这是一个重要技术
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问:现在似乎功率半导体都使用SiC, 而高频采用GaN, 能否稍微向外行的读者介绍下, 对于功率半导体, 为何GaN会比SiC先进一代? 是否有推荐的阅读材料, 一般媒体少有介绍两者的区别.
@王孟源dudu 答:GaN的效率和切換速度都比SiC更高,但是爲了高頻輻射(例如AESA雷達和通信)開發的既有GaN是所謂的Lateral GaN,亦即只在Si或SiC晶片上長很薄一層GaN,結果在電壓(目前只能做到650V)、熱性質和壽命上都完全不能滿足下一代電動車的需求。例如進一步提升充電速度和電路效率最簡單的辦法是提高電壓,BYD剛宣佈用800V的新車,有歐洲設計準備用900V,但是到2025年絕對會有1-2kV的要求,雖然可以用SiC凑合,最好的解決方案還是Vertical GaN,亦即整個晶片都是GaN。參見http://t.cn/A6J3oNfr#[/cp]