表明全自主的芯片是可以做到28纳米而不是只能做到传言的45或者90纳米的。
怎么说呢,虽然比乐观的7或者14纳米的说法要差一些,但也比传言里最差的情况要好很多,意料之中吧。
更多考虑应该是供货稳定性吧,毕竟国产28nm光刻机今年会出,而且28nm需要的大硅片和光刻胶是有可能实现国产化的——而且这些厂商根本不需要考虑卖到国外,也就不太用担心制裁的问题。
如果把国产28纳米产业链堆起来了,才有机会在2021年完成国产7nm产业链(光刻胶等),那样台积电用不了还可以全国产的7nm。
这对华为来说也是做好长征准备了。
唯制程论是很滑稽的。
我们现在极端关注5/7nm工艺是因为贴身相关,手机和需要长续航的移动穿戴设备对功耗的要求导致其重要性显得特别突出。实际上,在任何可以插电的设备上面,5/7nm工艺就瞬间失去其重要性。
28nm制程作为一个成熟,低成本,高产能储备,低流片费用,多备胎厂家的工艺,对IC设计公司实在是太友好了。实际上,28nm都已经是十分先进的了,像mcu这种十亿级的市场,用的先进的也不过是55nm制程,甚至大多数连55nm都用不到,90nm、130nm制程的产品遍地都是。
有些人觉得我们在5/7nm上面被卡脖子,就好像中国电子制造业就要完蛋了,其实很扯淡。工业界和家电行业才不叼你什么几纳米,性能稳定,算力达标,价格低廉,供货靠谱才是王道。28nm制程在很长一段时间内都能够满足绝大多数芯片的需求。
小学生才计较倚天剑和屠龙刀哪个更厉害,高手拿根牙签都能把你戳成筛子。一个破电视也能搞出粉和黑,纠结这个的人每天早起先给电视磕仨头吗,高呼12nm万岁?可笑
28nm是非常好的工艺,速度上也就比14nm甚至7nm慢15%左右。
我是怎么知道的?我现在的工作之一,就是工艺评估,看穿fab提供的漂亮数字,评估各种实际场景下的真实情况。
28nm作为最后一代主流的平面cmos工艺,集当代科技之大成,唯一缺点在于沟道漏电太大,极端情况下甚至可以达到动态功耗的25%,而现在的大型soc经常只用到了自己的小部分模块,此时其他模块的巨量漏电不可接受。而沟道漏电是平面工艺天生的顽疾,无法解决。
此后的14/16nm finfet工艺则是另起炉灶。相同宽长比的晶体管,16nm的驱动电流甚至是略有下降的!同时,16nm工艺的连线延迟也远大于28nm。这导致在一些特定场景下,16比28还慢。但finfet的沟道漏电只有平面工艺的百分之几,对手机这种长期休眠的产品,简直是不二之选。
价格便宜,工艺成熟稳定,性能足够,产能充裕(非常重要却容易被忽略),电视机又不大在乎功耗(不加风扇就行),干嘛不选28nm?我觉得40nm都够了。
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