问题

为什么网上有人说造EUV光刻机比核弹难?

回答
网上流传的“造EUV光刻机比核弹难”的说法,虽然带有一定的夸张成分,但背后反映了EUV光刻机在技术复杂度、研发难度、制造成本以及国际合作限制等方面确实存在着极其严苛的挑战,许多方面甚至超越了核弹的某些制造环节。

要详细解释为什么会有这样的说法,我们需要从以下几个核心维度进行对比:

1. 技术复杂度与原理差异:

核弹: 核弹的原理是核裂变或核聚变,核心是掌握对放射性物质(如铀235或钚239)进行链式反应的控制。虽然需要极高的物理学、材料科学和工程学知识,但其核心物理过程相对“直观”(虽然实现过程极其复杂)。材料的获取和提炼(如铀浓缩)是关键,但一旦突破了这些瓶颈,后续的工程制造相对有迹可循。
EUV光刻机: EUV光刻机采用的是极紫外光(波长在13.5纳米)来蚀刻芯片上的电路。这是一个全新的、颠覆性的技术路线,其核心困难在于:
光源: 产生稳定、高功率的13.5nm EUV光源极其困难。目前主流采用的是“激光诱导等离子体”(LPP)技术,即用高功率的二氧化碳激光轰击锡液滴,使其汽化产生高温等离子体,从而发出EUV光。这个过程涉及超高功率激光、超高真空、精密液滴控制、等离子体物理等一系列前沿技术,每一步都面临着巨大的挑战。能量转化效率极低,需要输入大量能量才能获得微弱的EUV光。
光学系统: 传统的透镜在EUV波长下几乎完全不透明,因此必须使用“反射式”光学系统。这需要极高精度的反射镜,其表面粗糙度要达到原子级别,且涂覆有特殊的摩尔(multilayer)反射膜(通常是钌/硅多层膜),以实现对EUV光的有效反射。制造和抛光这样的反射镜,以及精确控制它们之间的相对位置和角度,是一个工程上的奇迹。
真空系统: EUV光在大气中会被吸收,因此整个光路系统必须保持极高的真空度,这对材料、密封、泵送等都有极高的要求。
精度与稳定性: 光刻机的精度直接决定了芯片的制程。EUV光刻机需要将数万亿个晶体管图案精确地蚀刻到硅片上,任何微小的抖动、变形都会导致良品率下降。为了达到原子级别的精度,整台机器的结构需要异常稳定,并且配备极其复杂的减震和校准系统。
杂质控制: 任何微小的尘埃、颗粒都会被放大到芯片上,导致短路或断路。因此,整个制造和运行环境必须是超净的。

2. 技术壁垒与知识产权:

核弹: 虽然涉及敏感技术,但核弹的物理原理和相关知识相对公开。很多国家在冷战时期通过自主研发或情报获取,成功掌握了核武器技术。国际上存在一些限制核扩散的条约,但核心技术并非由单一公司或国家垄断。
EUV光刻机: ASML公司(荷兰一家公司)是目前全球唯一能够生产EUV光刻机的公司。它整合了欧洲、美国、日本等众多顶尖科技公司的技术和零部件。例如,光源技术是与德国合作的,高精度反射镜是与美国合作的,而这些合作都有严格的技术保密和出口管制。这形成了一个高度集成的、由一家公司主导的技术生态系统,一旦这个链条断裂,EUV光刻机的生产就会停滞。全球范围内,只有少数几个国家和地区有能力真正掌握和生产高端芯片制造设备,而EUV光刻机是其中的皇冠。

3. 制造成本与供应链复杂性:

核弹: 核弹的制造成本虽然高昂,主要集中在放射性材料的提炼和核试验上。但一次性制造的数量相对较少,且技术迭代速度不如半导体行业快。
EUV光刻机: 一台EUV光刻机的价格高达数亿美元(约合1.5亿至2亿美元,甚至更高)。其生产周期长达一年半到两年,涉及超过数千家供应商提供数万个零部件。其中许多零部件的精度和特殊性是前所未有的,例如用于聚焦和扫描的光学元件、真空泵、激光器等。这些供应商本身也需要具备极高的技术能力和生产能力,且大多是垄断性的。一旦某个关键供应商出现问题,整个生产都会受到影响。供应链的复杂性和脆弱性是EUV光刻机制造的一大挑战。

4. 研发周期与迭代速度:

核弹: 核弹的研发是一个漫长而艰苦的过程,但一旦成功,核心技术相对稳定。
EUV光刻机: EUV光刻机的研发历时数十年,期间克服了无数技术难题。其研发和改进是一个持续不断的过程,需要不断提升光源功率、光学精度、扫描速度等,以满足更先进的芯片制造需求。技术迭代速度快,对研发投入和人才的要求极高。

5. 国际合作与出口管制:

核弹: 虽然有核不扩散条约,但技术转移和合作的界限相对模糊,且很多国家拥有自主研发能力。
EUV光刻机: ASML的EUV光刻机受到严格的出口管制,尤其是对中国。这使得有意向的国家在获取技术和设备上面临巨大的政治和贸易阻力。这种人为的技术封锁,使得一些国家即使有资金和理论基础,也难以获得关键技术和设备。

为什么“比核弹难”的说法会流传?

技术前沿性: EUV光刻机代表了人类制造能力的巅峰之一,其涉及的技术领域(如精密光学、等离子体物理、激光技术、超高真空、纳米制造)都是最尖端的,并且是多个学科的深度融合。
“卡脖子”属性: 在全球化背景下,EUV光刻机成为了国家科技竞争的焦点。它直接关系到芯片产业的命脉,而芯片是现代信息技术、人工智能、通信等所有高科技产业的基石。能够自主生产EUV光刻机,就等于掌握了先进半导体制造的“咽喉”。
依赖性与垄断性: 单一公司的垄断地位,使得EUV光刻机制造具有极强的“卡脖子”属性。不像核弹,理论上掌握了基本物理原理就可以尝试自主研发(虽然难度极大),EUV光刻机则高度依赖ASML及其供应链上的少数企业。
无形的技术壁垒: 核弹的“难”更多在于材料获取和初始的物理过程突破。而EUV光刻机的“难”则体现在极其精密的工程实现、极其苛刻的制造公差控制、极其稳定的运行条件以及极其复杂的供应链管理。这些“难”是累积的、精细的、且往往是难以用简单公式描述的工程智慧。

总结来说,认为造EUV光刻机比核弹难,主要是因为:

EUV光刻机涉及更多跨学科的尖端技术,并且这些技术的融合和实现难度极高。
EUV光刻机的制造高度依赖于一个由少数公司组成的、技术密集且难以复制的生态系统,具有极强的“卡脖子”属性。
其对材料、工艺、精度、稳定性的要求达到了前所未有的级别。
国际间的技术封锁和出口管制使得获取关键技术和设备异常困难。

虽然核弹制造也极其复杂和危险,但从技术集成的广度、供应链的精细程度、对人类工程制造极限的挑战以及全球范围内的技术垄断程度来看,EUV光刻机的制造确实在某些层面上展现了比核弹更为棘手的挑战性。

网友意见

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简短回答:言者拿最先进的光刻机和最初级的核弹比,当然是比不出来的。

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(暴论)

大前提:众所周知,中国能造的东西,都是容易造的,没技术含量。中国造不出来的东西都是高科技,是现代工业皇冠上的明珠。

小前提:中国现在能造核弹,不能造EUV光刻机

结论:EUV光刻机比核弹难造

Q.E.D.

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造一两颗核弹和持续不断地造核弹,难度完全不同。

造“小男孩”和造W88,难度完全不同。

中国现在能持续不断造W88级别的核弹。

这意味着什么呢?

要从头开始建立一个新的采矿门类。从探矿开始,选矿、精炼、提纯、储存,全都要从头开始研究。

武器级核材料,需要使用极高转速的离心机来提纯。这本身就是一种难做的设备。

很多人会以为你拥有了武器级核材料,再加上大学物理里面的一些粗浅的知识,摸索摸索就可以造核弹了。那种核弹,大概只是相当于几百微米级的芯片生产线。

最初级的核弹,需要巨大的核材料用量,核材料必须超过临界体积才能发生链式反应。最终真正参与反应的核材料的比例很低,绝大多数核材料都在最初的链式反应中被炸飞了。

这样的核弹重量和体积都很大,投放极其困难。即使放到弹道导弹上,也是一枚导弹一个弹头,而且只是原子弹,威力也比较有限。要做多弹头核弹,要做氢弹,就一定要缩小核弹的

那么很显然,大家会想一个问题:既然核弹中实际参与链式反应的核材料非常少,那么能不能少用一点呢?

为了少用核材料,就需要有多次核试验,拿超级计算机模拟核弹引爆的过程,寻找最合适的构造。

各种特殊的部件、材料,集结在一起,成为了核工业体系。你从来不会听说有什么“光刻机工业体系”,对吧。

无数的科学家和工程师集结在一起才撑起了一个工业体系和研发体系,才能做出来捍卫国家安全的最关键的一道防线。

光刻机还远远没有达到这种复杂度。

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总是看到有人说,EUV光刻机很难做。他们说它涉及数以十万计的部件,来自于十几个国家,根本不是一个国家能做出来的。

其实吧,中国理工科的本专科毕业生超过美国已经很多年了。

美国3亿多人口没办法全自产,不代表中国14亿人口没办法全自产。

甚至来说,美国大约也只是没这个必要全自产,而不是完全没有能力全自产。

ASML在2019年研发开支是19.7亿欧元,约合人民币160亿人民币。浸润式光刻机大约是2004年立项的,那时候还只是45nm水平。这个水平中国目前也能做到。料敌从宽,研发光刻机大约要花不超过160亿乘16年,就是2560亿人民币。

假定我们缺乏很多上游零部件,需要多花一倍的钱,也就是差不多5000亿人民币。花10年的话,每年也就是500亿。为了10年接近国际一流水平,我们再翻个倍,每年1000亿。大概就是每年财政收入的0.5%。还是可以承受的。实际上应该并不需要花这么多钱,尤其是考虑到很多是可以获得回报的投资。

中国的工程师红利还能吃很多年,虽然对于具体的一个工程师未必是好事,但对于中国整体而言,要达到光刻机的先进水平,估计也只是不到10年的时间罢了。

我觉得吧,两弹一星的年代大约已经离我们太远了,太多人都已经忘记了举国体制的能量。如今举国强攻,形式当然与过去已有很大不同。这件事也许可以让我们重新理解国朝集中力量进行突破时会有怎样的效果。

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因为“有人”既没造过核弹,又没造过光刻机。

因为美国爸爸天下第一,所以美国爸爸有的就是明珠

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所谓中国造不出芯片和光刻机,是说中国现在造不出7nm的芯片和EUV光刻机,28nm的芯片和50nm以上的光刻机完全可以造。

半导体性能每18个月翻一倍,中国也就落后个三五年而已,各位看看自己身边,3年前的电子设备有多少?5年前的也不是不能用。

所谓“造不出”的意思是在商业逻辑下造不出有利可图的最先进产品,所以没有市场而已。

一旦军事逻辑代替商业逻辑,中国可以在两三年内搞定电子产品的自主生产,性能也就倒退三五年,性能不够数量凑就完事了。

但是你没有核武器,两三年内能造出三位一体核威慑么?即使能造出来,核武器扬了你全家也就需要两三个小时,会等你两三年?

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你不需要造出最先进的核弹,一样可以威慑别人。

但你造光刻机的话,一定要造出最好的,否则没有厂家愿意用你的。


话说,差点的光刻机咱又不是没有。

只是在大多数人眼里,差点的光刻机,能叫光刻机吗?那叫垃圾。

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难度不是一个数量级的

一阶,填补空白,我们能造这个,一年造几个或许几十个的,靠工匠精神牺牲精神堆人堆手工。零件万中选一最后凑成堪用成品。

二阶,我们能少量的造,半手工业的实验室制法小批量制造。甚至院士亲自带头动手操作,这样产量能有一年几百几千个。可能这批几个和那批几个细节上都不一样。但都能用。

三阶,我们能像生产T-34坦克海一样大量生产。虽然要付出很大代价,但咬咬牙总动员,也能一年几万几十万的爆产量。

四阶、我们能像切香肠一样想造多少就造生产。但还是受到投入产出约束,不小心的话,造钞票也能造亏了。

五阶,造印钞机,站着挣钱。别人买到了我们的印钞机回家,欢天喜地回家开动印钞机。



按公开回忆录的解密数据看:

我国6070年代发展、80年代初完成定型的6XX系列弹头,相当于美国六十年代的同级核弹头。我国80年代发展、90年代初完成定型的5XX系列弹头,相当于美国八十年代的同级最先进核弹头。然后呢,大家都没有更加新的了。

五常的核弹头大抵可以认为相当于停留在1990年,相当于三十年了。印度、巴基斯坦、南非/以色列、朝鲜,大抵相当于美国五十年代裂变核弹头。相当于六十年前。五强造核武器也不过相当于二阶的小批量生产,那几个就相当于一阶而已。


光刻机,别说60年前,哪怕50年前,压根不是高科技环节,还是手工工场时代。英特尔1970年前后当时是直接买民用发烧友级的16毫米摄像镜头,拆出来就能用了。GCA等当时光刻机企业也是做主业做相机的时候兼做光刻机。

可就是70年代这段时间,光刻机从相当于工匠手敲,升级成数控机床了。步进投影光刻机就是数控机床。

这时候中国半导体之母谢希德等科技领军人物,正带着“反动学术权威”“外国特务”之类帽子在牛棚拔草、扫厕所当劳改犯呢。等拨乱反正以后他们出来一看,西方靠工业水平的降维打击,已经完全摧毁了中国企图“机器不行、靠巧手回天”的可能性。

PS 大家空谈芯片投入之前,最好自己查一下,是到了80年代的哪一年终于解决了同一批晶体管的放大率一致性问题。

美国从产生这个问题到解决也就花了五年不到的时间。我们从最初半导体研究几乎同步(靠那批归来科学家),也几乎同时发现这个问题,到最终解决,花了二十多年的时间。明明走路不摔跤都没解决,就想着我们只比奥运会跑步冠军差一点点而已,只要XXX,就能XXXX,这个想法是不严肃的。


光刻机在70年代初还是玩具级别的简单结构,连螺丝在内不到一百个零件的那种。70年代末是个每个环节都基于顶级工业母鸡的数控机床。

中国80年代有没有研制过步进投影光刻机呢,有。努力到1985年仿制出一台相当于GCA4800DSW(1978年美国量产品)的样机,努力到1990年又仿制出一台相当于GCA8000的光刻机(1984年美国量产品)的样机。根本不存在造不如买,不肯投钱研制。问题是,集中全国的人力物力财力造出的样机,步进电机马达有寿命、轴承会磨损,最高级的工业母机的易耗件,中国都没能力批量生产以作替换,当然更别提批量生产步进投影光刻机了。样机每个零件都无法量产,是靠圈出几万几十万个然后再手工筛选出勉强有一两个合用的。

有这功夫肯定先投入制造一台更急需的高级的工业母机,毕竟,中国1990年才能生产四轴联动机床(不要提精度,填补这个门类空白而已),2003年才能量产五坐标五轴联动机床(不要提精度,填补这个门类空白而已,浑身进口件的好像早两年),高精度的高级的工业母机,中国要到2014年以后才基本解决。这根本不是微电子半导体部门自己能解决的问题了。

中国的精密机床、精细化工、精密光学都是什么时代才勉强追赶上世界第一梯队水平的?就这几年而已。

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说谁比谁难只是感觉上的定性说法,定量判断不好说。对方能力变强了,自己也要进步。真理也要发展。芯片也要不断发展,制程、架构、材料。

上海微电子已经有90nm分辨率的光刻机,DUV光刻机(深紫外线,193nm 波长的光源)。 DUV 理论上能达到10nm甚至7nm分辨率,结合浸没式曝光、多重曝光技术,台积电能做到。

波长更短的EUV光刻机(极紫外线,波长13.5nm)现在是在攻关,预计到2030年实现EUV光刻机自主生产。ASML的EUV光刻机2016实现对下游供货。

上海微电子预计将于2021年前交付首台国产28nm的浸没式(immersion)光刻机[1]

在EUV曝光系统方面,长春光机所于2002年研制国内第一套EUV光刻原理装置,于2016年成功研制了波像差优于0.85 nm RMS的两镜EUV光刻物镜系统,2017年32nm线宽的13.5nm极紫外光EUV光刻曝光系统通过验收[1]

只要有技术路线,把任务分解了,有资金投入,还是会推进的。现在光源、镜片、对准、光刻胶分给各个科研院所、企业去研究攻关。

荷兰ASML 从 1999 年开始研发 EUV 光刻机,原来是计划在 2004 年推出产品。但是直到 2010 年 ASML 才研发出第一台 EUV 原型机, 2016 年才实现下游客户的供货,比预计时间晚了十几年。直到2019年,第一款7nm EUV 工艺的芯片 Exynos 9825 才正式商用[2]

EUV 光刻机面市时间的延后主要有两大方面的原因,一是所需的光源功率迟迟无法达到 250 瓦的工作功率需求,二是光学透镜、反射镜系统对于光学精度的要求极高,生产难度极大[2]

只是前道光刻机受限

光刻机根据用途分为三类:用于生产芯片的前道光刻机,有用于封装的后道光刻机,还有用于LED制造领域的投影光刻机。在前道光刻机方面严重依赖进口,但在后道光刻机和投影光刻机方面,国内厂商还是颇为可圈可点的——到2017年,上海微电子的后道光刻机在国内市场占有率超过80%,全球市场占有率为40%;用于LED制造的投影光刻机的市场占有率为20%[3]

一. 光源功率

EUV光源是用激光打在锡液滴上产生的13.5纳米波长的极紫外光。

Cymer是光刻机光源的重要供应商之一(已经被ASML收购了),已推出一系列产品,包括氟 化氪( Krypton Fluoride , Kr F )光源、氟化氩( Argon Fluoride , Ar F )光源和极紫外光源[4] 。ASML公司和 Gigaphoton 公司的 EUV 光源设备均可输出 250 W 较为稳定的 EUV 光,最大值甚至可以达到375 W[5]

哈尔滨工业大学方面负责的DPP-EUV光源已经到了接近12 W的水平,相当于ASML2009年的水平[6]

EUV光刻机的电-光转换效率极低,低到0.02%。EUV光线传播耗损极大,需要用反射镜代替透镜。

对于未来 3 nm 节点的光刻技术,EUV 光源的功率需要提升到 500 W。1 nm 节点的光刻技术需要 1 kW功率的 EUV 光源[5]

二. 物镜系统

另一个原因是光刻机反射镜系统。

下图可以看到光刻机物镜的复杂程度。

光刻需要让紫外光经过掩膜版,把图案精确的聚集到基片上。对高精度的光刻,图案的畸变要求小于几nm甚至1nm。为了补偿畸变,需要对透镜或者反射镜精确调节。以前是对透镜或者反射镜的微元进行调节,现在比较先进的方法,对透镜或者反射镜进行温度控制来调节光路。

长春光机所在做物镜方面的工作。

看有的帖子说,有的家族祖孙三代都是打磨镜片的,打磨镜片的要求很高。

三. 对准

每次光刻,掩膜版的图像要与基片对准,误差甚至要小于1nm。

做第一次光刻时,在硅片上做出标记。后面光刻时候,把掩膜版的图像上的标记与基片上的标记对准。


DUV光刻胶,国内有大概五家在做,市场占有率不高。EUV光刻胶,有一家公司在研究。


降低制程的方法:降低光源波长,浸没式光刻(液体折射率使得光波长变短),多重曝光

浸没式光刻能降低制程。在镜头与晶圆曝光区域之间,充满高折射率的水,水对193nm的紫外光折射率为1.44,从而实现在水中等效波长为134nm,实现45nm以下制程[7]

多重曝光提高精度

一种做法是如LELE(litho-etch-litho-etch)。简单讲,就是做两次光刻,把掩模版的位置错开。相邻的金属线如果做在同一层光掩膜版上,彼此之间就不能做的很近,但如果相邻金属线做在两层不同的光掩模版上的话,彼此之间就可以非常靠近。这样,我们只要把靠近的金属分布在两层不同的光掩模版上,就可以达到之前想要达到的效果[8]

另一种SADP(自对准双重成像技术)。先通过较低精度的光刻,做出突起的光刻胶保护层(mandrel)。再在“mandrel”的表面和侧面沉积一层厚度相对比较均匀的薄膜“spacer”。使用离子刻蚀工艺把沉积的“spacer”材料再刻蚀掉。由于“mandrel”侧壁的几何效应,沉积在图形两侧的”spacer”材料会残留下来。“spacer”图形的间距是”mandrel”间距的一半,实现了空间图形密度的倍增[9]

参考

  1. ^ a b https://news.tianyancha.com/ll_7hq00o8u5p.html
  2. ^ a b https://zhidao.baidu.com/daily/view?id=184382
  3. ^ http://m.kdnet.net/share-12432268.html?sform=club
  4. ^ 徐象如. 高数值孔径投影光刻物镜像质补偿策略与偏振像差研究[D].中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,2017.
  5. ^ a b 宗楠,胡蔚敏,王志敏,王小军,张申金,薄勇,彭钦军,许祖彦.激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展[J].中国光学,2020,13(01):28-42.
  6. ^如何看待长春光机所euv光刻机进展? - 知乎 https://www.zhihu.com/question/395852146
  7. ^ https://baijiahao.baidu.com/s?id=1676533090262160128&wfr=spider&for=pc
  8. ^ https://www.sohu.com/a/117166722_485357
  9. ^ https://baike.baidu.com/item/%E8%87%AA%E5%AF%B9%E5%87%86%E5%8F%8C%E9%87%8D%E6%88%90%E5%83%8F%E6%8A%80%E6%9C%AF/22341373?fr=aladdin
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是瞬间获得核弹技术,还是光刻机技术。

你是国家元首,你选哪个?

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自打我出生。什么什么东西是工业皇冠上耀眼的明珠你中国人给你一百年也造不出来这种话我听的没有一百也有好几十了。我就寻思你这工业皇冠得有多大咋镶那么多珠子?到底啥才是明珠能不能给个准信?

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光刻机我们都知道可见的未来我们一定能造出来,但是核武器,第二代第三代核武器可见的未来除了中美俄法英谁也造不出来。

是我们现在造光刻机难,还是在那个全国都没多少知识分子的年代造核武器难?造核武器我们勒紧裤腰带,多少顶级科学家隐姓埋名,多少工程师,科学家,军人十几年如一日的扎根戈壁。光刻机能有这待遇?连个部委牵头都没有,你说谁更重要谁更难?

也不知道是现在的小布尔乔亚们飘了,还是以前的共和国英雄们逝去太久让人们失去了敬畏感。敢拿光刻机的难度和原子弹相比了,先试试能不能用算盘当计算机使吧。

这么多年了,共和国的前辈们一遍遍的用事实告诉我们,外国人能造出来的我们也能造出来,可是有些买办总是一遍遍的告诉我们中国能造的都是垃圾白菜,中国不能造的都是天顶星。他们死命的诋毁我们能造的,甚至想把原子弹说成大白菜。把圆珠笔芯说成外星科技。

光刻机分等级,核武器也分等级,印度,朝鲜,巴基斯坦的核武器等级换算成可生产90nm芯片的光刻机么?这还是有五常技术转让的前提下,印度从中国爆炸第一颗原子弹开始研发核武器,直到90年代末才五连爆成功,可也只是第一代核武器,又三十年过去了,印度还是没发现出第二代核武器,第二代核武器,尤其是小型化武器化的第二代核武器,好像现在的英国也没有,英国核潜艇使用的是美国三叉戟。至于第三代,甚至影影若现的第四代,五常也不剩几个了。

当然光刻机确实很难,但是和核武器比,还不配。

评论这么多,基本都是反对的,可是反对你们也拿出个比我说的更有说服力的理由,光刻机是人类最精密的创造,不做限制初中生都能造出原子弹的话都说出来了,你们是我的友军吧。

如果真有大佬引用文献,列数据,详细对比生产5nm甚至将来3nm,1nm芯片的光刻机和第三代甚至第四代核武器难度,得出结论光刻机更难,我绝对尊重科学,大是大非面前也要讲科学。

可是目前说我自嗨,说我无知的,貌似也没什么过硬的论据吧。无非和我一样从政治,社会层面侧面论证,既然如此众位为何要引申到人身攻击呢?假如对于核武器和光刻机总知识量一百,我可能只有0.00001,在座诸位大神0.0001,但是这还不足以让诸位对我有莫名其妙的优越感。

各位大佬别再拿朝鲜,伊朗,巴基斯坦,印度的核武器说事了,总不能老是光刻机就拿商业化生产5nm芯片的2020年水平的光刻机,核武器就拿六七十年前水平第一代的说事吧,好歹都拿最先进的比。拿电子管计算机和i9对比你们是认真的么?

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原子弹是什么?是真理,能说服所有人的真理。获得真理是不计成本的。

光刻机是什么?是生意,生意就要挣钱。想挣钱的产品就必须技术上有市场,价格上能承受。

所以逻辑很简单,你必须有说服人的能力才有机会做生意。

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你说的应该是asml公司的EUV光刻机。光源是13.5纳米的极短紫外光,又被称为软x光。

这么一台光刻机,由光源和扫描器组成,其中光源的设计和专利是美国的,光源20%的核心部件全世界只有美国能生产。其中高功率激光器是德国的技术。某些核心电子设备有爱尔兰,荷兰,德国等国的公司提供。

这么说吧,如果荷兰,德国哪一天对美国进行技术封锁,那么美国自己也造不出光刻机。反之也一样。

世界上能独立造出氢弹的国家有五个,但世界上能独立造出光刻机的国家没有。如果考虑到光刻所需的光刻胶是日本的,最先进的制程是台积电的。可以这么说,能够独立刻出5nm芯片的国家,在蓝星不存在!一个都没有!

EUV光刻机只是这几年才真正能够赚钱,从1983年开始研发整整25年都是在亏钱,而且它是美欧日在国力最强,闲钱最多,人才最好的时代积累出来的成熟技术。为什么有人会觉得它的实现比60年代就能有五个国家独立完成的氢弹技术还容易?

光刻技术并不是一种孤立的技术,从材料科学,到工程软件,从机械设计到激光等离子体,从高频控制到cmos相机……它如同盖房子一样是一层一层盖起来的。它背后是欧美日成千上万的科学家和工程师几十年的努力成果。

我一直都在强调,中国现在还不能在光刻技术上闭门造车的道路。还是要力求政治上突破,寻求合作。即便美国无法争取,也要争取欧洲。指望一切靠自己,是走不通的。欧美至少要争取到一方愿意好好做生意,有正常的技术交流,对中国而言在技术上有所突破都是可待的。反之,如果欧洲也跟美国一样,全面围堵中国,封锁一切相关技术,那中国的半导体产业就真麻烦了。这东西不是氢弹,现在的中国真搞不定。

不过好消息是,美欧没那么铁,所以依然还是乐观的。

技术上的很多东西其实不仅仅是技术的问题。如果早年没有苏联援助帮助中国建立工业体系,氢弹就别想了!现在很多人觉得中国造氢弹仅仅是一个科技问题,仅仅是新中国第一代科研工作者的伟大成就。这是不对的!事情都是联系在一起的,如果没有朝鲜战场大字不识一个的战士抛头颅洒热血跟美国五五开,苏联没有任何可能会帮中国建立工业体系。苏联对中国的援助其实是史无前例的。当然,还是要感谢苏联领导人当时的慷慨。氢弹研究成功的背后还有建国初期被所谓“剪刀差”政策付出巨大代价的农民。勒紧裤腰带对于科学家来说可能就是少吃几顿肉,对农民而已有可能就是一条性命。

再比如中国的航母能够这么快就具有实战能力得益于乌克兰拖来的“辽宁号”。军工工作者固然很努力,但如果没有政治上的突破,没有辽宁舰和图纸,中国的航母还要至少七八年才能有实战能力。如此一来,今日在南海和台湾问题上中国不知道又要多么的被动。

同理半导体技术也不仅仅是一个科技问题,它最终的解决方法估计还是要在政治上突破。我乐观的原因并不是因为中国的科技水平真的能够在短时间超越欧美日,我乐观的地方在于,中国政府在政治上的可以用一句话来说,那就是,士有弘毅,不屈不挠,整个世界绝无仅有!

有人奇怪为什么日本,韩国,甚至台湾都可以在半导体领域占有一席之地甚至其产业中的位置远超中国。这并不是因为中国政府不作为,也不是因为中国大陆人不努力,1996年7月33个主要的西方国家签订的《瓦森纳公约》对中国禁运了一切有关半导体产业的先进技术甚至产品。

作为对比,80年代美国开始牵头研究EUV光刻的时候,因为跟日本的贸易战把日本的半导体公司排除在外。所以大家可以看到,今天日本的光刻机产业全面萎缩,连duv光刻机所占份额都低于10%。

而中国一直都被封锁着,所以技术上落后其实是理所应当。但中国政府顶住了种种压力,在最艰苦的时候也没有放弃自己的底线。所以今天每一个中国在技术领域上的突破和超越都在全方位地动摇西方世界的霸权。

光刻机以及相关光刻技术可以说是西方或者美国霸权最后的堡垒,只要攻破它,整个西方在科技领域就无险可守。许多人觉得中国政府不作为,其实回过头来看,中国这些年一个堡垒一个堡垒的都攻破了,大飞机,高铁,超级计算机,北斗系统,中国政府不是无所作为而是在封锁下取得技术突破太他×的难了!

今天美国无论对任何一个所谓的发达国家哪怕只用《瓦森纳协定》级别的技术封锁都足以让这个国家丧失活力。更不要说近日来丧心病狂式的全面封锁。

所以作为中国人其实也大可不必太悲观,技术封锁二十多年了,但是西方阵营既不友爱也不团结,插朋友两刀的事层出不穷。如果西方国家铁板一块,就不会有一战二战,世界今天还是以欧洲为中心。因此,只要中国保持足够的战略定力,就一定能找到机会。

因此单纯从技术上分析说中国差了多少年并不代表实际情况。如果在1949年分析中国技术上距离造出氢弹差多少年,这个年份可能超过一百年。但是最终也就二十年就搞定。而这可不是仅仅靠中国科研工作者埋头苦干,一点一点追赶得来的。本质上是这个成就政治上的突破的结果。

以今日美国政治的混乱,欧美的离心离德,破绽只会越来越多。科技不是不能当政治牌来打,只是当有一方打出科技封锁的牌并不意味着其强大而恰恰意味着其困窘,因为他已经无牌可打,无招可用。而且自身的科技活力也已经不足依靠公平竞争无法取胜,所以才要用下三滥手段,封锁之下再加新的封锁。

我相信中国在半导体行业的突破不会太久,会大大低于技术上真实差距的时间。但还是那句话,技术上确实差距太大,所以单纯靠自己加大投入鼓励创新是万万不够。

以氢弹来类比也对也不对,对的地方在于,最终中国在芯片制造上的突破确实很可能如氢弹一样石破天惊,不对的地方在于,以技术总量来说,光刻机确实比氢弹复杂,涉及的产业更多,更广。

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这俩玩意你拿来比本身就是个笑话

核弹是需要举国之力来做的

做出来是要保家卫国的,资源,电力,科学家,不计代价的投入,搞出来这个东西,让别人看着你绕着走

光刻机这个玩意,虽然说很重要,可问题是这是个商业化的东西,你要考虑投入产出比的。你举国之力弄出来之后呢?你卖不卖?你卖给谁?你卖多少钱?一年卖一台给华为呗?

总有人在说光刻机难啊,需要日本的材料美国的技术荷兰的科学家巴拉巴拉的,你们真以为这玩意美国想自己造造不出来?还是日本自己造不出来?只不过这东西一年也卖不出去三台,大家合起伙来弄成本最低,还能最大限度的锁死技术,让别人造无可造。

这根本就不是能放到一起比的东西啊

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这个问题其实就是理科和工科的对比,工科的实践能力的难度远远高于理科。能偷窃理论,抄袭不了实践能力。能偷窃魔术,偷窃不到刘谦的魔术水平。


这也就是为什么华为只能设计芯片,而没有加工能力。就刘谦的魔术,表演一次观众也就知道了原理,知道原理有什么用?能象刘谦那么高超的表演吗?


那怎么办?就得认认真真的花钱培养。花钱买帅哥,象刘谦这么帅的。花钱买勤奋,象刘谦这么勤奋的。给他吃日本和牛,给他穿世界名牌,给他安排小美女陪他玩,给他买资生堂,还要给他买萝卜丁口红……还要给他买别墅带游泳池的……


哎呀,一个魔术而已,还要这么多钱呀!算了吧,算了吧!


核弹是有,氢弹也有。你有个夏利,人家早就是特斯拉了。当然,夏利也是车,那,马车是不是车?自行车也是车嘛!手推车还是车呢?车,我们早就有的……

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你球太久没进行过先进核试验了,以至于一帮躺在核武器庇护伞下的憨憨们开始怀疑自己头上这把伞的含金量了。

几个核大国于1996年默契的全面禁止了核试验,此后仅有印度、巴基斯坦、朝鲜三个弱鸡有核国家进行了一些相当于50~60年前美国核武器水平的核试验,这可能是他们认为核武器含金量不足的原因,毕竟现在根本没人知道核大国的计算机里的模拟核试验搞到哪一步了。

不过没关系,你球还是有机会再见人造太阳的,最近正彼此看不顺眼的中国和美国都没批准《全面禁止核试验条约》,日后虽不至于互甩核弹,但相互针对对方搞一搞核试验还是有一定可能的。

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美国人造出来了,中国没造出来,嗯,这个技术是黑科技,比登天还难。

美国人造出来了,中国人也造出来了,嗯,中国人偷的美国技术。

中国人造出来了,美国人没造出来,这个技术没用,美国不想搞。

这就是一部分国人的思维逻辑,他们有一个共同的名称:美分。

EUV光刻机中国目前确实没造出来,就和前几年说中国造不出来圆珠笔笔芯一样。还往前面有说飞机发动机的,有说高铁的,有说航母的,有说隐形战机的……反正,不同时期有不同版本。当中国搞出来了以后,就会换一种说辞:中国偷的技术。

要不然,就是没用说,比如5G。

这些人从不会正面承认中国人取得的成就,能踩就踩,不能踩就黑。目的就只有一个:将中国贬低,拔高西方主子,这样,他才有优越感。

所以将光刻机说成比核弹还难的,就是第一个版本。

光刻机难不难?我觉得难。但要和核武器比难度,那就是扯淡。

ASML是荷兰的,中美德英日意都没有,难道是荷兰的科研实力最强?但荷兰没有核武器。

其实,发展光刻机的关键在于市场需求,这毕竟是toB的业务,是面向晶圆厂的专用设备,如果晶圆厂没有需求,研发出来也是没用的。

在此以前,7纳米工艺用DUV光刻机就行了,如果再发展5纳米以上精度的制程,EUV光刻机才有市场。从这个角度来讲,5纳米工艺需求只有台积电和三星。而这两家都是ASML的合作伙伴。除此之外,极紫光光刻机是没有市场的。

那么,一个没有多少市场需求的设备,有谁愿意投入巨资来研发呢?所以,大家都没投资研发,怎么会有新的EUV光刻机出现?

正是基于成本和市场需求的综合考虑,全球的光刻机提供商也是屈指可数,日本有尼康和佳能,中国有上微,欧洲有ASML(前身是飞利浦子公司)。研发EUV光刻机的公司就更少了。

但是,现在中国半导体产业因为美国的技术封锁,被EUV光刻机卡脖子了,会对芯片高端化产生巨大影响,国家就会投入资金和人才来做技术攻关,我敢说,不出两年,中国就会有自己的EUV光刻机。

要相信一点,只要前面有已实现的真实案例,中国人就能搞出来,光刻机没大家想的那么高不可攀。

到目前为止,EUV光刻机制造的手机处理器有苹果A13仿生处理器,华为海思麒麟990处理器两款。麒麟985、麒麟820、高通骁龙865、骁龙765G、骁龙768G处理器是第台积电第一代7nm+DUV(深紫光光刻机)制造。

搭载台积电5纳米工艺制造的A14仿生处理器的手机,主要是iPhone 12系列:




搭载A13仿生处理器的手机有iPhone 11系列和iPhone SE(二代):



搭载麒麟990处理器的旗舰手机有:




搭载骁龙865处理器的旗舰手机有:



以上均来自于京东自营官方旗舰店,给大家作为买手机是参考比较。

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研制光刻机难还是打败美国难?


要说难,肯定是核弹难,因为核弹(特别是氢弹以上的核弹)的关键技术环节很多国家都不敢懂,最差的核弹都造不出来。而光刻机的关键技术环节大家都懂,稍微差一点的光刻机很多国家包括中国也都能造。

但使用的场所不同,决定了核弹差一点无所谓,光刻机差一点就不行。核弹是用在战场的,次一点的核弹,敌人最多少死几个,只是量变。光刻机是用在充分竞争的市场的,次一点的光刻机,可是一点机会都没有,这是质变。

因此,正确的说法是造最好的光刻机比造核弹难。特别是中国这种被其他先进国家联合搞技术封锁的国家。

但也不用气馁,因为中国一定能造出最好的光刻机,很多国家却永远也造不出核弹。

等中国造出了最好的光刻机,估计有人会说煮最好吃的米饭比造光刻机难,酿最好喝的葡萄酒比造光刻机难,造最昂贵的包包比造光刻机难……

让丫的闭嘴最难!


评论里居然有人说我是文科生没逻辑,来,看看什么是逻辑。

什么是造A比造B难,就是造A的资源比造B掌握的少。

技术难大于实现难,知道怎么造才能开始制造。

懂理论不一定懂关键技术环节,任何一个学理工科的学生都应该知道,知道了理论到探索出某一现象之间的巨大差异。对,核弹就是E=mc²,特简单,然后呢?

把造光刻机与造核弹的关键技术环节掌握程度相比较,造光刻机的原理网上一搜一大把,详尽到了每个关键环节的实现方法,比如如何涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀,每一项技术都有详尽的论文进行探讨,甚至零部件的实物和图纸都一应俱全。

而造核弹,特别是聚变实,请问除了知道用原子弹的能量压缩聚变材料产生高温高压这个大的理论方向外,能看到氢弹的真实构型么,能得到核弹的零部件的图纸么,你能搜到二相弹,三相弹,中子弹的内部构造照片么?

光刻机是成熟的民用商品,有通用零部件的完整供应链条,有货架级的操作系统,有稳定的需求市场。有上百万相关技术人才,全球每年几百上千亿美元的市场规模。

核弹是机密的军用武器,技术工艺未知,零部件没有通用性,原料获得受限,人才规模几万人,花费巨大,光美国每年所需资金都是上千亿美元。

要说封锁,对核武器的国际封锁网比对光刻机的封锁严密多了。

哪个更难?

这TM才是逻辑。

还有些双标侠,拿EUV光刻机和朝鲜核弹比,最好的光刻机和最差的核弹有可比性么?


很多人被EUV光刻机的系统复杂性吓怕了,但在绝大部分关键环节技术大部分都掌握的前提下,只是改进工艺积累经验需要时间,没有无法突破的难点,假以时日,EUV光刻机甚至是弯道超车的更先进芯片制造设备都造的出来。

当然,EUV光刻机造是造的出来,要有竞争力,适应现在的IT市场的生态,换句话说稳定的赚钱也有很大难度,不像核弹,造出来能用就行,但那是另外一个话题,在目前国际围堵中国芯片产业的总体环境下,造的出来是最重要的。

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看了这么多回答,最搞笑的是这个:今天即使把ASML的技术人员、专家聘请到中国来,甚至给我们样机,随便拆,给我们设计图纸,给我们工具,我们同样造不出来。美国的电源,瑞典的轴承,德国的镜头哪弄去?我们的工业基础太薄弱了!

哈哈哈,我都笑出鹅叫声!果然中国造不出的都是天顶星科技,从前的圆珠笔、盾构机、显示屏、高端钢材、航母等等等等都有大量的文章来分析是何等何等的高科技,中国人这辈子是别指望了,然而打脸来的太快,中国已在众多领域取得重大突破,这些LV叫声已经渐渐消停了。

然而特朗普这个我们真正的朋友又一次告诉我们,光刻机这个东西非常难,于是蛰伏已久的键盘侠又活跃起来,喋喋不休的告诉中国人民,光刻机太难了,有十万个零部件,精度要求太高了,三代人才能磨好一个镜头,给图纸都造不了,比核弹都难,大概率自己西去之前是看不到了,言辞之间充满了忧国忧民的悲伤之情,令我等小民心底泛出恨国不成钢之意。

好笑的是如果一年前说起光刻机,大部分人都会皱起眉头:神马玩艺?如果你再说这个东西比核弹难,大概率人家会以关切神经病的眼神看着你:还有什么东西能比镇国神器更难?然而现实就是这么魔幻,现在光刻机已经超越了核弹,甚至皇冠上的明珠航空发动机都黯然失色,光刻机已正式晋升为蓝星第一高科技!

然而这个天顶星科技可以和核弹论难度吗?没法比,不能比,也不需要比。凡是了解五大核国发展核弹历程的人都会给出答案:光刻机做为一种普通的民用技术是无法与核弹这种需集全国政治经济科技四海八荒之力才能搞出的东西相提并论的,无论难度还是重要性,它不配!

可是中国能搞出所谓的纳米光刻机吗?我想凡是对当今中国有正确认识的人都会给出肯定的答案。

这是我关于光刻机的另一个回答:

原文引起争议,添加一个我给网友的回复来进一步说明。

就您的评论来看您还是有着比较强的科学精神的,但您把知乎看错了,媒体平台从来都是媒体平台,不是科学期刊,如果要深入的讨论技术问题和发展方向,去的地方应是研究机构或科学杂志,而不应该来知乎,你见哪个科学大牛在知乎上发表他的最新研究成果?

在知乎大力扩容之后,涌入了大量的用户,这些用户科学素养和政治素养层次不齐,在很多问题上出现截然不同的观点,这些观点不可避免代入个人的政治观点,所以现在知乎的很多回答和问题都是屁股问题,屁股决定脑袋,所以看问题的方向就完全不同。

看明白这点就会明白为什么今年光刻机这个话题突然大火的原因。举个例子,前几年媒体大炒圆珠笔的问题,当时网上各种分析铺天盖地,最后都惊动了中央高层,为此政府和企业不惜违背市场规律,花了很大代价解决了滚珠用钢材等问题,后来看看根本产生不了多大的经济效益,市场容量太小了,日本在这方面的钢材好,用他的不香吗?但无良媒体就是借题炒作,任意发挥,矮化中国制造,抹黑中国的科技工作,甚至上升到中国的体制问题,借此否定中国的政治制度。实际上就光刻机而言,如果货源通畅,中国根本没必要研发这些,把资金省下来用在中国的优势产业或民生项目上不好吗?但现在光刻机进货渠道不通畅,逼的中国只能自主研发光刻机,在这起步的关键时刻,部分媒体和不明群众冷嘲热讽,大加鞭挞,又来当年圆珠笔盾构机航母那一套,是可忍孰不可忍!

固然光刻机是有非常大的难度,但以当今中国雄厚的国力和强大的研发能力,开发出可与阿斯迈尔同级别的光刻机根本不是空想,但现实当中,很多人局限于自己的所见,只根据自己身边的螺栓、电机、仪器等就得出中国无法研发先进光刻机的结论是短视的。

其实把光刻机与核弹相比就有很大问题,它两个根本就不在一个纬度上,根本就无法比较,但这是知乎典型的提法,就问问你是不是!群众自然会得出完全不同的结论,根本不需要深度的技术解读,再说谁能解读的了?所有的回答我没看到真正有价值的部分,包括那个高赞回答并无新意,煽动的口吻与我的回答有何区别?知乎上又有几个资深的光刻机专家?就是有,他对核弹又能理解多少呢?包括你我在内的围观群众对光刻机的研发能有权威回答吗?没有,我们都是键盘侠,我们不过是在胡乱撕咬罢了。

所以我的回答并无太大问题,面对众多观众,你我这样的普通人所做的技术解读并无鸟用,还不如用鼓动的语言给人们以信心,让人们明白别人能做到的我们中国人也一定能够做到!

当然这样的鸡汤文是您所不齿的,但很多时候困境中的人民是需要鸡汤文的鼓舞的,在中国革命最困难的时候,革命领袖的很多文章就能给人以力量,给予向前的勇气,我当然不敢跟他们比,但能发一束光就发一束光,能发一点热就发一点热,在寒冷当中向前进,方不负先贤处江湖之远则忧其君的伟大教导。

您对我提出的质疑都是站在偏窄的角度看待的问题,说了这么多,望您三思。我也累了,作为一个小学都没毕业的没文化人,我要去搬砖了,祝您好运!

再添加我的一条评论!

没想到评论区是民意汹汹,让我这个国家一级抬杠运动员都倒吸一口凉气!

还是先介绍一下我国光刻机的现状吧,上海微电子成立于2002年,是我国光刻机研发生产的主力,公司研发生产了SSX600/SSB500等一系列光刻机,应用于IC前道制造和后道先进封装。2017年4月公司承担的国家02重大专项任务“浸没光刻机关键技术预研项目”通过了国家正式验收,2018年3月90nm光刻机项目通过正式验收,分辨率为90nm的SSA600/20型光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜,工艺自适应调焦调平技术,以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术,可满足IC前道制造90nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。公司即将在2021年交付第一台28nm国产光刻机,采用ARF光源,搭载超精密磁悬浮双工件台和超纯水浸入系统,经过多次曝光,有实现7nm的潜力。而光刻机关键零部件方面,华卓精机成为第二家掌握双工件台核心技术的公司,而长春光机所成功研制了波像差优于0.75nmRMS的两镜EUV光刻物镜系统,构建了EUV光刻曝光装置,在国内首次获得EUV投影光刻线宽32nm的光刻胶曝光图形。

以上就是我国光刻机的研发现状,不难看出,我国光刻机水平目前还处在28---65nm的水平,这与ASML差距在三代左右,差距这么大我们能追上吗?

在这里首先要纠正评论区里的几个错误:1,落后技术无用论,实际上除了手机需要5nm7nm先进制程外,众多的通讯设备电子电器仍然使用着14nm28nm甚至更落后的制程,在中芯国际28nm仍然是主力产品,上微的后道封装光刻机更是大量交付,怎么到了部分评论者嘴里除了ASML别的厂家就不用活了呢?可笑!2,零件进口否定论论,某位网友指出高铁用了某国螺栓,指出连个螺栓都进口何谈核心技术,我就说这些人狭隘到了何等地步!只要供货有保证性价比高哪国零部件不可用?用个外国零部件就影响到我们掌握核心技术了吗?是不是光刻机百分百中国零部件才算中国制造的光刻机?这些人还生活在义和团时代,建议还是去留上辫子吧!3,核弹小儿科论,在这部分人眼里,核弹根本没啥技术含量,印度朝鲜都搞出来有啥难的?建议这些人先去问问卢瑟福爱因斯坦奥本海默于敏等一众物理学家,再去看看美国曼哈顿计划,曼哈顿计划动员了西方最优秀的科学家十几万人,耗资二十亿美元【当时的二十亿!】历时三年才取得成功。中国更是倾全国之力才位列仙班,比初代的光刻机怎么样?就是到今天,核弹小型化氢弹三相弹也是耗尽大国能量才能获得实战能力的,印朝这样的国家仍然举国之力而可望不可及,这样的东西没啥技术含量?当然你非要拿EUV光刻机与朝鲜一吨重的核弹比,算你抬杠成功!奖你一枚脏弹!4,光刻机现在就要论,一看就是抬杠专业,非要中国现在拿出来,不拿出来就是口嗨、键盘、基础太差,你以为是你家母猪生崽?我说的成功起码三五年,您如果等不及可先走着!

我为什么对中国研发出先进光刻机如此有信心?原因就是近四十年中国高速发展带来的雄厚国力和强大的科研力量。中国2019年实现38.6万亿的第二产业增加值,是美日德的总和,在很多领域已经站在世界前端。每年毕业的庞大的理工科人才也是其他国家不能比的。中国强大的资本力量已在芯片产业链投入上万亿元,在此条件下,如果光刻机对中国封锁,强大的国家意志必定会搞出先进的光刻机。

还有很多评论批我口嗨、水、外行,其实就是外行,你们也是外行,你们也是在口嗨,水平还未必有我高,不信有哪一个主持光刻机研发的大拿出来走两步?

不做详细的技术解读正是因为非从业人士,不能做出权威的回答,还不如不说!至于我意淫的权利知乎不禁就毫无问题!

跪久了,老是怀疑自己,这是B啊!得赶紧去治!

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因为网上这些人压根儿就不知道造核弹有多难。

说到底内心依然残余着“只要中国人能造出来,就代表技术落伍了。”这种落后思想。

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这个类比没什么意思,因为核弹的入门门槛并不高,让很多人觉得核弹的技术含量远远不如光刻机,虽然他们并不知道核技术也是分等级的。

正确的类比方式是:我们能造得出J20、055、北斗、DF17、DF26,当然也能造的出光刻机。

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要单说核弹头,技术含量确实比不上光刻机。比如要造一个爆炸当量20万吨级的核弹头,真到爆炸时谁会在意是不是精准的20万吨?链式反应能量大一点小一点都可以。

但光刻机不行,这玩意是要大规模量产集成半导体电路的,不能出差错、耐用性要好、成本不能太高。

我估摸潜射长程导弹技术含量不低。

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造最先进的核弹需要一个伟大的国家。

但最先进的光刻机,除了一个伟大的国家外,还需要几个比较伟大,有点伟大,相对伟大,还算伟大,以及不太伟大的国家。

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核弹又不用担心消费者不满意

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