如何制作350mA，误差几mA的恒流源？
好的，咱们来聊聊怎么做一个350mA、误差控制在几mA的靠谱恒流源。这件事不难，但细节决定成败。
理解“恒流源”和“误差几mA”
首先，咱们得明白恒流源是干嘛的。简单来说，它就像一个“水龙头”，不管你后面接的是个细管子还是粗管子，它都能努力保证流过的水（电流）是固定的。而“误差几mA”呢，就是说实际输出的电流会在我们设定的350mA上下浮动，但这个浮动的范围不能太大，在几mA之内就ok。
核心思路：负反馈
要实现恒流，最核心的原理就是“负反馈”。想象一下，我们设定了一个目标电流（350mA）。如果实际电流比这个目标值小了，我们就想办法让它变大；反之，如果电流大了，我们就想办法让它变小。这种“发现偏差，然后纠正偏差”的过程，就是负反馈。
在电子电路里，我们通常会用一个电阻来“感知”电流的大小。电流流过这个电阻时会产生一个电压（根据欧姆定律 V=IR）。我们再把这个电压和我们期望的电压（对应350mA）做个比较。如果实际电流产生的电压比期望的电压高，就说明电流大了；如果比期望的电压低，就说明电流小了。然后，用一个能够根据这个比较结果来调节输出电流的元件（比如三极管或者MOSFET）来修正。
方案一：基于运放的精密恒流源（推荐）
这个方案相对成熟，用运放来做误差放大器，精度高，设计也相对容易理解。
你需要准备的材料：
运算放大器 (Opamp)： 比如LM358、TL082、OP07（如果对精度要求更高的话）。选择轨对轨输出的运放会更方便些。
精密取样电阻： 这个至关重要！它的阻值精度直接影响到你最终的恒流精度。选择低温度系数的合金电阻或者金属膜电阻。阻值可以算一下：如果我们希望在350mA时，取样电阻上的电压是0.35V（方便后续比较），那么 R = V/I = 0.35V / 0.35A = 1Ω。如果选择0.1Ω，那电压就是35mV，对运放的输入失调电压要求就高了。咱们这里可以选一个1Ω的精密电阻，功率要足够，根据P=I²R = (0.35A)² 1Ω = 0.1225W，选个0.5W或1W的比较保险，留点余量。
功率管： 用来承受和调节输出电流的大头。可以选择NPN三极管（比如2N3055、TIP41C）或者N沟道MOSFET（比如IRF540、IRFZ44N）。MOSFET通常驱动起来更方便，导通压降低，效率高。咱们这里用N沟道MOSFET比较好。
基准电压源： 需要一个稳定、准确的电压作为我们设定的目标电流的“标杆”。常见的有TL431（可调齐纳稳压二极管）、精密基准电压芯片（比如LM317当基准、或者专门的电压基准芯片如LM4040）。用TL431是个不错的选择，性价比高，调整范围也大。
其他电阻和电容： 用于设定运放的增益、滤波、去耦等。
电路设计思路：
1. 设置目标电压： 我们先用TL431和一个固定电阻，设定一个稳定的电压。比如，TL431的基准电压是2.5V。我们用一个电阻将它分压，让它的输出电压固定在0.35V。
2. 电流取样： 把咱们选的1Ω精密电阻串联在电路的输出端（也就是你要驱动负载的地方）。电流流过这个电阻时，会产生一个电压。
3. 运放比较与控制：
将TL431设定的0.35V作为运放的一个输入（比如非反相输入端）。
将取样电阻上的电压（也就是实际电流产生的电压）接到运放的另一个输入（比如反相输入端）。
运放的输出就连接到MOSFET的栅极。
4. MOSFET作为电流调节器： MOSFET的漏极（Drain）接电源正极，源极（Source）接负载和取样电阻，构成输出通路。运放的输出控制MOSFET的栅极电压。
当取样电阻上的电压（实际电流引起）小于0.35V时（即电流小于350mA），运放输出高电平，MOSFET导通更深，输出电流增大。
当取样电阻上的电压大于0.35V时（即电流大于350mA），运放输出低电平，MOSFET导通变浅，输出电流减小。
这样，电流就会被稳定在350mA附近。
具体电路连接示意（这里需要自己画图理解会更透彻）：
TL431部分： TL431的Ref接电阻到地， Cathode接电阻到电源正极，Anode接我们想要得到的0.35V电压，并将其作为运放的参考输入。一个简单的分压电阻就可以实现，比如TL431的Ref电压是2.5V，我需要0.35V，那我就要串联两个电阻R1和R2，使得 R2 / (R1 + R2) 2.5V = 0.35V。算一下比例关系，比如用R1=5.6kΩ，那么 R2 = (0.35V / 2.5V) (5.6kΩ + R2) = 0.14 (5.6kΩ + R2)。算出来R2大概是976Ω，选一个标准的1kΩ电阻，精度会稍有偏差，但可以接受。更精确的做法是用一个多圈可调电阻来微调TL431的输出电压到我们精确想要的参考值。 假设我们用TL431和两个电阻设定了一个固定的参考电压（比如叫Vref_target）。
MOSFET和取样电阻： MOSFET的Source接到负载（比如LED），然后接到1Ω的取样电阻，取样电阻的另一端接地。MOSFET的Drain接电源正极。
运放部分：
Vref_target接到运放的非反相输入端 (+) 。
取样电阻上的电压接到运放的反相输入端 () 。
运放的输出端接到MOSFET的栅极 (Gate) 。
运放的电源（Vcc, Vee或GND）需要正确连接，根据你选用的运放型号和供电方式。如果你的电源电压很高，而TL431和运放的工作电压不高，需要额外提供偏置电源。
增加稳定性：
在运放的输入端（比如反相输入端）可以串联一个几欧姆的电阻，防止振荡。
在运放的输出端到MOSFET栅极之间，也可以串联一个几十欧姆的电阻，并且在MOSFET栅极上并联一个几百pF到几nF的电容，形成RC滤波，进一步抑制高频振荡。
电源处加去耦电容（比如100nF陶瓷电容和10uF电解电容）是标配。
关于误差的分析：
取样电阻的精度： 这是最直接的误差来源。0.1%精度的1Ω电阻，对350mA的电流来说，误差就是 0.35A 0.001 = 0.35mA。如果用0.05%精度的，误差就更小了。
TL431的基准电压精度和温度漂移： TL431的基准电压精度一般在±1%左右，但通常比这个好。选择更好的电压基准源，精度会更高。它的温度漂移也是一个考虑因素。
运放的输入失调电压和失调电流： 运放微小的输入电压误差会直接放大到输出电流上。对于只有0.35V的参考电压来说，运放的输入失调电压（几百微伏甚至更低）影响会比较大。选择低失调电压的运放（比如OP07）能显著提升精度。
MOSFET的导通压降和栅极电压变化： 虽然MOSFET的Source电压变化不大，但它本身的一些非理想特性也可能引入微小误差。
电源电压的波动： 这个设计的优势在于对电源电压的波动不敏感。只要电源电压足够高，能驱动MOSFET工作，电流就不会因为电源电压变化而改变。
如何达到“几mA”的误差：
1. 选择高精度的取样电阻： 0.1%或0.05%的金属膜或合金电阻是必须的。
2. 使用低失调电压、低漂移的运放： 比如AD711、OP07系列。
3. 选择高精度的电压基准源： 像LM4040、ADR45xx系列这样的独立电压基准芯片，精度可以做到0.1%甚至更高，而且温度稳定性非常好。TL431配合精密分压电阻也可以，但需要仔细调校。
4. 仔细调试： 用一个高精度万用表（带电流测量功能）来测量输出电流，通过调整TL431的参考电压（如果用可调电阻）或选取合适的R1/R2比例来精确设定目标电流。
示例参数（假设使用TL431和LM358）：
电源电压： 12V
TL431参考电压设置： 0.35V (通过电阻R1, R2 分压 TL431 2.5V 基准得到)
取样电阻： 1Ω 0.1% 精密电阻 (功率0.5W或1W)
MOSFET： IRFZ44N (或其他低导通电阻的N沟道MOSFET)
LM358： 运放
制作和测试中的一些技巧：
耐心点焊： 确保焊接牢固，没有虚焊。
实际测量： 用一个靠谱的万用表（最好是带有RMS真有效值功能的，尽管这里是直流，但精度好的万用表也值得信赖）去测量。
模拟负载： 可以用几个不同阻值的电阻串联来模拟不同的负载情况，看看恒流效果。
温度测试： 让电路工作一段时间，看看电流是否稳定，尤其是在有温升的情况下。
方案二：简单的三极管恒流源（精度稍低，但更易懂）
这个方案的精度相对方案一要差一些，但原理更直观，用料也更少。
你需要准备的材料：
NPN三极管： 比如2N2222A、BC547等。
精密取样电阻： 同样是1Ω 0.1% 的电阻。
齐纳二极管（Zener Diode）： 比如3.3V、3.6V、3.9V等，选择一个作为“基准电压”。
固定电阻： 用于给齐纳二极管供电和给三极管基极供电。
电路设计思路：
1. 齐纳二极管稳压： 用一个电阻接电源给齐纳二极管供电，齐纳二极管的正极接地，负极输出一个相对稳定的电压（比如3.3V）。这个电压就是我们设定的基准。
2. 串联电阻与三极管：
将1Ω取样电阻串联在输出端。
将NPN三极管的发射极（Emitter）接取样电阻。
三极管的集电极（Collector）接电源正极。
三极管的基极（Base）接齐纳二极管的输出端（通过另一个电阻）。
3. 工作原理：
齐纳二极管提供一个稳定的基极电压（Vbe的基准）。
当电流流过取样电阻时，会在取样电阻上产生一个电压（V_sample = I R_sample）。
三极管的发射极电压就是V_sample。由于三极管的基极发射极电压（Vbe）接近恒定（一般在0.6V0.7V左右），所以基极电压等于发射极电压加上Vbe。
我们希望输出350mA，那么取样电阻上的压降就是 0.35A 1Ω = 0.35V。
这里有点巧妙：我们选择的齐纳电压，要让三极管在工作时，其基极电压略高于取样电阻上的压降，并且能驱动三极管工作。
更直接的方式： 用齐纳电压来设定一个“阈值”，然后用另一个电阻将这个阈值施加到三极管的基极上。而发射极则接取样电阻。当发射极电压（V_sample）增加到接近基极电压时，三极管的导通就受限了。
经典三极管恒流源结构： 通常是这样设计的：把齐纳二极管和限流电阻接在三极管的基极。然后把取样电阻接在发射极。当电流增大时，取样电阻上的电压也增大，加上基极电压的固定性，三极管的Vbe会减小，导致电流减小。反之亦然。
例如： 选一个3.3V的齐纳管，用一个限流电阻接到三极管的基极。三极管的发射极接1Ω的取样电阻。当电流是350mA时，取样电阻上的电压是0.35V。三极管的Vbe大约是0.7V。所以基极电压需要是0.35V + 0.7V = 1.05V。但是我们用齐纳管提供的3.3V来驱动。这个方案的误差主要来自齐纳管的电压精度和温度漂移，以及三极管Vbe的变化。
改进版的三极管恒流源（精度稍高）：
用两个三极管，一个作为基准，一个作为输出。
1. 基准部分： 用一个齐纳管和一个电阻，在三极管Q1的基极产生一个相对稳定的电压。Q1的发射极接一个电阻（R_sample1），Q1的集电极接到Q2的基极。
2. 输出部分： Q2作为输出管。Q2的发射极接另一个取样电阻（R_sample2）。Q2的集电极接电源正极。Q2的发射极电压（通过R_sample2上的压降）与Q1的发射极电压（通过R_sample1上的压降）进行比较。
如果Q2的电流比Q1的电流大，那么Q2的发射极电压比Q1高，这会使得Q1的发射极电流减小，从而通过Q1的集电极电流（也相当于Q2的基极电流）也减小，最终限制Q2的电流。
可以通过合理选择R_sample1和R_sample2的阻值来设定输出电流。
总结一下如何让误差控制在几mA：
核心是“参考源”的精度和“电流采样”的精度。
参考源： 独立电压基准芯片 > 精密电阻分压的TL431 > 普通齐纳管。
电流采样： 低阻值、低温度系数、高精度的取样电阻（例如1Ω，0.1%或0.05%精度）。
误差放大器： 运放比简单的三极管恒流源精度高很多，选择低失调电压的运放是关键。
温度： 确保电路中的电阻（特别是取样电阻和TL431的电阻）没有过高的功耗，避免因自发热引入的误差。
制作过程中，建议先在面包板上搭建电路进行测试，确认工作正常后再焊接PCB。祝你制作成功！
理解“恒流源”和“误差几mA”
首先，咱们得明白恒流源是干嘛的。简单来说，它就像一个“水龙头”，不管你后面接的是个细管子还是粗管子，它都能努力保证流过的水（电流）是固定的。而“误差几mA”呢，就是说实际输出的电流会在我们设定的350mA上下浮动，但这个浮动的范围不能太大，在几mA之内就ok。
核心思路：负反馈
要实现恒流，最核心的原理就是“负反馈”。想象一下，我们设定了一个目标电流（350mA）。如果实际电流比这个目标值小了，我们就想办法让它变大；反之，如果电流大了，我们就想办法让它变小。这种“发现偏差，然后纠正偏差”的过程，就是负反馈。
在电子电路里，我们通常会用一个电阻来“感知”电流的大小。电流流过这个电阻时会产生一个电压（根据欧姆定律 V=IR）。我们再把这个电压和我们期望的电压（对应350mA）做个比较。如果实际电流产生的电压比期望的电压高，就说明电流大了；如果比期望的电压低，就说明电流小了。然后，用一个能够根据这个比较结果来调节输出电流的元件（比如三极管或者MOSFET）来修正。
方案一：基于运放的精密恒流源（推荐）
这个方案相对成熟，用运放来做误差放大器，精度高，设计也相对容易理解。
你需要准备的材料：
运算放大器 (Opamp)： 比如LM358、TL082、OP07（如果对精度要求更高的话）。选择轨对轨输出的运放会更方便些。
精密取样电阻： 这个至关重要！它的阻值精度直接影响到你最终的恒流精度。选择低温度系数的合金电阻或者金属膜电阻。阻值可以算一下：如果我们希望在350mA时，取样电阻上的电压是0.35V（方便后续比较），那么 R = V/I = 0.35V / 0.35A = 1Ω。如果选择0.1Ω，那电压就是35mV，对运放的输入失调电压要求就高了。咱们这里可以选一个1Ω的精密电阻，功率要足够，根据P=I²R = (0.35A)² 1Ω = 0.1225W，选个0.5W或1W的比较保险，留点余量。
功率管： 用来承受和调节输出电流的大头。可以选择NPN三极管（比如2N3055、TIP41C）或者N沟道MOSFET（比如IRF540、IRFZ44N）。MOSFET通常驱动起来更方便，导通压降低，效率高。咱们这里用N沟道MOSFET比较好。
基准电压源： 需要一个稳定、准确的电压作为我们设定的目标电流的“标杆”。常见的有TL431（可调齐纳稳压二极管）、精密基准电压芯片（比如LM317当基准、或者专门的电压基准芯片如LM4040）。用TL431是个不错的选择，性价比高，调整范围也大。
其他电阻和电容： 用于设定运放的增益、滤波、去耦等。
电路设计思路：
1. 设置目标电压： 我们先用TL431和一个固定电阻，设定一个稳定的电压。比如，TL431的基准电压是2.5V。我们用一个电阻将它分压，让它的输出电压固定在0.35V。
2. 电流取样： 把咱们选的1Ω精密电阻串联在电路的输出端（也就是你要驱动负载的地方）。电流流过这个电阻时，会产生一个电压。
3. 运放比较与控制：
将TL431设定的0.35V作为运放的一个输入（比如非反相输入端）。
将取样电阻上的电压（也就是实际电流产生的电压）接到运放的另一个输入（比如反相输入端）。
运放的输出就连接到MOSFET的栅极。
4. MOSFET作为电流调节器： MOSFET的漏极（Drain）接电源正极，源极（Source）接负载和取样电阻，构成输出通路。运放的输出控制MOSFET的栅极电压。
当取样电阻上的电压（实际电流引起）小于0.35V时（即电流小于350mA），运放输出高电平，MOSFET导通更深，输出电流增大。
当取样电阻上的电压大于0.35V时（即电流大于350mA），运放输出低电平，MOSFET导通变浅，输出电流减小。
这样，电流就会被稳定在350mA附近。
具体电路连接示意（这里需要自己画图理解会更透彻）：
TL431部分： TL431的Ref接电阻到地， Cathode接电阻到电源正极，Anode接我们想要得到的0.35V电压，并将其作为运放的参考输入。一个简单的分压电阻就可以实现，比如TL431的Ref电压是2.5V，我需要0.35V，那我就要串联两个电阻R1和R2，使得 R2 / (R1 + R2) 2.5V = 0.35V。算一下比例关系，比如用R1=5.6kΩ，那么 R2 = (0.35V / 2.5V) (5.6kΩ + R2) = 0.14 (5.6kΩ + R2)。算出来R2大概是976Ω，选一个标准的1kΩ电阻，精度会稍有偏差，但可以接受。更精确的做法是用一个多圈可调电阻来微调TL431的输出电压到我们精确想要的参考值。 假设我们用TL431和两个电阻设定了一个固定的参考电压（比如叫Vref_target）。
MOSFET和取样电阻： MOSFET的Source接到负载（比如LED），然后接到1Ω的取样电阻，取样电阻的另一端接地。MOSFET的Drain接电源正极。
运放部分：
Vref_target接到运放的非反相输入端 (+) 。
取样电阻上的电压接到运放的反相输入端 () 。
运放的输出端接到MOSFET的栅极 (Gate) 。
运放的电源（Vcc, Vee或GND）需要正确连接，根据你选用的运放型号和供电方式。如果你的电源电压很高，而TL431和运放的工作电压不高，需要额外提供偏置电源。
增加稳定性：
在运放的输入端（比如反相输入端）可以串联一个几欧姆的电阻，防止振荡。
在运放的输出端到MOSFET栅极之间，也可以串联一个几十欧姆的电阻，并且在MOSFET栅极上并联一个几百pF到几nF的电容，形成RC滤波，进一步抑制高频振荡。
电源处加去耦电容（比如100nF陶瓷电容和10uF电解电容）是标配。
关于误差的分析：
取样电阻的精度： 这是最直接的误差来源。0.1%精度的1Ω电阻，对350mA的电流来说，误差就是 0.35A 0.001 = 0.35mA。如果用0.05%精度的，误差就更小了。
TL431的基准电压精度和温度漂移： TL431的基准电压精度一般在±1%左右，但通常比这个好。选择更好的电压基准源，精度会更高。它的温度漂移也是一个考虑因素。
运放的输入失调电压和失调电流： 运放微小的输入电压误差会直接放大到输出电流上。对于只有0.35V的参考电压来说，运放的输入失调电压（几百微伏甚至更低）影响会比较大。选择低失调电压的运放（比如OP07）能显著提升精度。
MOSFET的导通压降和栅极电压变化： 虽然MOSFET的Source电压变化不大，但它本身的一些非理想特性也可能引入微小误差。
电源电压的波动： 这个设计的优势在于对电源电压的波动不敏感。只要电源电压足够高，能驱动MOSFET工作，电流就不会因为电源电压变化而改变。
如何达到“几mA”的误差：
1. 选择高精度的取样电阻： 0.1%或0.05%的金属膜或合金电阻是必须的。
2. 使用低失调电压、低漂移的运放： 比如AD711、OP07系列。
3. 选择高精度的电压基准源： 像LM4040、ADR45xx系列这样的独立电压基准芯片，精度可以做到0.1%甚至更高，而且温度稳定性非常好。TL431配合精密分压电阻也可以，但需要仔细调校。
4. 仔细调试： 用一个高精度万用表（带电流测量功能）来测量输出电流，通过调整TL431的参考电压（如果用可调电阻）或选取合适的R1/R2比例来精确设定目标电流。
示例参数（假设使用TL431和LM358）：
电源电压： 12V
TL431参考电压设置： 0.35V (通过电阻R1, R2 分压 TL431 2.5V 基准得到)
取样电阻： 1Ω 0.1% 精密电阻 (功率0.5W或1W)
MOSFET： IRFZ44N (或其他低导通电阻的N沟道MOSFET)
LM358： 运放
制作和测试中的一些技巧：
耐心点焊： 确保焊接牢固，没有虚焊。
实际测量： 用一个靠谱的万用表（最好是带有RMS真有效值功能的，尽管这里是直流，但精度好的万用表也值得信赖）去测量。
模拟负载： 可以用几个不同阻值的电阻串联来模拟不同的负载情况，看看恒流效果。
温度测试： 让电路工作一段时间，看看电流是否稳定，尤其是在有温升的情况下。
方案二：简单的三极管恒流源（精度稍低，但更易懂）
这个方案的精度相对方案一要差一些，但原理更直观，用料也更少。
你需要准备的材料：
NPN三极管： 比如2N2222A、BC547等。
精密取样电阻： 同样是1Ω 0.1% 的电阻。
齐纳二极管（Zener Diode）： 比如3.3V、3.6V、3.9V等，选择一个作为“基准电压”。
固定电阻： 用于给齐纳二极管供电和给三极管基极供电。
电路设计思路：
1. 齐纳二极管稳压： 用一个电阻接电源给齐纳二极管供电，齐纳二极管的正极接地，负极输出一个相对稳定的电压（比如3.3V）。这个电压就是我们设定的基准。
2. 串联电阻与三极管：
将1Ω取样电阻串联在输出端。
将NPN三极管的发射极（Emitter）接取样电阻。
三极管的集电极（Collector）接电源正极。
三极管的基极（Base）接齐纳二极管的输出端（通过另一个电阻）。
3. 工作原理：
齐纳二极管提供一个稳定的基极电压（Vbe的基准）。
当电流流过取样电阻时，会在取样电阻上产生一个电压（V_sample = I R_sample）。
三极管的发射极电压就是V_sample。由于三极管的基极发射极电压（Vbe）接近恒定（一般在0.6V0.7V左右），所以基极电压等于发射极电压加上Vbe。
我们希望输出350mA，那么取样电阻上的压降就是 0.35A 1Ω = 0.35V。
这里有点巧妙：我们选择的齐纳电压，要让三极管在工作时，其基极电压略高于取样电阻上的压降，并且能驱动三极管工作。
更直接的方式： 用齐纳电压来设定一个“阈值”，然后用另一个电阻将这个阈值施加到三极管的基极上。而发射极则接取样电阻。当发射极电压（V_sample）增加到接近基极电压时，三极管的导通就受限了。
经典三极管恒流源结构： 通常是这样设计的：把齐纳二极管和限流电阻接在三极管的基极。然后把取样电阻接在发射极。当电流增大时，取样电阻上的电压也增大，加上基极电压的固定性，三极管的Vbe会减小，导致电流减小。反之亦然。
例如： 选一个3.3V的齐纳管，用一个限流电阻接到三极管的基极。三极管的发射极接1Ω的取样电阻。当电流是350mA时，取样电阻上的电压是0.35V。三极管的Vbe大约是0.7V。所以基极电压需要是0.35V + 0.7V = 1.05V。但是我们用齐纳管提供的3.3V来驱动。这个方案的误差主要来自齐纳管的电压精度和温度漂移，以及三极管Vbe的变化。
改进版的三极管恒流源（精度稍高）：
用两个三极管，一个作为基准，一个作为输出。
1. 基准部分： 用一个齐纳管和一个电阻，在三极管Q1的基极产生一个相对稳定的电压。Q1的发射极接一个电阻（R_sample1），Q1的集电极接到Q2的基极。
2. 输出部分： Q2作为输出管。Q2的发射极接另一个取样电阻（R_sample2）。Q2的集电极接电源正极。Q2的发射极电压（通过R_sample2上的压降）与Q1的发射极电压（通过R_sample1上的压降）进行比较。
如果Q2的电流比Q1的电流大，那么Q2的发射极电压比Q1高，这会使得Q1的发射极电流减小，从而通过Q1的集电极电流（也相当于Q2的基极电流）也减小，最终限制Q2的电流。
可以通过合理选择R_sample1和R_sample2的阻值来设定输出电流。
总结一下如何让误差控制在几mA：
核心是“参考源”的精度和“电流采样”的精度。
参考源： 独立电压基准芯片 > 精密电阻分压的TL431 > 普通齐纳管。
电流采样： 低阻值、低温度系数、高精度的取样电阻（例如1Ω，0.1%或0.05%精度）。
误差放大器： 运放比简单的三极管恒流源精度高很多，选择低失调电压的运放是关键。
温度： 确保电路中的电阻（特别是取样电阻和TL431的电阻）没有过高的功耗，避免因自发热引入的误差。
制作过程中，建议先在面包板上搭建电路进行测试，确认工作正常后再焊接PCB。祝你制作成功！
网友意见
电路百科全书上，以及 DATASHEET 里面都有很多这样的例子。
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第一篇把超导体以及凝聚态物理和耳机音响发烧相结合的散文， B 站上某 UP 主借了俺的创意名也不提， SHAME ON YOU
老麦第一篇真正谈耳机的回答， 以前的回答都是糊弄。 （ 3,000 人赞同了该回答）
老麦第一篇谈及健康的回答， 话题十分沉重 （ 2,000 人赞同了该回答）
老麦第一篇谈及男女关系的回答， 话题也十分沉重 （ 1,500 人赞同了该回答）
老麦私信里面最经常被提问的散文
耳机“调音”及音响终极EQ老法， 孙晓晓兄寥寥几笔就行云流水般勾勒出俺绞尽脑汁也解释不清楚的过程， 可以想象俺初中毕业不是吹牛， 大家深受其害也不是盖的。QQ 音乐也好， 拜动也好， 用的所谓 “声纹”“音纹”“耳纹”都在俺发表这篇散文之后。 顺便说一句而已。大家都是逼出来的。
老麦第一篇认真讨论 AKG 701/702 这个被耳机论坛的大湿翻手为云覆手为雨没钱挣了打为“手办”的经典参考级耳机的直推平反的散文
大耳机AKG K701非常“难推”的真相是什么？-- 麦文学看图说话系列
如果您不巧拥有一付 701/702， 别着急。 2020 俺还有续篇。
贴吧和耳机论坛屁颠屁颠跑来追授俺论坛孤儿称号的网友经常用来取笑俺的一篇低赞回答：
对于耳机，煲机的科学依据是什么？ （ 等 1,297 人赞同了该回答 ）
对于耳机，煲机的科学依据是什么？ （ 等 1,297 人赞同了该回答 ）
如果大家还不记得， 俺强调一下。
耳机要煲机， 这是一个最不要脸的骗局。 不会有任何提升， 只会错过退货期限。
老麦被举报和投诉最多的散文之一， 这是俺的羞耻柱， 请大家尽量不要阅读。
音响和耳机发烧圈的蘑菇原则
老麦单篇散文被赞赏数额最大的之一
实验以后俺不再为耳机乱花钱了。 借用 Wal*mart 的口号， SAVE MONEY LIVE BETTER。
老麦唯一一篇能在 10 秒内读完的散文
【待续】
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