不同闪存容量大小的 iPhone 7 的写入速度的差异是什么原因造成的？ 第1页

我现在工作就是做SSD(flash)控制芯片。不过是企业级的，但应该和终端级的在原理上差别不会太大。

首先通道数对写性能影响很大，一般有4/8/16 channels，如果是相同的flash颗粒和相同的控制芯片，通道数就决定了写性能的上限，写性能上限与通道数基本成正比。但是，这仅仅是理想情况。

另外，假如两者所用flash颗粒不同，如SLC，MLC，TLC，读写性能当然会有差异，价格也差异明显。

即使是同一块flash和同一颗控制芯片，在不同使用情况下，写性能差异也很大。这是因为flash是需要擦除的，即写过数据的地方想要二次写，是需要先进行擦除才能二次写；并且，写和擦的最小单位是不同的。以服务器所用的SSD为例，写是以page单位写的，page的大小一般在0.5～16 kbytes；而擦是以block来擦，block的大小一般在1024～8192个page之间。实际设计中，控制芯片一般更是将大概16～512个block捆绑为raid block，作为一组，一起拿来用于写和擦。

在使用过程中，随着用户的不同操作，没写过的raid block依次被逐渐写入数据；而已经写过的raid block里面，有的数据变为无效。最后，没写过的raid block越来越少，写过的raid block里有效的数据也越来越少，假如继续写下去而不进行其他操作，所有的raid block将被写完，假设没有一个写过的raid block中的数据全变无效，那么盘就被写死了，因为擦任意一个raid block 都会擦到有效数据造成数据丢失。这就需要gc（garbage collection）。

gc一般将会在剩余未写的raid block不多时启动，它会将所剩有效数据最少得raid block中的所有有效数据读出来重新写，这样一来该raid block就可以拿去被擦了，擦完之后就重新变成未写的raid block作为备用。通过gc，就可以保持整个盘可以一直被往复写。但问题是，gc的读写会占用flash的读写带宽，并且为了防止gc太慢赶不上用户写数据的速度而导致盘被写死，控制芯片在进入gc阶段时会限制用户的写入速度，并且剩余raid block越少，将用户写入速度限制得越低，gc则被允许更大速率的读写以产生足够多新的未写的raid block。所以，SSD使用时不要写太满，并不是因为上面

所提到的平衡磨损，而是因为gc。

因此在不清楚题主所提到的写入速度测试的flash的存储情况的条件下，不能断定32g比256g写速率慢这么多。当然，256g很可能通道数要比32g的多，写性能的上限本来就比32g的高。

所以，要比较两者真实写性能的差异，最好在两者都空盘的情况下测试，并且测试所用的写入数据也不能大到使32g盘进gc。

1. 麻烦仔细看视频42MB/s和341MB/s都是写速度，不是读速度，读速度一个是600+另一个是800+，差距没那么大：

2. iPhone7的32G和其它版本用的Flash不一样，好像一个是MLC一个是TLC，主控的设计不同可能会影响测试结果。

3. 因为不知道他的测试参数，目测可能是持续写128M数据，对于256G的iPhone7来说，这点数据可能还没填满缓存，而另一个很有可能已经满了，做设备performance测试的一个原则就是要填满缓存，否则测试没意义。换句话说，如果256G版本的iPhone写的数据足够大，可能看着也没那么好看。

4. 注意视频开头有提到两个设备剩余空间不一样，一个剩余200多G，另一个只有一半的样子。闪存类的存储设备，剩余空间比较少的时候，可能会触发回收机制，性能有可能急剧下降。从视频中看，手机都是装了一些东西了，肯定用了一段时间，所以不好说过去写了多少数据。

5. 不同容量的存储器，通道数是不同的，通道越多，并发效果越好，自然速度就快一些，已知的是256G的通道数肯定大于32G。

我的结论是：肯定有差别，但不代表差别就一定是实情（注：同样的设备，不同的测试方案能得到很多不同的结果），设备本身强大与否，与所在的整个系统的方案有很大关联。

要说这个视频有没有意义，我觉得也有意义，至少说明在实际使用中32G的确实不尽人意，至于是不是苹果故意阉割，那还不好说。

至于后面那个复制4.2G数据的东西，可能是因为lightning线接到USB2.0口上的原因，没有参考价值。

还有，如果拿这个跟华为P10去比就比错地方了，flash持续写性能，不管是什么设备都好不到哪去，P10的问题是在读上面的巨大差异。截图就可以看出来苹果不同设备的读性能差距没那么大，还有，华为洗地的水平太差，不说别的，就性能测试这块，我手头同样的一个华为手机、同样的一个软件，就能跑出好几种结果，真要洗地麻烦提高点知识水平好不？