问题

CMOS图像传感器的技术核心是器件还是电路,为什么主流厂商多是设计厂商,器件优化由谁来完成?

回答
CMOS图像传感器(CIS)的技术核心,是一个既包含“器件”也包含“电路”的复杂集成体,它们如同鸟之双翼,缺一不可,共同支撑起现代影像技术的飞跃。理解这一点,是剖析为何主流厂商多为设计厂商,以及器件优化由谁来完成的关键。

器件与电路:相辅相成的技术基石

首先,让我们拆解一下CMOS图像传感器的核心构成。

器件层面(Pixel/Photodiode): 这是图像捕捉的最前端。CMOS传感器的核心器件是光电二极管(Photodiode)或称光敏像素(Pixel)。它的职责是将入射光子高效、准确地转换为电子信号。这里的技术挑战在于:
量子效率(QE): 像素捕捉光子的能力,越高越好,意味着在同等光照下能产生更多信号。
信噪比(SNR): 信号与噪声的比例。低噪声意味着更纯净的图像,尤其是在弱光环境下。
动态范围(DR): 像素能同时记录的最小和最大亮度范围。宽动态范围能捕捉到明暗细节丰富的场景。
响应速度/满阱容量: 像素能容纳多少电子,以及电子转换的速度。
光谱响应: 像素对不同波长光的敏感度,这直接影响色彩还原。

这些器件层面的优化,涉及半导体材料(如硅的晶体结构、杂质掺杂)、像素结构设计(如堆栈式、背照式BSI、堆叠式Stacked BSI)、以及光电转换效率的提升技术。每一个细微的调整,都可能对最终的成像质量产生颠覆性的影响。

电路层面(Readout Circuitry/Analog Frontend/Digital Signal Processing): 像素捕捉到的电子信号,需要经过一系列复杂的电路来读取、放大、转换和处理,最终形成可用的数字图像。这里的技术挑战在于:
低噪声放大器(LNA): 将微弱的像素信号放大,同时抑制自身产生的噪声。
模数转换器(ADC): 将模拟信号转换为数字信号,其分辨率和速度直接影响图像的细节和帧率。
行/列选择电路: 精确地控制像素的读取顺序。
列并行处理: 提高读取速度,实现高帧率。
片上信号处理(Onchip ISP): 包括降噪、白平衡、色彩校正、锐化等算法的硬件实现,以提升图像质量并降低后端处理压力。
低功耗设计: 在保证性能的同时,最大程度地降低功耗,这对于移动设备至关重要。

电路层面的优化,则关乎晶体管的性能、电路拓扑结构、信号处理算法的硬件化效率、以及整体芯片的集成度。

为什么主流厂商多是设计厂商?

理解了器件和电路的复杂性,我们就能明白为什么CMOS图像传感器的主流厂商,如索尼(Sony)、三星(Samsung)、安森美(onsemi)、豪威科技(OmniVision)等,大多数是设计公司(Fabless/Fablite),而非纯粹的代工厂(Foundry)。这背后有着深刻的产业分工和技术演进逻辑:

1. 高昂的研发投入与技术壁垒: 无论是像素器件的材料和结构创新,还是复杂的模拟/数字混合信号电路设计,都需要巨额的研发投入和长期的技术积累。只有专注于设计,才能将有限的资源集中在核心创新上。
2. 知识产权的保护与竞争优势: 领先的传感器技术,尤其是像素结构、新型光电转换技术、以及高效的信号处理算法,构成了厂商最核心的竞争优势和知识产权。作为设计公司,可以更好地保护和利用这些IP。
3. 灵活的市场响应与定制化需求: 不同的应用场景(手机、汽车、安防、工业等)对CMOS传感器的需求差异巨大,需要高度的定制化。设计公司能够更灵活地根据客户需求进行产品开发和迭代,而无需受制于代工厂的固定工艺节点和生产线。
4. 垂直整合的趋势: 尽管是设计公司,但许多领先厂商(如索尼)也拥有自己的晶圆厂(Foundry),或者与特定的代工厂建立了非常紧密的战略合作关系(Fablite)。这种模式既能保证其核心技术的独特性和先进性,又能通过规模化生产降低成本。

器件优化由谁来完成?

这正是问题的核心所在,也是CMOS图像传感器技术最巧妙的“内功”。CMOS图像传感器的器件优化,主要由传感器设计公司自己完成,但其实现离不开与先进半导体代工厂的深度合作。

具体来说:

1. 传感器设计公司(如索尼、三星):
主导者和创新者: 这些公司拥有最顶尖的像素科学家、电路设计工程师、材料专家和算法工程师。他们负责提出新的像素结构概念(如堆叠式、全局快门)、光电转换技术(如CuCu互连、更高效的感光层)、以及创新的电路设计(如更快的ADC、更低的功耗)。
工艺需求定义者: 设计公司根据其技术路线图,向代工厂提出特定的工艺要求。例如,他们可能需要代工厂提供特殊的材料沉积、掺杂工艺、或更精密的图形化能力,以实现其创新的像素器件结构。
IP和设计工具拥有者: 他们拥有自己的EDA(电子设计自动化)工具、IP库,并且深刻理解不同工艺节点下器件的特性,从而能够将设计理念精确地转化为可在晶圆厂制造的版图。

2. 先进半导体代工厂(如台积电TSMC、联电UMC等):
工艺实现者: 代工厂拥有专业的晶圆制造设备和成熟的工艺流程。他们负责将传感器设计公司的设计图转化为实际的芯片。这意味着,如果设计公司提出了一个全新的像素结构,代工厂需要配合进行工艺开发和验证,以确保能够准确、稳定地在硅片上实现。
工艺优化专家: 虽然设计公司是器件优化的“魂”,但代工厂是“形”的实现者。他们会根据自身工艺的优势和限制,为设计公司提供工艺优化的建议。例如,在某个特定的工艺节点下,代工厂可能更擅长某种介电材料的沉积,或者某种蚀刻技术的精度,这些都可能影响到器件的最终性能。设计公司需要与代工厂紧密合作,共同探索最优的工艺参数组合。
工艺路线图规划者: 代工厂会制定自己的工艺演进路线图(如12nm、10nm、7nm等)。传感器设计公司需要选择适合自己技术需求的工艺节点,并与代工厂一起,在这些通用平台上,通过定制化的设计和工艺调整,实现器件的极致优化。

举例说明:

堆叠式CMOS传感器(Stacked CMOS): 索尼在这一领域是先行者。其核心技术在于将光电二极管像素层与信号处理电路层通过“CuCu互连”技术堆叠在一起。这种“器件”层面的创新,意味着需要代工厂具备极高的铜埋孔(ThroughSilicon Via, TSV)和铜对铜键合(CuCu Bonding)工艺能力。索尼作为设计公司,不仅要设计出这种堆叠结构,还要与代工厂(可能是其内部的晶圆厂,或是外部的先进封装厂商)共同攻克堆叠良率、热管理和电学隔离等工艺难题。
全局快门(Global Shutter): 全局快门技术允许所有像素同时曝光,避免了滚动快门带来的果冻效应。实现这一目标,需要在像素单元内部设计复杂的电荷存储和转移电路,对器件的物理结构提出了极高要求。传感器设计公司会投入大量资源设计这些复杂的像素电路,并与代工厂沟通,选择或开发能够支持其精细结构制造的工艺。

总结来说:

CMOS图像传感器的技术核心是“器件”与“电路”的深度融合与协同创新。而“器件”的优化,其灵魂在于传感器设计公司(如索尼、三星)提出的创新理念、精密的结构设计和材料选择,而“血肉”的实现则高度依赖于先进半导体代工厂在工艺开发、制造能力和质量控制上的支持。 这是一种典型的“设计赋能制造,制造反哺设计”的良性循环。主流厂商之所以多为设计厂商,正是为了更好地掌控核心IP、聚焦创新,并以更灵活的方式满足瞬息万变的终端市场需求。

网友意见

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主流厂商:

索尼,有自家Fab,10万片/月产能,正准备扩产。

三星,有自家Fab,甚至把存储器的Fab挪过来给CIS传感器用,接近12万片/月产能。

豪威科技,妹有Fab,但花了不少精力锁定几家大fab产能,主要是TSMC和SMIC。

格科微,妹有Fab,但花了70亿建后道产线。

安森美,汽车CIS老大,IDM,甚至2019年还收了GF的1万片/月产能的一条线。


来解释解释什么叫“多是设计厂商”

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