与 7nm 工艺非常相似的中芯国际 N+1 工艺芯片流片和测试成功，意味着什么？
首先，得把 N+1 工艺摆明白。你提到它“与 7nm 工艺非常相似”，这句话背后包含了几个关键点。7nm 工艺是当前业界领先的工艺技术之一，它代表了集成电路制造能力的顶尖水平。能够实现与 7nm 工艺“相似”的技术，本身就意味着中芯国际在芯片制造能力上取得了巨大的突破，足以跻身于全球先进制造行列。
“流片成功”意味着什么？简单来说，就是中芯国际设计出来的芯片，按照 N+1 工艺的要求，在生产线上被制造出来了，并且能够按照设计进行工作。这就像一个复杂的蓝图变成了实物，而且这个实物能够跑起来。这背后是无数工程师的智慧结晶，是从设计、光刻、蚀刻、离子注入到各种复杂的化学和物理过程的精细配合。每一个环节都至关重要，任何一个微小的失误都可能导致整个芯片报废。流片成功，说明中芯国际在这些复杂环节的控制上，已经达到了一个相当高的水平。
而“测试成功”则更进一步，它表明制造出来的芯片不仅能够被制造出来，而且其各项性能指标，如功耗、性能、良率等，都达到了设计预期。这才是真正检验一个工艺技术是否成熟、是否能投入实际应用的关键。只有测试通过，才能证明这个工艺路线是可行的，才有可能去大规模生产。
那么，中芯国际 N+1 工艺流片和测试成功，具体意味着什么呢？我们可以从几个层面来解读：
1. 技术自主的重大里程碑：
在全球半导体供应链日益复杂且充满不确定性的当下，关键技术自主化具有非凡的意义。N+1 工艺的成功，证明了中国在高端芯片制造领域正在逐步缩小与世界顶尖水平的差距。它不仅仅是技术上的进步，更是国家在战略层面上实现科技自立自强的重要一步。这意味着在某些关键领域，我们可以摆脱对外部技术的过度依赖，拥有更多自主选择权，这对于国家安全和经济发展都具有长远的战略价值。
2. 满足日益增长的市场需求：
随着 5G、人工智能、物联网、高性能计算等新兴技术的飞速发展，对高性能、低功耗的芯片需求持续旺盛。很多应用，比如高端智能手机、服务器、AI 加速器等，都需要先进的工艺来支撑。N+1 工艺的成熟，意味着中芯国际能够为国内乃至全球的客户提供更高性能的芯片制造服务，满足这些不断增长的市场需求。这对于本土的科技企业来说，意味着他们可以获得更可靠、更具成本效益的芯片供应，从而加速自身产品的研发和迭代。
3. 增强中芯国际在国际市场的竞争力：
长期以来，全球先进芯片制造主要由少数几家公司垄断。中芯国际 N+1 工艺的成功，将使其在与这些巨头的竞争中更具发言权。虽然与最前沿的 3nm、2nm 工艺相比可能还有差距，但 N+1 工艺已经能够满足许多当前和未来几年市场的主流需求。这使得中芯国际能够承接更多高端芯片的代工订单，拓展其在全球芯片制造产业中的市场份额。
4. 推动国内半导体生态的完善：
芯片制造是一个极其复杂的系统工程，它不仅仅关乎生产线本身，还牵涉到设计工具、IP 核、EDA 软件、材料、设备等整个生态链条。N+1 工艺的成功，不仅仅是中芯国际一家的胜利，它也间接推动了国内相关产业链的进步。为了支撑先进工艺的研发和生产，需要有更强大的设计能力、更先进的EDA工具、更高纯度的化学材料、更精密的制造设备等等。这会带动整个国内半导体生态的协同发展，形成良性循环。
5. 提升设计公司的设计空间和创新能力：
对于芯片设计公司而言，更先进的工艺节点意味着可以在更小的芯片面积上集成更多的晶体管，实现更高的性能，同时降低功耗。N+1 工艺的出现，为国内的设计公司提供了更广阔的设计空间和更多的创新可能。他们可以利用这个工艺节点，设计出更具竞争力的新一代产品，从而在全球市场中脱颖而出。
6. 对国际政治和经济形势的潜在影响：
在当前的国际环境下，半导体产业已经成为地缘政治博弈的焦点。中芯国际 N+1 工艺的突破，无疑会引起国际社会的广泛关注，尤其是在一些限制中国半导体发展的国家。它的成功，在一定程度上可以被视为中国在关键技术领域取得自主突破的例证，这可能会对全球半导体产业的格局和未来发展方向产生一定的影响。
然而，我们也需要保持清醒的头脑：
“相似”不等于“相同”： 虽然 N+1 工艺与 7nm 工艺相似，但具体的性能指标、良率、成本等方面可能仍然存在差异。与最前沿的工艺相比，可能在一些非常精细的参数上还有改进空间。
良率和成本的挑战： 新工艺的初期良率往往是一个巨大的挑战，如何快速提升良率并降低生产成本，是实现大规模商用的关键。
产能和设备： 先进工艺的量产需要巨大的投入，包括建设更多的先进生产线，以及获得所需的先进生产设备。
总而言之，中芯国际 N+1 工艺的流片和测试成功，是中国在高端芯片制造领域迈出的坚实一步，是技术自主、满足市场需求、提升国际竞争力的重要体现。它为国内半导体产业的发展注入了强大的动力，也为未来的技术突破奠定了基础。这不仅仅是几个字的成功，而是无数次实验、无数次失败、无数次优化的累积，是整个国家在科技领域不懈努力的缩影。
网友意见
官方没有任何资讯批露，倒是不知名媒体借不知名芯片设计公司放出消息，意味着什么还不清楚么。一是让该设计公司名声大噪，二是资本炒作导致今天中芯带动半导体板块股价大涨。
照媒体这么沸腾下去，中芯迟早被害死。
前些日子路透社透露中芯被美帝扬言制裁，当时各大媒体消息云集但是不少在辟谣。HQ时报在ZH又是提问题，又是强调这个制裁实锤了，又是老胡发表回答，纵然你官媒又如何，一天就被中芯公关河蟹，问题和回答都被删，这还不清楚么？这段时间在ZH稍微涉及中芯敏感信息的回答，文章或评论都会被删。说明中芯在这个关节点只想低调地猥琐发育，不想被过度关注。我猜这个问题也活不了几天也可能会被公关。
这个问题下有回答说N+1主要是矿机在做，我深表赞同（不知道的找个中芯内部人士打听一下）。按目前这局势，美帝的达摩克利斯之剑随时会落下，入流的芯片设计商转单还来不及呢，真当去A了还能继续玩？
这里我要替斯米克说几句。
斯米克委屈啊。前几天让小管家删帖，最近这又有问题带起来了。
是嫌我斯米克还不够艰难么？
我斯米克的客户是各大IC设计，不是直接面向消费者的。工艺研发到哪了，去A化到哪了，良率如何了，都是fab和客户的事。
不需要消费者这么关心。你消费者关心，你爱凑热闹只会让一些无良媒体觉得有流量，有利可图就有人会瞎带节奏。
比如提出这个问题的老法师；
比如问题描述里的那个文章；
比如提问里的光刻机配图：这个图和N+1有啥关系？配这个图以及原文的一些煽动的字想影射什么？
知乎上也有asml中国区的，你想给他们表达啥？
至于N+1工艺，这东西的产品短时间你也用不上。工艺细节，密度，良率更不知道，当初28nm的事历历在目。
去A化更漫长，非高层也不具体知道情况。
知乎上了解一些情况的各大厂PE，供应商的vendor甚至一些大牛有的是，也没人在这彰显才学。
所以，少吃瓜就好。给别人点空间，给别人点宽容。生活都不容易。
SMIC N+1工艺是等效浸没式DUV的7nm，相比TSMC N'7的密度规格和微电性能几个方面都有显著差别；
另外，Fab经典经济模型在短期不容易成立，如今SMIC代工芯动科技的流片项目，良率指引还未公布，由于产品家族高低搭配不旺盛使其下线的部分瑕疵die也难作它用（比较一下INTC Core i那几款搭配）；
目前的规格比较是，N+1工艺对比SMIC 14nm功耗降低57%、逻辑面积小了63%、SOC面积减少55%。
中国工程院的吴老师说过：193nm光刻支撑了过去时代工艺的发展，进入7nm节点后，EUV便成为关键，EUV光刻目前仍面临光源、光刻胶和掩膜版等方面的难题需要解决。比如掩膜版，过去掩膜的整体产率约94.8%，但EUV仅64.3%左右，而且比复杂光学掩膜还贵3到8倍。尽管业界已经在研究纳米压印、X光光刻、电子束直写等先进光刻技术，但是距离投入使用，估计还要3年以上。
所以工艺面临的三个挑战是，制造基础的光刻技术、核心新材料和新工艺以及良率提升这个终极挑战。下面这个图是描述从22nm开始的后摩尔定律时代里衍生的四个方向。
但逻辑器件技术发展就呈现了三个趋势：
一是结构方面：目标是增加栅控能力，以实现更低的漏电流，降低器件功能功耗。实现手段包括由平面结构转向立体，三维晶体管结构（如FinFET）成为主流器件技术；
二是材料方面：目前是增加沟道的迁移率，以实现更高的导电电流和性能；实现手段包括沟道构建材料由硅转变成非硅并成为主流，如Ge、三五族高迁移率沟道材料，GeSi源极/漏极应变材料等；
三是集成方面：类似平面Nand转向3D Nand闪存，未来的逻辑器件也会从2D集成技术转向3D的堆栈工艺。
吴老师也提到，此外后摩尔定律时代出现了市场碎片化的特点，中小企业商机大，创新空间大。在20nm以下节点，先进产能仅占12%，20nm以上节点还有巨大的市场和创新空间。
专职吹牛逼的来自问自答一波哈哈哈
第一，国内有任何一家企业敢于说自己在去A的同时良率及格嘛？
没有，而且连相对古老的90-150纳米制程都尚且不能做到90%国产化，更别提22-40纳米了。
所以，谁家要是愿意烧钱把纯国产设备的fab的良率和稼动率提高到能盈利的地步，不说了，你是我爸爸。这一步目前需要至少几百亿。比较适合投的第一个节点是90-150纳米，目前台湾人在大陆的立的记录是80%左右。谁能出钱提到100%？
第二，N+1有什么用？
按照目前的情况计算，估计SN1月产能还是K为单位计算，而且从已经有的14ff转N+1，还是有一定的生产损失。
N+1的产量上不去，那么做出来了也是白搭，smic是要恰饭的，恰饭的前提是要卖出去，卖出去的前提是能生产出来，这又回到了第一条。这也就是为什么smic的老兄不愿意沸腾的主要原因。某D2000的教训不够深刻？
第三，情况真的有我说的那么严重吗？
从目前情况来看，其实比较乐观，毕竟大洋彼岸最近才加了一个intel的fab42，intel自己都要预订台积电的3nm 保命了。
所以够不够用这个问题上没什么问题。关键是良率。。。。但是设备还是去不了A。
第四，去A的Arfi啥时候能出来
这个我不知道，不过我想推荐一本书，读一读还是蛮有意思的。
除了制程先进之外，还有一个指标WPH，指的是每小时的工作效率，这个指标过低就是之前某些弯道超车的玩意得死穴。ASML最近的ArF新机器已经提到超过300WPH了。10秒一片晶圆，在单位时间之内，公司的基础支出是一定的，那么生产的成本只随着物料数量的增加而增加，
比如说每小时烧100万，你一个小时生产6片，人家生产300片，你得成本可以近似看做是人家的五十倍。长此以往呢？
另外还需要考虑的是你得wafer或者lot上的良率在初期也不如别人。那可能是上百倍的差距了。这上百倍的差距需要拿人堆出来。
半导体不是别的,真死的时候,哭都哭不出来,最后一堆人骂!
如果真的支持的话,其实还有一个方式
买一台荣耀4T play或者荣耀平板６上面的soc好歹是海思真迁移到smic的14纳米制程的产品
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