这个新闻是无知沸腾粉胡说八道。
但是,用14nm芯片的手机,可以比用7nm芯片的手机,运行更快,续航更强是可能的。
软件挖潜。
华为的鸿蒙名字,现在已经包含至少四个操作系统了。
其中,有一个linux核心的嵌入式操作系统,是可以发展成智能手机操作系统的。
按照华为的路线,安卓套壳版本的鸿蒙可以运行两套生态,一套安卓的,一套自己的。
而自己这套是可以跨到非安卓套壳版本鸿蒙的。
这套生态华为可以自己控制。
如果华为能限制鸿蒙版本APP的臃肿程度,强制低配置低耗电流畅运行才能上线。(要求四核2GHZ的A53运转如飞,其实就是要求今天的开发者把垃圾代码控制到2013年的水平。)
这样鸿蒙版本的APP,就可以比安卓版本快很多。
在华为14nm的手机上,也比其他品牌7nm的手机运行更快更省电。
等生态系统足够丰富,华为可以放弃安卓套皮版的鸿蒙,用自家linux核心不带AOSP的鸿蒙跑自家高效应用。
这就可以做到工艺落后,体验不差。
没有国产14nm,国产能28nm恐怕也行。
国产工艺90nm量产在5年内估计可以做到,乐观点65nm,45nm,去美化工艺也许可以28nm量产。
分辨率降低一点,软件效率再高一点也是可以用的。
骁龙8260是45nm工艺,当时安卓手机分辨率800*480,也能流畅。
解释这个问题要先搞明白摩尔定律,过去几十年,半导体性能的发展一直遵循摩尔定律
摩尔定律是英特尔创始人之一戈登•摩尔的经验之谈,其核心内容为:集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍。换言之,处理器的性能每隔两年翻一倍。
这个摩尔定律的根基就是半导体的制程,也就是这里说的14nm,7nm,目前市面上最先进的是5nm,明年台积电应该能推出3nm。这个制程的提升后面很难了,提升的效果也没那么明显了,所以很多人说摩尔定律要失效了。那后面怎么办?先进封装就是一个看好的路径。
一款芯片设计完成后要找FAB厂生产制造,然后封装测试。封测厂商有很多,但是现在说的先进封装跟传统封测不太一样,他更多的是集中在设计端,并不是简单的封装。现在IC design厂商也都在研究先进封装,当然包括海思,最积极的就是被制程困扰住的intel。
两个14nm叠加在一起能等效于7nm吗?肯定不能。但这也是没办法的办法,比如intel现在就在推Hybird bonding,这种技术并不是有些人说的胶水核,但是你指望他性能翻倍是极不现实的。双核CPU是单核CPU性能的两倍吗?明显到不了,这种效率更低,这种更像是片上的再整合,个人认为更适合异构的连接。
这项技术多厉害呢?intel推出了lakefield,你们也看到了,我就不多说了
而且这个成本很高,比如里面一个晶片的良率是90%,另一个是80%,他们弄在一起最高的良率也就72%,出问题还要全换
作为伪资深半导体民工,粗浅的来谈谈,有说的不对的地方,欢迎专业人士指出错误与不足。
文中提到的14nm+14nm应该指的是使用先进封装技术,在不改变芯片面积的前提下,实现晶体管的翻倍。
何为先进封装技术?传统封装技术大致是讲客户的晶圆进行切割后,将晶片贴合到底座上,再由金属线连接到引脚,最后注塑封装成为我们常见的芯片。
而先进封装技术通俗来讲就是在客户的晶圆上,直接将引脚“长”出来,然后与其他晶片进行物理焊接堆叠在一起后,再进行封装。这样做的好处就是大大缩小了元器件的面积(赵新华指出的错误),而且叠加后元器件的性能可以大幅提升。
而目前摩尔定律更新遇到了瓶颈,目前分两条技术路线:
1.对晶圆材料和工艺结构进行改变。
2.使用先进封装技术
理论上,把两块面积相同的,同样型号的芯片进行堆叠封装,的确是可以间接实现在面积不变当然前提下,晶体管数量翻倍。目前主流大厂也有这方面的研究
但就性能而言,绝对不是说14nm+14nm=7nm,这种说法是非常可笑的。
1.晶体管的制程未变,单个晶体管的体积并未缩小,功耗还是原来的功耗,堆叠封装后,功耗变成了*2,发热量也会翻倍;
2.因为只是在同等面积下晶体管数量翻倍,但堆叠封装后体积会变得更大,晶体管的集成度反而下降,这无疑是违反祖宗的规定。
3.芯片中的控制单元和运算单元势必要重新设计,由于是堆叠封装,本质上是由两个独立单元拼接而成,反而降低了可靠性。
4.由于功耗巨大,为了不让元件因为巨量的热量而烧毁,势必要降低性能,最后的成品,可能也就比单个14nm的芯片功能强一点点,完全和单个的7nm芯片不在一个等级。
综上所述,14nm+14nm≠7nm
这不是合成大西瓜。
PS:我主业方向是PECVD,ALD,PVD的装备,对工艺方面描述其实不是很准确,回答也是基于我日常工作的积累,有错误还请赐教。
算是个未来的从业人员(但是很菜,给泥电丢人了)...下面说的内容可能会有问题。
首先,华为那个专利,根本和那个kol胡咧咧的不是一个东西。
一、目前红蓝二厂的最新的封装技术。
intel的lakefield是在22nm上面叠10nm。再这个整体上面盖了两层存储。
amd联手台积电则是两颗/一颗7nm ccd加上12nm iod。之前在5900x魔改版整的狠活,是在ccd上叠了L3 cache。
intel的lakefield的技术展示是两颗最高功耗7w的低压soc,这两个东西是intel为了在超轻薄本/平板/电脑棒市场上面阻击arm。而intel的14nm+++已经被amd和台积电联手碾压了...
并且两家下一步都有升级制程的动向,12代酷睿大概率要升级10nm,zen4则要升级5nm。
二、3d nand...这玩意压根就不是封装工艺。
三、14nm+14nm可不可行...直说,可行,但也不可行。
可行是指,堆量是能提升性能的,密度不够,面积来凑...但是这个面积理想情况下至少是x4,不能是x2。
然而现实情况下就算不谈工艺问题,叠加带来的高功耗和散热压力会直接影响性能,所以做不到理想性能。
不可行是指,同为x86,打平5800x的11900k,这家伙的功耗已经来到了夸张的300w,发热量巨大。如果想要追上5950x的脚步,它至少也需要是颗12核的cpu吧。
就算在这种复杂逻辑芯片上同制程叠罗汉的技术攻克了,别的东西先不算,就只是用14nm工艺堆出个两层12核,这东西也会是颗功耗和发热量起飞的怪物。
按照图里这个沸腾型kol的说法,14+14叠加在功耗“还不错”的前提下追平7nm......
要么是关公战秦琼,我11900k性能暴打火龙888没什么问题吧?功耗?大家都在各自的地盘功耗爆炸,所以这也能说是旗鼓相当。这么对比14nm都能暴打三星5nm了...
但是如果在面积,平台等多方面都相当的前提下对比...一方面,上面也说了,面积相同,两层是不行的,就算是理想情况也得四层。另一方面就算是两层并且面积x2,这颗东西的功耗和发热无法保证。一颗11900k就已经300w了,在给它加一层,这东西就要变成烤箱了。
就算是成功开发出这种玄幻叠加技术,用在哪?
放手机上,这东西同性能只会比888更热,手机直接化身热的快,烧水煎蛋。
装台式机,装服务器,对面积不敏感,大可以多核交火,没必要为了一点面积去增加散热压力。
在别人的评论区发现了一个神兽的同类,不懂装懂还喜欢嘴硬。
9900k约等于3700x约等于10700k,所以14nm和7nm互有胜负。两个工艺的对比不需要限制产品代差和产品等级,比就完事了。
zol十分权威...
好家伙,这些营销号是真厉害,14+14>7都能扯出来?
真就懂王了,全世界的半导体行业精英都没这个营销号懂,只有乌合麒麟懂他,所谓“千金易得,知音难求”,跪求营销号小编原地和乌合麒麟结婚吧。
说到底,这个14+14只不过是简单的芯片叠加而已,在相同面积下把两片14nm芯片叠加起来,当然比单层芯片性能强一点(大致是这个意思,具体操作会有不同)
问题来了,两片14nm芯片,消耗的可是两片芯片的功耗啊,试问哪款手机顶得住?
有人说了:原文也没说必须用手机上啊,用5G基站上不香吗?基站这么大,不用考虑体积和功耗。
但是!如果不用考虑体积和功耗,为啥不直接把芯片面积做成原来的二倍呢?为啥非得叠加?而且叠加之后散热更差了。
说白了这个叠加技术不能说毫无用处,是有那么一点点用处的,但绝对达不到14+14>7的地步,鸡肋。
芯片本来就是这样,你体积做大了自然就性能更强,你说你想要一个超级超级厉害、比世界上所有芯片性能都强的芯片,能做出来吗?
当然能,你直接用5nm工艺把芯片做成整个珠穆朗玛这么大,自然性能天下第一,但又有什么意义呢?谁会闲得没事这么干?
一个最简单的悖论:如果14+14>7
那么7+7>3.5
5+5>2.5
2.5+2.5>1.25
所以,按照目前最高制程5nm来计算:
5+5+5+5>1.25
科学界震动,爱因斯坦惊讶的都从地底下爬出来了,人类的希望来了!
芯片制程将不再有限制,量子隧穿效应不复存在了,我们可以将芯片制程这样一路等效下去,几乎能达到无穷小的尺寸!
愣着干嘛,沸腾起来啊!
12年半导体PDE CQE 曾在亚利桑那州为人类造芯的我 认为@钢铁咸肉 说的基本正确
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