台积电表示到 2025 年将拥有 2 纳米技术芯片，背后底气何在？ 第1页

To maintain and strengthen TSMC’s technology leadership, the Company plans to continue investing heavily in R&D. For advanced CMOS logic, the Company’s 3nm and 2nm CMOS nodes continue to progress in the pipeline. In addition, the Company’s reinforced exploratory R&D work is focused on beyond-2nm node and on areas such as 3D transistors, new memory and low-R interconnect, which are on track to establish a solid foundation to feed into technology platforms.^[1]

以上一段是摘自台积电官网的未来研发计划，从这段描述中可以看出，台积电剑指2nm，甚至更先进的工艺。在逼近物理极限的情况下，新工艺研发的难度以及人力和资金的投入，也是呈指数级攀升。在如此艰难的背景下，台积电的底气何在？我认为有如下三点：

当前的先进工艺节点只是商业代号，而非Gate Length或Half-Pitch

如果有人问芯片工艺的中的7nm、5nm指什么？那么我相信很多人都能给出答案--晶体管导电沟道的长度或者栅极宽度，并且很多人也知道，当前的7nm、5nm只是等效工艺节点，而非真正的沟长或者栅宽。

如果进一步问一下这个问题，当前5nm工艺真正的导电沟长或者栅宽是多少呢？恐怕很多人回答不出来了。不卖关子了，IEEE给出的半导体工艺road map数据是比较可信的，从下图中我们可以看到不同时间对应的工艺节点，而这表里对当前工艺节点的英文描述则非常有意思，它没有用“technology nodes”而是用Logic industry "Node Range" Labeling。

一个Labeling可以说准确的表达了工艺命名的现状。

所以从上表中，我们可以看到，5nm工艺节点的Gate Lenght为18nm、3nm为16nm、2.1nm为14nm、1.5nm/1.0nm/0.7nm则均为12nm。在十几纳米的尺度短沟道效应可以用多种手段来克服，而量子隧穿效应并不明显，所以说，台积电说自己在2030年将拥有1nm Labeling的芯片，我也完全相信。

事实上，从集成电路发明以来，工艺节点的定义也在不断发生变化，从最初的Gate Length到现在，几乎抛弃了各种真实参数Gate Length/Half Pitch/Fin Pitch等。虽然当前的工艺命名背离了真实的工艺，但对于台积电、三星等商业公司来说，显然从工艺命名上获得了巨大的商业上的利益和成功。

此为底气一。

雄厚的资金及资源加持

半导体产业链各个环节是非常紧密的，而现阶段全球的半导体巨头也组成了一个巨大的利益共同体。

台积电拥有最先进的EUV光刻机

工欲善其事必先利其器，光刻机作为半导体制造中最重要的设备，拥有与否则决定了一家Fab的工艺上限。

一台最先进的EUV光刻机价值近10亿，而研发EUV光刻机的投入更是天文数字。除了ASML，制造光刻机还有两家公司--尼康和佳能，但这两家都因为投入太高而放弃研发。

EUV光线的能量、破坏性极高，制程的所有零件、材料，样样挑战人类工艺的极限。例如，因为空气分子会干扰EUV光线，生产过程得在真空环境。而且，机械的动作得精确到误差仅以皮秒（兆分之一秒）计。「如果我们交不出EUV的话，摩尔定律就会从此停止，」ASML总裁暨执行长温彼得（Peter Wennink）说。因此，五年前，才会出现让ASML声名大噪的惊天交易--英特尔、台积电、三星等彼此竞争的三大巨头，竟联袂投资ASML41亿、8.38亿、5.03亿欧元。^[2]

反过来，台积电也从ASML可以订购到EUV光刻机，进行新工艺的研发和产能的扩充。

台积电拥有最有钱的客户

但说到TSMC每一代最先的工艺，总少不了一位特殊的客户，那就是苹果。

5nm，3nm甚至是2nm技术都是由苹果和台积电在共同研发，因此苹果在台积电先进工艺的产能拥有牢不可破的地位，将会独占业界最先进的工艺一段时间，吃尽制程红利。同时苹果也是台积电最大的客户，去年为台积电贡献了782.8 亿人民币的营收。

此为底气二。

2025年？三星也可以！

在今年10月份的三星代工论坛2021大会上，三星披露了最新的工艺进展和路线图。三星代工市场策略高级副总裁MoonSoo Kang透露，2GAP工艺会在2025年量产。随着FinFet晶体管结构潜力被挖掘殆尽，未来3nm和2nm将采用GAA晶体管以及2.5D/3D堆叠技术，以实现更好的沟道控制的同时降低功耗。

新技术则为三星台积电的底气三。

为什么要追求先进工艺？

制程工艺的提升，可以带来更高的晶体管密度、更强的性能以及更低的功耗。

我们再回归到工艺制程的原始定义，即芯片7nm，5nm工艺中的7nm，指的是晶体管导电沟道的长度，通常也认为是晶体管的栅极宽度。

那么这个Gate的宽窄为什么会影响性能和功耗呢?先说性能，性能好意味着在一定的时间干更多的事，在处理器里就是更多的运算，我们可以当半导体晶体管每次0/1变化就算一次运算，那么那个红色Gate越宽，两个绿色电极就越远，导致他们直接连通一次的时间就会越长。这就好比一个人在10分钟里做25m往返跑的次数肯定比50m往返跑的次数多一样。所以Gate越小，晶体管一次状态变化的所需时间就会越短，单位时间的工作次数就会越多，一堆晶体管单位时间可做的运算自然就更多，所以性能更好。

再说说功耗。Gate是通过加电压帮助两个绿色电极通电的，而Gate越宽，就需要更高的电压才能导通两极，Gate越窄，导通就更容易，所需的电压也就越低。

而做芯片则是性能，功耗，面积和成本的平衡艺术。如果制程工艺的提升能让芯片在这几方面都更进一步，那么在工艺上投入大量的研发资则是可以理解的。

所以综合以上几个原因，台积电作为半导体制造环节的巨头，2025年量产2nm是有底气的。在摩尔定律放缓的今天，More Moore、More than Moore、Beyond CMOS等新概念层出不穷，为摩尔定律续命。在未来十年，半导体工艺制程依然有相当大的提升空间，所以关于半导体是夕阳产业的论调可以休矣！

参考

1. ^台积电未来研发计划 https://www.tsmc.com/schinese/dedicatedFoundry/technology/future_rd
2. ^ http://www.cw.com.tw/article/article.action?id=5068998

很多人都忘记了，TSMC 将EUV光源250W 突破到了350W这件事了，意味着什么 ? 各位可以去看看有什么帮助...

高光源通过掩模版，再透过一系列镜片排列组成的物镜补偿光学误差，最终精确无误的投射在曝光台上的晶圆表面，精度需要达到纳米级别...

高光源可以提高距离，聚焦就更小，聚焦要小光源就要强....350W 这还不是ASML的专利，是TSMC自行攻破的

这就是TSMC底气...只有TSMC所拥有.....

ASML标准机就是250W....要做到更小就做不了....

台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺获突破：直奔1nm (baidu.com)

刘德音提到，台积电已经EUV光源技术获得突破，功率可达350W，不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺...