这笔收购包含INTC Nand SSD业务、Nand部件及晶圆业务,以及其在大连的Nand闪存工厂同样易主SK Hynix,INTC保留Optane TM业务;
—— 也就是这笔交易中pmem资产不出售(未来业务核心+受限于镁光协议),交易标的是NAND和SSD。后者这种commodity生意INTC一贯掣肘,产能差距明显,也许没有机会上坡挑战。
下一代存储介质,业界预期PCM,但除了INTC和镁光JV的3D Xpoint(Optane NVM),业界也没有成功的PCM;但据传3Dxpt的2代+完整IP也暂不会出售镁光,但在两家的JV分手之前,双方材料物理和技术路线的差异就不能彼此化解:INTC旨在走DIMM接口替代DDR/DRAM市场,Micron则继续M.2接口的Storage(SSD)路线;
要知道SSD毕竟是存储设备,设计和制造可以容错,比如可以允许坏点,那么厂商的存储颗粒多做5%的冗余即可替换坏点继续工作,但Memory是高可靠性计算设备,坏点不可容忍,电路设计和制造工艺都有不同;虽然两家的上层材料物理IP都有相似,但当年JV分家是连带IP交叉授权和属权分割的。
另外,材料物理的差异似乎出于INTC PCM相变材料中的硫化物,对应的论文也提到它的性能/温度成反比,环境温度高,性能下降(记得论文说50摄氏度为宜?),即读写速度和cycle数值都会下降,比如万次读写的指标也许只有2000次了:),不知INTC是如何攻克的?
关于产能和供应的影响:在本次交易中原有的大连厂Optane SSD产线不会出售(Fab68不允许生产PCM材料的颗粒,仅拿美国预制好的特殊晶圆跑个流片再测试封装SSD,且Fab68仅占3Dxpoint少量产能,曾经是Micron[IM]供应大部分产能)。本次交易的资产对价是大连厂的多数产线设备出售给SK,加上与镁光IM的切割,看似是INTC失去了全部Optane制造能力,但实则PCM-mem系列产品未来产能都将迁往Utah或是全球半数产能的Fab42 Chandler AZ,且Utah的制造成本推演低于大连厂,后者在Y19就已经评估过了;况且大连厂是3D Nand产线为主,改造Memory尚需投入。
Btw:另外INTC PCM如今内部称作pmem(persistent memory),2代之后的3DXpoint演进主要是mem场景(猜测仍会包含少量的较大面积的SSD),产能在美本土,可见插DIMM替代DRAM内存条的决心远高过storage :)
Btw:关于Intel Nand的floating gate工艺与Hynix的工艺差异问题,不确定Hynix收购以后是否会调整产线,但毕竟都是一线FAB / 一线工具,SK也许有3个月就足以调完;当然,也不排除SK不改产线,维持生产,保持现金流…;如同当初用美国手套控盘东芝那样,毕竟从经济上讲停产改工艺的代价太大,维持产能运转直到大修周期再动手术也可。
Btw:引用朱老师的一组数据,Y20年初Intel的存储器业务收入13.4亿美元,同比增长46.2%,在全球大概是排名约第五。Y19 Q4单季度intel的Nand市场份额9.8%,而SK Hynix紧随其后为9.5%,此次收购完成后,Hynix在Nand领域排位有望超过美镁光。
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