世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备宣布研制成功意味着什么？对国内芯片行业有何影响？ 第1页

前面几位的回答已经非常客观了，这种超分辨光刻的突破性和局限性都分析的很到位了，一句话，新型光学器件的加工能力大幅提高，可喜可贺，可是媒体口中的光刻技术弯道超车碾压asml也是极不负责的。光电所自己的人都说这台机器只能做光学器件离芯片还差很远，线宽目前也不处于领先水平，各路媒体强行加戏要分分钟弯道超车赶英超美，光电所自己都知道饭要一口一口吃，这些媒体怕不是想把这些脚踏实地付出汗水的人噎死？难道只有一口吃成个胖子弯道超车才值得宣传报道？这对这些脚踏实地付出汗水的人是一种极大的不尊重。

这里只分享一个小故事。

前几天在一个听了一个叫OptixFab的小公司的老板的报告，这个公司是德国夫琅禾费基金会资助的初创企业，这个作报告的老板是个叫Thorsten的光头大叔，之前在耶拿IOF做euv器件相关研究，几年之前出去创办了这家公司。

这家小公司与其说是公司还不如说是小作坊，现在只有四个人，他们只负责euv光源的反射镜，但是他们不负责设计不负责加工不负责安装调试，他们只负责反射镜的镀膜和清洁。

当初euv光源还处于开发阶段的时候，基本的技术路线都已经清晰，就是利用高能二氧化碳激光照射液态锡滴产生极紫外光，但是当时还处在实验室阶段，离工业化标准还差很远。其中一个技术难题就是用来收集极紫外光的反射镜。因为即使使用这种技术，euv光源的效率也是极低的，为了尽可能的提高效率，必须要尽可能多的收集产生的极紫外光，这就要求我们制造一个NA很大的反射镜，因为镜子的NA很大，如果离光源太远，镜子的口径就会变得很大，大家都知道大口径反射镜的加工难度之大，所以说大口径大NA的反射镜基本上就是不可能完成的任务。为了缩小反射镜尺寸，这个大NA的反射镜必须很靠近锡滴放置，因为激光束的能量很高，聚焦区域的锡球都是处于等离子体状态，温度达到上千度，所以反射镜的温度也会在几百度的水平。然而当时的镀膜技术，常温下大口径天文望远镜镀膜突破40%的反射率都是先进技术，连100度的温度都没有人尝试过。几百度的温度区间，半米多的口径用什么样的材料才能保证镀膜理化性质稳定，保证反射率一直稳定在40%，还要在曲率半径那么小的面上实现均匀反射率，还是在13.5nm的极紫外波段，实现的难度是无法想象的。于是，当时负责这个项目的负责人去找了这个叫Thorsten的大叔，大叔犹豫着答应下来跟三个好基友开始技术攻关，在大概一年之后，他们凭借在镀膜领域多年的技术积累，在克服了很多个技术难题之后终于做出了这种耐受几百度高温的多层镀膜。从此以后，asml每一个euv光源的反射镜在面型加工完成之后都要送到他们的小作坊去镀膜。

刚刚说的是他们做的第一件事，他们做的第二件事就是清洁euv反射镜，刚才说过，发光区域的锡温度很高，产生的等离子体或者锡蒸汽会慢慢的沉积在反射镜上，时间长了，反射镜的反射率就会下降导致euv输出功率大幅降低，这时候这些反射镜就会被拆下来从fab里送到optixfab这个小作坊进行清洁。optixfab在清洁这些反射镜的时候需要完全去除表面的锡，同时还不能影响镜子原来的表面粗糙度，因为是euv光源，镜子的表面粗糙度都是纳米级别。除此之外，镜子的多层镀膜也不能被破坏，否则镜子的反射率会受到严重影响。刚开始的时候，他们只能洗掉所有的镀膜重新镀，但是过了不久大家发现这种方法的成本是不能接受的。所以他们摸索了很久，在调整了镀膜成分和结构之后开发出了一种可以完全去除锡沉积又不影响镀膜的方法，用这种方法去除锡之后的反射镜反射率不低于新镜子，这里他对具体的技术路线一点都不愿多谈，毕竟是他们细水长流最赚钱的业务，他只是表示难度不亚于当初开发镀膜。

分享这个小故事，是想说asml的光刻机其实是欧洲乃至美国科学界和工业界的一个集大成者，聚集了无数在各个领域顶尖的学者和工程师才凝聚成的一颗明珠。在这其中有很多家像optixfab这种把一件事做到极致的小公司和很多个像Thorsten这种一生只做一件小事的人。做成这一切需要在很多领域多年的积累和沉淀以及像欧盟这种相对良性的学界工业界协同合作机制。

在遇见这些人之后，我开始对弯道超车这个词持怀疑态度，有些事情我们或许可以走捷径，但是有些事情真的不是弯道超车能解决的。走的越远，我想我们就更需要对技术和积累有最起码的敬畏之心。

我殷切的盼望着我们国家早日拥有自己的先进光刻设备。如果我们能多几位像Thorsten这样的工程师和科学家，少一些天天捧着键盘叫嚷着分分钟要把高精尖技术做成白菜价吊打欧美的人，我相信这一天也不会太远了。

谢绝任何转载。

谢邀！做过一年表面等离子共振(表面等离子激元，SPR或者SPP，下文使用缩写SPP) 并且在这个领域发过一篇文章的“相对专业”人士来回答一下~

这台基于SPP的光刻机虽然可以达到很高的“分辨率”，但是现阶段并不能应用到大家比较关心的芯片制造行业上~

SPP最初兴起于九十年代，这个技术可以突破衍射极限从而得到更高的“分辨率”。这个“分辨率”要打引号是因为基于SPP的光刻技术只能刻蚀周期性花样(无法刻蚀任意图形)。这就导致了SPP光刻技术现阶段的应用前景仅限光栅、光子晶体之类的周期性结构。当然，仅仅光栅、光子晶体本身已经相当重要了(尤其是军事应用)。

此外，这台光刻机还应该是SPP光刻技术第一次正式应用到工业领域(可能也是第一次应用到深紫外光刻领域)。而且这个技术有很好的发展前景，现在这台光刻机使用的是365nm的光源，如果使用现在最先进的193nm 氟化氩准分子激光做光源，有望将“分辨率”提升到12nm（当然，实际肯定不止换一个光源这么简单）。

至于有评论说新闻图片中“超净间不戴口罩不专业”的，我只想说：您可能没在超净间做过科研（科研对成品率不太看重）。因为超净服是不透气的，如果天天在超净间捂得严严实实泡十几个小时的话可能就直接虚脱了。所以比较常见的做法是：在不接触芯片且离光刻机比较远的时候摘下口罩透透气~ 另外，不戴手套操作电脑也比较常见的~ （这段仅限不怎么考虑成品率的学术界，工业界显然不能这样！） 当然，这段还要加一个限定条件，就是后续测试不麻烦 (一般做光刻科研的后续测试都不麻烦，可能就是测个线宽(分辨率)，当然要是做复杂器件可能确实需要比较注意了)。

下面是一些我在评论区的回答，不保证正确性（我是2012-2013年做的SPP、很可能有些回答已经过时了）

知友提问： 22nm不如台积电7nm，是否意味着这个技术已经过时？
我的回答： 否。因为7nm是多次曝光之后得到的分辨率、7nm技术单次曝光的分辨率应该在50nm左右(193nm光源倍频之后的衍射极限)。所以22nm是毫无争议的单次曝光最佳分辨率（仅限大规模光刻、不考虑逐点写入式光刻）

知友提问： 文章中提到“现阶段不能应用于芯片制造”，将来是否有可能应用？
我的回答： 我觉得以后有可能。因为处理器（存储器类似）的不少区域都是由结构相同的晶体管组成的。也就是说处理器、存储器上是存在周期性结构的。只不过这个周期性结构的每个单体太复杂，现在做不出。我认为主要的技术难点在于能不能发展出适用于SPP的比较好的套刻技术。我猜想对准可能会是个大问题。

知友提问： 光子晶体、光栅 具体有什么应用？
我的回答： 烦请参考精选评论~

知友提问： SPP光刻技术国外有没有在做的？
我的回答： SPP光刻国外做的不少，但是在2013年之前应该没有做SPP深紫外光刻的（不知道2013年之后有没有）。另外，希望大家渐渐适应这种“国外没人做”的科研、尽量能够客观地审视这种成果。之前的例子有：量子保密通信、量子雷达，都是国外没人做的东西，但是咱们做出来之后国外纷纷开始效仿。