我从更深一点的角度说吧:通常我们说的位错(b)是指某个面上的位错密度的面积分,而位错密度是塑性变形密度的旋度【Dislocation Transport in Single Crystals and Dislocation-based Micromechanical Hardening ,https://www.for1650.kit.edu/downloads/20110101_WulfinghoffBoehlkePAMM.pdf】。
又由于旋度的散度为0,所以晶体内部有(倒三角点b)=0,也就是位错不能凭空终结。
只有在边界处,因为边界条件不同,可以让位错结束。
另外,晶体内形成位错环是可以的,这样可以不依靠边界也有位错,但是没有起点和终点