如何理解「电子倒灌」，以及如何看待乐学化学李政老师在选三课程中提出三氟化氮的键角小于三氟化磷？ 第1页

现在的数据长这样：

一般情况下键角问题的讨论思路是VSEPR价层电子对互斥模型，高级些的理论，比如杂化理论（例子p成分越高键角越小）和分子轨道理论+Walsh图的解释一般用不上。而且以上所有理论都有模糊的地方，也就是说很多时候正着说也行，反着说也行。用VSEPR足够了。

选定方法VSEPR后就按照这个方法走，如果VSEPR解释不了就“编故事”。比如按以前的数据，PF₃和NF₃就是一个例外，所以要各种找理由，于是就找到了p-d反馈π键的解释，这个解释最早是用来解释硫酸根SO键中的双键成分的。但理论计算和实验都指出，d轨道的贡献很小很小，具体内容参考下面的回答：

而按照现在的数据，PF₃键角小，那用和PH₃和NH₃一样的解释就可以了。

前面说了，国外比较新的无机教材都明确反对了这种解释。我知道这个就是多年前有个朋友给在国外读本科的高中学弟辅导无机化学，看到书上不认为3d 轨道和配原子的p 轨道会相互作用觉得新鲜。但是这个解释太深入人心了，所以如果是参加竞赛考研那还是了解一下吧，如果学校是用的外文教材，就当没这事，如果是高中生，听听就好吧，不要深究。

最后吐槽一下，PF₃和NF₃键角的问题，90年代出版的《无机化学丛书》第四卷，就已经是下面这种数据了，所以这数据至少过时几十年了（这俩都是气体），前几天还在看到有人争这个问题，哎，更新知识很重要啊。