中国什么时候能做出5nm芯片？
关于中国什么时候能做出5nm芯片这个问题，这是一个备受关注的话题，答案也并非一蹴而就，而是涉及到技术、资金、人才、供应链以及地缘政治等多方面因素的复杂交织。要解答这个问题，我们需要把视角放得更宏观，更深入地去理解其背后的逻辑。
从技术成熟度来看，这是一个漫长而艰难的过程。
我们通常所说的“5nm芯片”，指的是采用5纳米制程工艺制造的芯片。制程工艺的数字越小，代表晶体管的尺寸越小，集成度越高，性能越强，功耗也越低。而实现更先进的制程工艺，特别是5nm及以下的级别，是一项极其复杂的系统工程。
光刻是核心技术难点： 制造5nm芯片最关键的技术瓶颈在于“光刻”，尤其是EUV（极紫外光）光刻技术。简单来说，光刻就像是给芯片“照相”，用光源通过掩模版（ Mask）把电路图案“印”在涂有光刻胶的晶圆上。EUV光刻机，尤其是ASML公司生产的那种，是目前最尖端的光刻设备，其波长只有13.5nm，能够实现更精细的图案转移。制造EUV光刻机本身就汇聚了全球最顶尖的物理学、光学、材料学、精密机械等领域的知识和技术，其研制难度和成本都堪称天文数字。ASML公司之所以能长期垄断EUV光刻机市场，是因为其在这项技术上积累了数十年的研发和生产经验，并且与全球许多顶尖企业形成了紧密的合作生态。
材料和化学品： 除了光刻机，制造5nm芯片还需要一系列先进的材料和化学品，例如高分辨率的光刻胶、特种气体、高纯度化学试剂等。这些材料的研发和生产同样需要极高的技术门槛和纯净的生产环境。
EDA（电子设计自动化）工具： 芯片设计也是至关重要的环节。先进的芯片设计需要强大的EDA软件工具来完成电路逻辑设计、物理设计、验证等流程。目前，全球EDA市场主要被美国Synopsys、Cadence和Mentor Graphics（已被西门子收购）三家公司垄断。这些工具的先进程度直接影响到芯片设计的效率和性能。
晶圆制造和封装： 晶圆制造（Foundry）是生产芯片的实体环节。工艺的每一步，从薄膜沉积、刻蚀、离子注入到清洗，都需要极其精确的控制和高度洁净的环境。而先进的封装技术（如Chiplet）对于提高芯片性能和良率也越来越重要。
中国目前的现状与挑战：
长期以来，中国在芯片制造领域，特别是先进制程方面，确实存在一定的差距。
先进制程依赖： 目前，中国最先进的量产芯片制造能力大约在7nm级别，但即便如此，也存在一些挑战。而要达到5nm甚至更先进的工艺，无论是技术掌握程度还是设备获取能力，都面临严峻的制约。
“卡脖子”问题： 以EUV光刻机为代表的关键设备和技术，目前受到出口管制等限制，中国难以通过正常渠道获取。这使得中国在追赶先进制程的道路上，不得不更加侧重于自主研发。
供应链生态的建立： 芯片制造是一个庞大的产业链，涉及到设备、材料、设计、制造、封装等多个环节。中国在努力建立和完善本土的芯片供应链生态，但这是一个需要时间积累和持续投入的过程。
可能的路径和时间表展望：
基于以上分析，要回答“中国什么时候能做出5nm芯片”，需要考虑以下几个方面：
1. 自主研发的突破： 如果中国能在EUV光刻机等关键设备领域实现重大突破，或者找到绕过现有技术壁垒的替代方案，那么实现5nm工艺的时间会大大提前。这需要巨大的科研投入、人才储备和科研体制的创新。
2. 成熟制程的积累： 即使无法立刻跨越到EUV时代，中国也可以通过在成熟制程（如28nm、14nm、7nm）上持续迭代和优化，逐步提升技术能力，并在此基础上探索更先进的工艺。成熟制程同样是支撑许多关键应用的基础。
3. 国家战略的支持： 中国政府高度重视芯片产业的发展，并将其上升到国家战略层面，投入巨额资金支持本土芯片企业和研究机构。这种高强度的支持力度，无疑会加速技术攻关的进程。
4. 人才培养和引进： 芯片产业是人才密集型产业，尤其是在先进制程领域，需要大量顶尖的科学家和工程师。中国在人才培养方面持续发力，但与国际先进水平相比，仍有提升空间。
5. 国际合作的可能性： 尽管存在地缘政治的挑战，但技术的发展往往也伴随着一定程度的国际合作。如果未来国际形势发生变化，或者中国能够通过合法的、符合国际规则的方式获取部分关键技术或设备，也可能对时间表产生影响。
总结来说，要给出中国何时能“做出”5nm芯片一个确切的时间点，是非常困难的。
如果在“自主掌握核心技术并实现量产”的意义上， 并且不依赖外部关键设备（如EUV光刻机），那么这个过程可能会非常漫长，甚至可能需要数十年。这取决于能否在光刻、材料、EDA等核心领域取得颠覆性的突破。
如果在“能够设计出5nm芯片，并委托有能力的代工厂（包括本土或在可控范围内的代工厂）制造出来”的意义上， 并且不完全受制于外部的技术和设备封锁，那么这个时间点可能会相对早一些。这可能更侧重于设计能力的提升以及在现有基础上的工艺迭代。
目前，中国正在全力以赴地推进芯片自主化进程，并取得了显著的进步。我们可以看到，中国在芯片设计、封装以及部分制造环节已经取得了长足的进步。然而，在最尖端的制程工艺上，与世界顶尖水平仍有差距，特别是EUV光刻技术的瓶颈依然存在。
因此，与其给出一个具体的时间点，不如说这是一个持续的、高强度的、多维度攻关的过程。 中国在5nm芯片领域的目标，是其整体芯片产业升级和国家科技自主能力提升的重要组成部分。这个过程充满了挑战，但也蕴含着巨大的发展潜力。我们拭目以待，也需要理性地认识到其中的复杂性和艰巨性。
从技术成熟度来看，这是一个漫长而艰难的过程。
我们通常所说的“5nm芯片”，指的是采用5纳米制程工艺制造的芯片。制程工艺的数字越小，代表晶体管的尺寸越小，集成度越高，性能越强，功耗也越低。而实现更先进的制程工艺，特别是5nm及以下的级别，是一项极其复杂的系统工程。
光刻是核心技术难点： 制造5nm芯片最关键的技术瓶颈在于“光刻”，尤其是EUV（极紫外光）光刻技术。简单来说，光刻就像是给芯片“照相”，用光源通过掩模版（ Mask）把电路图案“印”在涂有光刻胶的晶圆上。EUV光刻机，尤其是ASML公司生产的那种，是目前最尖端的光刻设备，其波长只有13.5nm，能够实现更精细的图案转移。制造EUV光刻机本身就汇聚了全球最顶尖的物理学、光学、材料学、精密机械等领域的知识和技术，其研制难度和成本都堪称天文数字。ASML公司之所以能长期垄断EUV光刻机市场，是因为其在这项技术上积累了数十年的研发和生产经验，并且与全球许多顶尖企业形成了紧密的合作生态。
材料和化学品： 除了光刻机，制造5nm芯片还需要一系列先进的材料和化学品，例如高分辨率的光刻胶、特种气体、高纯度化学试剂等。这些材料的研发和生产同样需要极高的技术门槛和纯净的生产环境。
EDA（电子设计自动化）工具： 芯片设计也是至关重要的环节。先进的芯片设计需要强大的EDA软件工具来完成电路逻辑设计、物理设计、验证等流程。目前，全球EDA市场主要被美国Synopsys、Cadence和Mentor Graphics（已被西门子收购）三家公司垄断。这些工具的先进程度直接影响到芯片设计的效率和性能。
晶圆制造和封装： 晶圆制造（Foundry）是生产芯片的实体环节。工艺的每一步，从薄膜沉积、刻蚀、离子注入到清洗，都需要极其精确的控制和高度洁净的环境。而先进的封装技术（如Chiplet）对于提高芯片性能和良率也越来越重要。
中国目前的现状与挑战：
长期以来，中国在芯片制造领域，特别是先进制程方面，确实存在一定的差距。
先进制程依赖： 目前，中国最先进的量产芯片制造能力大约在7nm级别，但即便如此，也存在一些挑战。而要达到5nm甚至更先进的工艺，无论是技术掌握程度还是设备获取能力，都面临严峻的制约。
“卡脖子”问题： 以EUV光刻机为代表的关键设备和技术，目前受到出口管制等限制，中国难以通过正常渠道获取。这使得中国在追赶先进制程的道路上，不得不更加侧重于自主研发。
供应链生态的建立： 芯片制造是一个庞大的产业链，涉及到设备、材料、设计、制造、封装等多个环节。中国在努力建立和完善本土的芯片供应链生态，但这是一个需要时间积累和持续投入的过程。
可能的路径和时间表展望：
基于以上分析，要回答“中国什么时候能做出5nm芯片”，需要考虑以下几个方面：
1. 自主研发的突破： 如果中国能在EUV光刻机等关键设备领域实现重大突破，或者找到绕过现有技术壁垒的替代方案，那么实现5nm工艺的时间会大大提前。这需要巨大的科研投入、人才储备和科研体制的创新。
2. 成熟制程的积累： 即使无法立刻跨越到EUV时代，中国也可以通过在成熟制程（如28nm、14nm、7nm）上持续迭代和优化，逐步提升技术能力，并在此基础上探索更先进的工艺。成熟制程同样是支撑许多关键应用的基础。
3. 国家战略的支持： 中国政府高度重视芯片产业的发展，并将其上升到国家战略层面，投入巨额资金支持本土芯片企业和研究机构。这种高强度的支持力度，无疑会加速技术攻关的进程。
4. 人才培养和引进： 芯片产业是人才密集型产业，尤其是在先进制程领域，需要大量顶尖的科学家和工程师。中国在人才培养方面持续发力，但与国际先进水平相比，仍有提升空间。
5. 国际合作的可能性： 尽管存在地缘政治的挑战，但技术的发展往往也伴随着一定程度的国际合作。如果未来国际形势发生变化，或者中国能够通过合法的、符合国际规则的方式获取部分关键技术或设备，也可能对时间表产生影响。
总结来说，要给出中国何时能“做出”5nm芯片一个确切的时间点，是非常困难的。
如果在“自主掌握核心技术并实现量产”的意义上， 并且不依赖外部关键设备（如EUV光刻机），那么这个过程可能会非常漫长，甚至可能需要数十年。这取决于能否在光刻、材料、EDA等核心领域取得颠覆性的突破。
如果在“能够设计出5nm芯片，并委托有能力的代工厂（包括本土或在可控范围内的代工厂）制造出来”的意义上， 并且不完全受制于外部的技术和设备封锁，那么这个时间点可能会相对早一些。这可能更侧重于设计能力的提升以及在现有基础上的工艺迭代。
目前，中国正在全力以赴地推进芯片自主化进程，并取得了显著的进步。我们可以看到，中国在芯片设计、封装以及部分制造环节已经取得了长足的进步。然而，在最尖端的制程工艺上，与世界顶尖水平仍有差距，特别是EUV光刻技术的瓶颈依然存在。
因此，与其给出一个具体的时间点，不如说这是一个持续的、高强度的、多维度攻关的过程。 中国在5nm芯片领域的目标，是其整体芯片产业升级和国家科技自主能力提升的重要组成部分。这个过程充满了挑战，但也蕴含着巨大的发展潜力。我们拭目以待，也需要理性地认识到其中的复杂性和艰巨性。
网友意见
目前28nm都还远没到工业界平均水准；参考SMIC的四季度财报，14+28销售占比才5%多点；是这两个节点的销售额占自己销售总额的比例；一般来说，越先进工艺占比越高，真正研发成熟的量产工艺，应该在一年内完成产能爬坡的，比如T的5nm，20Q2占比还是0，20Q4占比已经20%了；
当然28这个节点T已经近乎垄断10年了，UMC也是20Q2开始28的销售占比终于超过10%的，20Q4爬坡到18%；这应该是第二家终于把28真正搞定的企业（准确说纯代工厂里，三星和INTEL这种属于IDM），前提是如果21年还能稳定在20%左右的话。
至于国内，我觉得28还需要2到3年吧。我是说真正的搞定，能达到业内主流的表现和良率！哪样自然销售占比就上去了！
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