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等离子刻蚀机中的“source power”以及“bias power”与刻蚀的关系是? 第1页

  

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Source Power,源功率,加在上电极

Bias Power,偏置功率,加下电极,即硅片侧

通过控制Bias Power,即偏置功率,可以增强等离子体的方向性,改变刻蚀过程中的深度,侧墙角度负载效应;

此外还与腔体的压力有交互作用;

刻蚀是一个复杂的过程,除了源功率&偏置功率,使用的气体比例,腔室的压力,刻蚀对象的表面形貌都会同时对结果造成影响

具体可以看 Pulsed plasma etching for semiconductor manufacturing




  

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