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电磁炉IGBT是什么管啊?


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IGBT叫绝缘栅双极晶体管。

IGBT可以简单理解成一种高性能的开关管,在很多需要变流的场所使用,比如变频器,电源电路等,一般电机控制环境使用比较多,讲白了,就是一个可以快速开启和断开电压电流的电子开关。

电磁炉之所以使用它,是因为电磁炉需要把普通的50HZ交流电,变成20-40KHZ的高频交流电,先把50HZ的交流电,整流成直流稳压滤波,然后通过IGBT去通断电流,这样让线圈上产生了高频的电流,进而实现了加热需要。

如果普通的继电器能实现这么快的高频开关动作,继电器也能完成这个功能,但是因为没有这么快,所以需要用IGBT来实现了,请关注容济点火器,可以进一步理解成一种特殊的三极管,从外形来看,单管IGBT也和一般的大功率三极管是非常像的。

扩展资料:

从内部结构来看,它也是利用双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)来改进组成的新型管子,这样它就具备了GTR的低导通压降和MOS管的高输入阻抗的优点了。

因为MOS管是电压驱动,功耗低,频率快,但是导通的压降比较大,整体载流密度低,而且耐压不高。GTR管子是电流驱动,载流密度高,但是饱和压降比较低了,综合起来后,IGBT就在变流上有了两种管子的优点,在一些高频高压场合得到广泛应用。

所以IGBT只是一个电子开关,只有通断两种状态,没有放到的功能,它靠的是控制栅源极的电压,只要两者之间的电压大于6伏,一般是12-15伏,IGBT就会导通,两者之间没有电压(一般考虑干扰问题,需要加负压保护),IGBT就会关断。

参考资料来源:百度百科—IGBT


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      绝缘栅双极型功率管
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 igbt是vmos和bjt组成,vmos是V型场效应管,电压驱动器件,输入阻抗高,但是输入电容大, igbt是voms在前,bjt在后,好处是在高压大电流应用的时候,后级的bjt压降小,导通电阻的,效率高,而前级由于使用vmos所以驱动功耗小,不过需要注意的是igbt的速度比普通的vmos和bjt都慢。^_^
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      igbt 用双极电子管的特质,电阻小,并且用绝缘闸来提高耐压,适合大功率用途。
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      就是电磁炉里面的铜啊



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