啊,不好意思,没注意审题,题主问的是chopper input NMOS switch,不是input pair~~~
NMOS switch 不行的话要不先试试CMOS switch或者bootstrap switch ?
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vth是物理定律决定的,除非你有足够大的能量让foundary单独为你调整,而且极有可能会有别的方面的trade-off。所以想要不一样的vth温漂的办法是-----换foundary,或者换process。
话说和PVT作斗争不正是IC工程师最大的乐趣么~~~~
好了回到正题,通常我们只能通过修改电路结构来适应器件的温漂特性。比如说。
1,input增加一级pmos source follower leveling shifting,一来一去基本可以抵消温漂?
2,如果电源电压够高,考虑PMOS input pair或者PMOS input pair + NMOS input pair?
3, 如果你用的工艺衬偏效应比较显著,是不是可以考虑有意识的bulk biasing来缓解vth的温漂?
总之啦,人是活的,办法是想出来的,一个不行再换一个~~~~
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