只是老美不发展了，晶体管太香了，所以最后的确被苏联超越了，但是电子管潜力基本也就到这了，那差距也很有限，根本不足以说是能在特殊使用场景下能形成对对手的优势。
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