长江存储多久能够赶超英特尔美光？
长江存储能否追赶上英特尔和美光？这是一个备受关注的话题，也牵动着不少人的心。坦白说，这个问题没有一个绝对的答案，它像一场马拉松，充满了未知和变数。不过，我们可以从几个关键维度去梳理一下，看看长江存储的实力与挑战，以及它可能需要的时间。
技术是硬道理：追赶的维度
要说“赶超”，那得先看看双方在哪些方面较量。在存储芯片领域，最核心的当然是 技术。
制程工艺 (NAND Flash)： 这就像芯片制造里的“精密度”。目前，3D NAND闪存的层数是衡量技术先进性的重要指标。长江存储凭借其Xtacking®技术，在TLC（三维堆叠）闪存方面已经取得了显著进展，其300+层甚至400+层的产品已经量产。而英特尔（现在部分业务归于Solidigm）和美光也在不断推进自家的3D NAND技术，例如美光推出的176层、232层以及未来规划的更高层数。
长江存储的优势： 它的Xtacking®技术，是将存储单元和逻辑电路这两部分分开制造，然后再堆叠在一起。这样做的好处是可以优化每一部分，理论上能实现更高的密度和更低的成本。
英特尔/美光的优势： 它们在3D NAND领域耕耘多年，拥有深厚的技术积累和成熟的制造工艺。尤其是在多层堆叠方面，它们有自己的技术路线图，并且在良率和性能稳定性上通常有更强的保障。
追赶时间点： 在层数上，长江存储已经展现出追赶甚至在某些方面领先的势头。但要说“赶超”，不仅仅是层数，还包括 单元的可靠性、读写速度、功耗控制、寿命 等综合性能。这方面，英特尔和美光多年的积累仍然是它们的重要优势。从长江存储的产品迭代速度来看，如果保持目前的势头，在综合性能上与英特尔/美光处于同一梯队，甚至在某些细分市场超越，可能需要 35年 的时间。但要实现全面、可靠的“赶超”，可能还需要更长的时间，甚至 510年 也不为过，这取决于它们能否在下一代存储技术（如QLC、PLC，以及新的存储介质）上取得突破。
DRAM（动态随机存取存储器）： 这是另一大存储芯片类别，和NAND Flash不同，DRAM的竞争格局更加集中，主要由三星、SK海力士和美光这“三巨头”主导。英特尔虽然是CPU巨头，但其在DRAM领域的影响力相对较小（它们更专注于CPU与DRAM的接口和集成）。长江存储目前在DRAM领域还没有公开的、大规模量产的产品。
挑战： DRAM的技术壁垒非常高，尤其是20nm以下的先进工艺。这不仅需要巨额的研发投入，还需要高度精密的制造设备和极其丰富的生产经验。
追赶时间点： 如果长江存储要在这个领域与英特尔（在DRAM领域更像是间接竞争对手，因为英特尔更多是通过其CPU和平台来影响DRAM的使用）和美光直接较量，那将是一个漫长且艰巨的任务。目前来看，长江存储在该领域几乎是从零开始。要达到与美光同等的水平，可能需要 10年以上 的持续投入和技术攻关，甚至存在不确定性。
产能与良率：规模化的关键
技术只是第一步，将技术转化为可大规模生产的、稳定的产品，才是成功的关键。
产能： 存储芯片是非常烧钱的生意，需要巨大的产能投入。长江存储在中国的工厂建设非常快，已经具备了相当的规模。英特尔和美光在全球也拥有多个大型晶圆厂，产能和生产效率都很成熟。
长江存储的优势： 国家政策支持和资本投入，使其能够快速建设大规模产能。
英特尔/美光的优势： 它们拥有全球化的供应链和成熟的生产运营体系，能够更灵活地调整产能以应对市场需求。
追赶时间点： 在产能规模上，长江存储通过快速扩张，已经可以和这些巨头形成一定的规模竞争。但要说“赶超”，还得看 产能的利用率和生产的稳定性。这通常需要几年的时间来磨合和优化。
良率： 芯片制造的良率直接影响成本和利润。尤其是在先进工艺下，良率的提升是一个持续且艰难的过程。
长江存储的挑战： 作为后来者，尤其是在3D NAND堆叠层数不断提升的情况下，要保证高良率是一大挑战。
英特尔/美光的优势： 它们在多年的生产中，已经积累了丰富的良率提升经验，尤其是在工艺的成熟度上。
追赶时间点： 良率的提升往往是滞后于技术进步的。长江存储的产品虽然推向市场，但要达到英特尔/美光那种经过市场长期验证的、成熟的良率水平，可能还需要 23年 的持续优化。
生态与市场：客户的信任
芯片的成功，不仅仅是技术和生产，更在于能否被市场和客户接受。
客户群： 传统上，英特尔（虽然不直接生产SSD，但其平台对存储芯片的选择有很大影响）和美光拥有庞大的企业级客户群和OEM合作关系。这些客户对产品的稳定性、可靠性和兼容性要求极高，并且一旦选定，更换成本很高。
长江存储的挑战： 要打入这些高端企业级市场，长江存储需要通过严格的认证，并赢得客户的信任。这需要时间和成功的案例积累。
追赶时间点： 在消费级市场，长江存储已经有所斩获，但要在企业级市场与英特尔/美光正面竞争，并成为主流供应商，可能需要 35年 的努力。
生态系统： 存储芯片的性能和应用，也与主控芯片、固件算法以及整机厂商的配合息息相关。
长江存储的优势： 它们可以自主研发或与国内合作伙伴紧密合作，构建自己的生态。
英特尔/美光的优势： 它们与全球主要的SSD控制器厂商、主板厂商都有长期的合作关系，形成成熟的生态链。
追赶时间点： 生态的构建和成熟需要时间，尤其是在高端应用领域。长江存储需要证明其产品在各种应用场景下的最佳搭配和性能释放。这可能需要 24年 的时间来逐步完善。
地缘政治与政策：不可忽视的变量
当前的国际形势，特别是科技领域的竞争，为这个问题增添了更多不确定性。
政策支持： 中国政府对半导体产业的重视和支持，为长江存储提供了强大的后盾，包括资金、人才和市场资源。
技术限制： 部分国家对先进半导体技术出口的限制，可能会影响长江存储获取某些关键的制造设备和技术。反之，也可能迫使它们加快自主研发的步伐。
市场需求： 国内巨大的市场需求，为长江存储提供了消化产能和实现规模经济的良好基础。
总结一下：
长江存储在 NAND Flash 领域，特别是在3D NAND的层数和Xtacking®技术方面，已经展现出强劲的追赶势头。在产能规模上也迅速崛起。如果按照目前的节奏，在NAND Flash领域，长江存储有望在未来 35年 内，在许多方面能够与英特尔（或其继承者Solidigm）和美光形成有力竞争，甚至在某些细分市场实现局部超越。
然而，在DRAM领域，长江存储仍处于起步阶段，与美光等巨头相比，差距依然巨大，赶超之路会非常漫长，可能需要 10年以上 的时间，并且成功与否仍有很大的不确定性。
“赶超”是一个动态的概念。技术迭代、市场变化、竞争对手的策略，以及地缘政治的因素，都可能影响这个进程。长江存储需要做的，是持续的技术创新、稳定的生产运营，以及赢得客户的信任。这是一场漫长的战役，胜负犹未可知，但至少，它正在加速前进。
技术是硬道理：追赶的维度
要说“赶超”，那得先看看双方在哪些方面较量。在存储芯片领域，最核心的当然是 技术。
制程工艺 (NAND Flash)： 这就像芯片制造里的“精密度”。目前，3D NAND闪存的层数是衡量技术先进性的重要指标。长江存储凭借其Xtacking®技术，在TLC（三维堆叠）闪存方面已经取得了显著进展，其300+层甚至400+层的产品已经量产。而英特尔（现在部分业务归于Solidigm）和美光也在不断推进自家的3D NAND技术，例如美光推出的176层、232层以及未来规划的更高层数。
长江存储的优势： 它的Xtacking®技术，是将存储单元和逻辑电路这两部分分开制造，然后再堆叠在一起。这样做的好处是可以优化每一部分，理论上能实现更高的密度和更低的成本。
英特尔/美光的优势： 它们在3D NAND领域耕耘多年，拥有深厚的技术积累和成熟的制造工艺。尤其是在多层堆叠方面，它们有自己的技术路线图，并且在良率和性能稳定性上通常有更强的保障。
追赶时间点： 在层数上，长江存储已经展现出追赶甚至在某些方面领先的势头。但要说“赶超”，不仅仅是层数，还包括 单元的可靠性、读写速度、功耗控制、寿命 等综合性能。这方面，英特尔和美光多年的积累仍然是它们的重要优势。从长江存储的产品迭代速度来看，如果保持目前的势头，在综合性能上与英特尔/美光处于同一梯队，甚至在某些细分市场超越，可能需要 35年 的时间。但要实现全面、可靠的“赶超”，可能还需要更长的时间，甚至 510年 也不为过，这取决于它们能否在下一代存储技术（如QLC、PLC，以及新的存储介质）上取得突破。
DRAM（动态随机存取存储器）： 这是另一大存储芯片类别，和NAND Flash不同，DRAM的竞争格局更加集中，主要由三星、SK海力士和美光这“三巨头”主导。英特尔虽然是CPU巨头，但其在DRAM领域的影响力相对较小（它们更专注于CPU与DRAM的接口和集成）。长江存储目前在DRAM领域还没有公开的、大规模量产的产品。
挑战： DRAM的技术壁垒非常高，尤其是20nm以下的先进工艺。这不仅需要巨额的研发投入，还需要高度精密的制造设备和极其丰富的生产经验。
追赶时间点： 如果长江存储要在这个领域与英特尔（在DRAM领域更像是间接竞争对手，因为英特尔更多是通过其CPU和平台来影响DRAM的使用）和美光直接较量，那将是一个漫长且艰巨的任务。目前来看，长江存储在该领域几乎是从零开始。要达到与美光同等的水平，可能需要 10年以上 的持续投入和技术攻关，甚至存在不确定性。
产能与良率：规模化的关键
技术只是第一步，将技术转化为可大规模生产的、稳定的产品，才是成功的关键。
产能： 存储芯片是非常烧钱的生意，需要巨大的产能投入。长江存储在中国的工厂建设非常快，已经具备了相当的规模。英特尔和美光在全球也拥有多个大型晶圆厂，产能和生产效率都很成熟。
长江存储的优势： 国家政策支持和资本投入，使其能够快速建设大规模产能。
英特尔/美光的优势： 它们拥有全球化的供应链和成熟的生产运营体系，能够更灵活地调整产能以应对市场需求。
追赶时间点： 在产能规模上，长江存储通过快速扩张，已经可以和这些巨头形成一定的规模竞争。但要说“赶超”，还得看 产能的利用率和生产的稳定性。这通常需要几年的时间来磨合和优化。
良率： 芯片制造的良率直接影响成本和利润。尤其是在先进工艺下，良率的提升是一个持续且艰难的过程。
长江存储的挑战： 作为后来者，尤其是在3D NAND堆叠层数不断提升的情况下，要保证高良率是一大挑战。
英特尔/美光的优势： 它们在多年的生产中，已经积累了丰富的良率提升经验，尤其是在工艺的成熟度上。
追赶时间点： 良率的提升往往是滞后于技术进步的。长江存储的产品虽然推向市场，但要达到英特尔/美光那种经过市场长期验证的、成熟的良率水平，可能还需要 23年 的持续优化。
生态与市场：客户的信任
芯片的成功，不仅仅是技术和生产，更在于能否被市场和客户接受。
客户群： 传统上，英特尔（虽然不直接生产SSD，但其平台对存储芯片的选择有很大影响）和美光拥有庞大的企业级客户群和OEM合作关系。这些客户对产品的稳定性、可靠性和兼容性要求极高，并且一旦选定，更换成本很高。
长江存储的挑战： 要打入这些高端企业级市场，长江存储需要通过严格的认证，并赢得客户的信任。这需要时间和成功的案例积累。
追赶时间点： 在消费级市场，长江存储已经有所斩获，但要在企业级市场与英特尔/美光正面竞争，并成为主流供应商，可能需要 35年 的努力。
生态系统： 存储芯片的性能和应用，也与主控芯片、固件算法以及整机厂商的配合息息相关。
长江存储的优势： 它们可以自主研发或与国内合作伙伴紧密合作，构建自己的生态。
英特尔/美光的优势： 它们与全球主要的SSD控制器厂商、主板厂商都有长期的合作关系，形成成熟的生态链。
追赶时间点： 生态的构建和成熟需要时间，尤其是在高端应用领域。长江存储需要证明其产品在各种应用场景下的最佳搭配和性能释放。这可能需要 24年 的时间来逐步完善。
地缘政治与政策：不可忽视的变量
当前的国际形势，特别是科技领域的竞争，为这个问题增添了更多不确定性。
政策支持： 中国政府对半导体产业的重视和支持，为长江存储提供了强大的后盾，包括资金、人才和市场资源。
技术限制： 部分国家对先进半导体技术出口的限制，可能会影响长江存储获取某些关键的制造设备和技术。反之，也可能迫使它们加快自主研发的步伐。
市场需求： 国内巨大的市场需求，为长江存储提供了消化产能和实现规模经济的良好基础。
总结一下：
长江存储在 NAND Flash 领域，特别是在3D NAND的层数和Xtacking®技术方面，已经展现出强劲的追赶势头。在产能规模上也迅速崛起。如果按照目前的节奏，在NAND Flash领域，长江存储有望在未来 35年 内，在许多方面能够与英特尔（或其继承者Solidigm）和美光形成有力竞争，甚至在某些细分市场实现局部超越。
然而，在DRAM领域，长江存储仍处于起步阶段，与美光等巨头相比，差距依然巨大，赶超之路会非常漫长，可能需要 10年以上 的时间，并且成功与否仍有很大的不确定性。
“赶超”是一个动态的概念。技术迭代、市场变化、竞争对手的策略，以及地缘政治的因素，都可能影响这个进程。长江存储需要做的，是持续的技术创新、稳定的生产运营，以及赢得客户的信任。这是一场漫长的战役，胜负犹未可知，但至少，它正在加速前进。
网友意见
武汉长存是非常优秀的公司，目前在全世界的市占率已经达到3.4%。
去年年底武汉长存推出量产128层的固态，而同期西部数据-闪迪才112层，镁光是目前研发走在最前列的公司已经达到176。
而武汉长存目前的主要目标也在于研发192层架构，一旦成功，则已经超越了目前最新最先进的架构，如果能够压缩研发周期，在256层研发说不定可以领先镁光，出类拔萃。到时候就是领先于时代，市占率自不用说。
按照b站网友一水遮夏的说法：
武汉长江存储是自1949年新中国建立以来，第一家在半导体领域实现对外国最顶尖公司技术赶超的中国公司。
希望国内能诞生更多这种坚持自主创新的尖端科技公司。
中国之光，武汉长存！
赶超巨头？想什么呢！！！
我先立个flag，五年内长江存储不可能领先镁光，除非长存的高层脑子进水。
长江存储的生产线还使用部分美国设备和材料，短期内无法实现国产替代，盲目扩产风险很大。想用美国技术来打败美国，你当美国人是傻子么？人家巴不得你用他的先进技术来生产，然后等到关键的时候卡你的脖子。上一个企图赶超的企业是中芯国际，然后euv光刻机断供，花巨资研发的7nm工艺直流难产。
所以现在的长存要低调，新技术勉强跟上巨头的步伐就行，晚个半年一年量产，那怕技术领先也等一等。专利上多多益善，提前布局，逐步完善去美化产线，多搞一搞市场，争取卖个好价钱，保证利润。高筑墙，广积粮，缓称王才是正确的打开方式。
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