中芯国际finfet工艺目前有几个平台，处于业界什么水平?
中芯国际（SMIC）作为中国大陆领先的半导体晶圆代工厂，其FinFET工艺的研发与量产一直是业界关注的焦点。要详细解读中芯国际FinFET工艺的现状，我们需要从其发展历程、具体平台、技术特点以及在行业中的位置这几个维度来展开。
一、 中芯国际FinFET工艺的发展历程：追赶与突破
FinFET（Fin FieldEffect Transistor）技术，顾名思义，是指晶体管的栅极以鳍片（Fin）状结构环绕沟道，相比传统的平面MOSFET，它能更好地控制沟道电流，显著降低漏电，提高性能和能效。这一技术是当前先进逻辑工艺的核心。
中芯国际很早就意识到FinFET技术的重要性，并积极投入研发。虽然起步较晚于全球领先的晶圆代工厂（如台积电、三星），但中芯国际通过自主研发和与国际先进技术的合作，一步一个脚印地推进其FinFET工艺的成熟。
早期探索与14nm/12nm阶段： 中芯国际最早的FinFET尝试可以追溯到其14nm及12nm节点。这个阶段的开发是技术难度最大的，需要掌握全新的器件结构设计、光刻技术、材料科学和工艺集成等一系列关键技术。在这个过程中，中芯国际不仅建立了自身的FinFET工艺平台，也积累了宝贵的经验。12nm工艺，也被称为N+1或12nm LP（Low Power），是中芯国际首个量产的FinFET工艺，主要用于成熟的消费电子和物联网领域，为后续更先进节点的开发奠定了基础。
N+1、N+2及更先进节点的演进： 随着技术的发展，中芯国际推出了更先进的FinFET工艺节点，通常以“N+”系列命名。例如，N+1是其12nm工艺的改进版本，性能和功耗得到优化。而N+2则代表了中芯国际在7nm级别工艺上的突破，这是其FinFET技术迈向更先进节点的重要一步。这两个平台在技术上都有各自的特点和应用领域。
二、 中芯国际FinFET工艺平台详解
目前，我们可以说中芯国际拥有两个主要对外提供服务的FinFET工艺平台，它们代表了其中芯国际在FinFET技术上的两个不同代次和性能水平。
1. 12nm/N+1平台：
技术定位： 这是中芯国际首个实现量产的FinFET工艺，定位于高性能、低功耗的消费电子、移动通信、AIoT（人工智能物联网）等市场。
技术特点：
FinFET结构： 采用三维鳍式场效应晶体管结构，实现对沟道的更好控制。
光刻技术： 主要采用DUV（深紫外光）光刻技术，通过多重曝光（Multipatterning）等技术来达到12nm的线宽。这是一种相对成熟但成本和复杂度较高的光刻方式，与EUV（极紫外光）相比，在成本和产能上可能存在差异。
工艺性能： 相比其28nm HKMG等成熟工艺，12nm/N+1平台在单位面积的晶体管密度、性能（速度）和功耗方面都有显著提升。它能够满足中高端芯片的需求。
应用领域： 主要应用于驱动芯片、电源管理IC（PMIC）、部分应用处理器（AP）、网络通信芯片等。
2. 7nm/N+2平台：
技术定位： 这是中芯国际在FinFET工艺上的一个重要飞跃，标志着其进入了7nm（以及更先进）工艺的制造行列。该平台旨在提供更高的性能和更低的功耗，以满足更严苛的应用需求，例如高端智能手机SoC、高性能计算（HPC）等。
技术特点：
FinFET结构： 同样采用FinFET结构，但通常在鳍片高度、宽度、间距以及栅极工程等方面进行了更精细的设计和优化，以进一步提升晶体管性能。
光刻技术： 这是N+2平台与N+1平台最关键的区别之一。 为了达到7nm的工艺节点，普遍认为中芯国际的N+2平台可能采用了先进的DUV多重曝光技术，例如8道或更多次的DUV曝光来达到极高的分辨率。与使用EUV的7nm工艺相比，DUV多重曝光的生产流程会更加复杂，成本更高，良率也可能面临更大的挑战。但如果能成功实现，也代表了其在DUV工艺极限应用上的强大能力。
工艺性能： N+2平台的目标是提供比12nm/N+1平台更高的性能（例如，更快的时钟频率）和更低的功耗。晶体管密度也会有显著提升。
应用领域： 理论上可以用于更复杂的SoC设计，如旗舰手机芯片、高性能AI加速器、部分服务器CPU等。
需要注意的是： 中芯国际的工艺命名方式，如“N+1”、“N+2”，往往是为了与国际领先工艺节点（如12nm、7nm）相对应，但具体的性能和技术指标可能会有差异。这些名称更多是市场营销和对外沟通的标识。
三、 处于业界什么水平？
要准确评估中芯国际FinFET工艺的业界水平，我们需要与全球顶尖的晶圆代工厂进行对比，主要包括台积电（TSMC）和三星（Samsung）。
领先者（台积电、三星）：
EUV技术： 台积电和三星在7nm及更先进的5nm、4nm、3nm工艺节点上，已经广泛且成熟地应用了EUV光刻技术。EUV能够实现更精细的图案化，大大简化了多重曝光的步骤，提高了生产效率，降低了成本，并能在更小的尺寸下实现更好的性能和功耗。
工艺节点： 目前，领先者已经量产并推进至3nm甚至2nm级别的工艺。
技术积累： 在FinFET技术开发和量产方面，拥有近十年的积累，积累了丰富的knowhow和良率控制经验。
中芯国际FinFET工艺的业界定位：
12nm/N+1平台：
地位： 处于第二梯队的成熟节点。这个平台的主要优势在于其成本效益和成熟度，能够为中高端市场提供可靠的解决方案。
对比： 相较于领先者在5nm及以下节点的EUV技术，中芯国际的12nm/N+1平台仍在使用DUV多重曝光。这意味着其在绝对的性能、功耗和晶体管密度上，与领先者在同一代（或更先进）工艺上存在差距。但对于许多应用而言，12nm/N+1已经足够优秀，并且在成本上可能更具竞争力。
优势： 在国内供应链自主可控的背景下，12nm/N+1平台具有重要的战略意义，能够支持本土芯片产业的发展。
7nm/N+2平台：
地位： 代表了中芯国际在FinFET技术上的重要突破，使其进入了7nm级别的制造领域。这是一个非常关键的节点，因为它意味着中芯国际能够制造更复杂、更高性能的芯片。
对比：
技术路径： 如果N+2平台确实主要依靠先进DUV多重曝光来实现7nm，那么它在技术路径上与领先者采用EUV的7nm存在显著差异。这意味着其在生产效率、成本和良率方面可能面临更大的挑战，尤其是在追求极致性能和功耗时。
性能和密度： 理论上，N+2平台可以与领先者的早期7nm工艺（使用DUV多重曝光）媲美，但在与领先者先进的EUV 7nm、5nm工艺相比时，仍有一定差距。
业界影响： N+2平台的量产，尤其是在受到外部技术限制的情况下，在中国半导体产业中具有里程碑式的意义。它证明了中芯国际在突破技术瓶颈上的能力，为国内客户提供了更先进的制造选项。然而，在全球范围内，它还属于追赶者的行列，尤其是在EUV技术的应用和工艺迭代速度上。
总结来说，中芯国际的FinFET工艺目前处于一个“追赶并突破”的阶段：
12nm/N+1平台已经成熟并广泛应用，在成本和可靠性方面具有优势，但性能和密度上落后于全球领先的5nm及以下工艺。
7nm/N+2平台是中芯国际在FinFET技术上的重大进展，使其能够制造更高性能的芯片，尤其是在克服EUV技术限制的情况下，其DUV多重曝光技术的应用能力得到了体现。然而，与已经成熟应用EUV的领先者相比，它在绝对的技术水平、生产效率和成本效益上仍有追赶的空间。
中芯国际FinFET工艺的未来发展，将取决于其在技术研发上的持续投入、对新光刻技术的探索（例如，如果未来能够应用EUV）、以及其在工艺集成和良率控制上的不断优化。尽管存在挑战，但其在先进逻辑工艺上的进步，对于中国半导体产业的自主发展至关重要。
一、 中芯国际FinFET工艺的发展历程：追赶与突破
FinFET（Fin FieldEffect Transistor）技术，顾名思义，是指晶体管的栅极以鳍片（Fin）状结构环绕沟道，相比传统的平面MOSFET，它能更好地控制沟道电流，显著降低漏电，提高性能和能效。这一技术是当前先进逻辑工艺的核心。
中芯国际很早就意识到FinFET技术的重要性，并积极投入研发。虽然起步较晚于全球领先的晶圆代工厂（如台积电、三星），但中芯国际通过自主研发和与国际先进技术的合作，一步一个脚印地推进其FinFET工艺的成熟。
早期探索与14nm/12nm阶段： 中芯国际最早的FinFET尝试可以追溯到其14nm及12nm节点。这个阶段的开发是技术难度最大的，需要掌握全新的器件结构设计、光刻技术、材料科学和工艺集成等一系列关键技术。在这个过程中，中芯国际不仅建立了自身的FinFET工艺平台，也积累了宝贵的经验。12nm工艺，也被称为N+1或12nm LP（Low Power），是中芯国际首个量产的FinFET工艺，主要用于成熟的消费电子和物联网领域，为后续更先进节点的开发奠定了基础。
N+1、N+2及更先进节点的演进： 随着技术的发展，中芯国际推出了更先进的FinFET工艺节点，通常以“N+”系列命名。例如，N+1是其12nm工艺的改进版本，性能和功耗得到优化。而N+2则代表了中芯国际在7nm级别工艺上的突破，这是其FinFET技术迈向更先进节点的重要一步。这两个平台在技术上都有各自的特点和应用领域。
二、 中芯国际FinFET工艺平台详解
目前，我们可以说中芯国际拥有两个主要对外提供服务的FinFET工艺平台，它们代表了其中芯国际在FinFET技术上的两个不同代次和性能水平。
1. 12nm/N+1平台：
技术定位： 这是中芯国际首个实现量产的FinFET工艺，定位于高性能、低功耗的消费电子、移动通信、AIoT（人工智能物联网）等市场。
技术特点：
FinFET结构： 采用三维鳍式场效应晶体管结构，实现对沟道的更好控制。
光刻技术： 主要采用DUV（深紫外光）光刻技术，通过多重曝光（Multipatterning）等技术来达到12nm的线宽。这是一种相对成熟但成本和复杂度较高的光刻方式，与EUV（极紫外光）相比，在成本和产能上可能存在差异。
工艺性能： 相比其28nm HKMG等成熟工艺，12nm/N+1平台在单位面积的晶体管密度、性能（速度）和功耗方面都有显著提升。它能够满足中高端芯片的需求。
应用领域： 主要应用于驱动芯片、电源管理IC（PMIC）、部分应用处理器（AP）、网络通信芯片等。
2. 7nm/N+2平台：
技术定位： 这是中芯国际在FinFET工艺上的一个重要飞跃，标志着其进入了7nm（以及更先进）工艺的制造行列。该平台旨在提供更高的性能和更低的功耗，以满足更严苛的应用需求，例如高端智能手机SoC、高性能计算（HPC）等。
技术特点：
FinFET结构： 同样采用FinFET结构，但通常在鳍片高度、宽度、间距以及栅极工程等方面进行了更精细的设计和优化，以进一步提升晶体管性能。
光刻技术： 这是N+2平台与N+1平台最关键的区别之一。 为了达到7nm的工艺节点，普遍认为中芯国际的N+2平台可能采用了先进的DUV多重曝光技术，例如8道或更多次的DUV曝光来达到极高的分辨率。与使用EUV的7nm工艺相比，DUV多重曝光的生产流程会更加复杂，成本更高，良率也可能面临更大的挑战。但如果能成功实现，也代表了其在DUV工艺极限应用上的强大能力。
工艺性能： N+2平台的目标是提供比12nm/N+1平台更高的性能（例如，更快的时钟频率）和更低的功耗。晶体管密度也会有显著提升。
应用领域： 理论上可以用于更复杂的SoC设计，如旗舰手机芯片、高性能AI加速器、部分服务器CPU等。
需要注意的是： 中芯国际的工艺命名方式，如“N+1”、“N+2”，往往是为了与国际领先工艺节点（如12nm、7nm）相对应，但具体的性能和技术指标可能会有差异。这些名称更多是市场营销和对外沟通的标识。
三、 处于业界什么水平？
要准确评估中芯国际FinFET工艺的业界水平，我们需要与全球顶尖的晶圆代工厂进行对比，主要包括台积电（TSMC）和三星（Samsung）。
领先者（台积电、三星）：
EUV技术： 台积电和三星在7nm及更先进的5nm、4nm、3nm工艺节点上，已经广泛且成熟地应用了EUV光刻技术。EUV能够实现更精细的图案化，大大简化了多重曝光的步骤，提高了生产效率，降低了成本，并能在更小的尺寸下实现更好的性能和功耗。
工艺节点： 目前，领先者已经量产并推进至3nm甚至2nm级别的工艺。
技术积累： 在FinFET技术开发和量产方面，拥有近十年的积累，积累了丰富的knowhow和良率控制经验。
中芯国际FinFET工艺的业界定位：
12nm/N+1平台：
地位： 处于第二梯队的成熟节点。这个平台的主要优势在于其成本效益和成熟度，能够为中高端市场提供可靠的解决方案。
对比： 相较于领先者在5nm及以下节点的EUV技术，中芯国际的12nm/N+1平台仍在使用DUV多重曝光。这意味着其在绝对的性能、功耗和晶体管密度上，与领先者在同一代（或更先进）工艺上存在差距。但对于许多应用而言，12nm/N+1已经足够优秀，并且在成本上可能更具竞争力。
优势： 在国内供应链自主可控的背景下，12nm/N+1平台具有重要的战略意义，能够支持本土芯片产业的发展。
7nm/N+2平台：
地位： 代表了中芯国际在FinFET技术上的重要突破，使其进入了7nm级别的制造领域。这是一个非常关键的节点，因为它意味着中芯国际能够制造更复杂、更高性能的芯片。
对比：
技术路径： 如果N+2平台确实主要依靠先进DUV多重曝光来实现7nm，那么它在技术路径上与领先者采用EUV的7nm存在显著差异。这意味着其在生产效率、成本和良率方面可能面临更大的挑战，尤其是在追求极致性能和功耗时。
性能和密度： 理论上，N+2平台可以与领先者的早期7nm工艺（使用DUV多重曝光）媲美，但在与领先者先进的EUV 7nm、5nm工艺相比时，仍有一定差距。
业界影响： N+2平台的量产，尤其是在受到外部技术限制的情况下，在中国半导体产业中具有里程碑式的意义。它证明了中芯国际在突破技术瓶颈上的能力，为国内客户提供了更先进的制造选项。然而，在全球范围内，它还属于追赶者的行列，尤其是在EUV技术的应用和工艺迭代速度上。
总结来说，中芯国际的FinFET工艺目前处于一个“追赶并突破”的阶段：
12nm/N+1平台已经成熟并广泛应用，在成本和可靠性方面具有优势，但性能和密度上落后于全球领先的5nm及以下工艺。
7nm/N+2平台是中芯国际在FinFET技术上的重大进展，使其能够制造更高性能的芯片，尤其是在克服EUV技术限制的情况下，其DUV多重曝光技术的应用能力得到了体现。然而，与已经成熟应用EUV的领先者相比，它在绝对的技术水平、生产效率和成本效益上仍有追赶的空间。
中芯国际FinFET工艺的未来发展，将取决于其在技术研发上的持续投入、对新光刻技术的探索（例如，如果未来能够应用EUV）、以及其在工艺集成和良率控制上的不断优化。尽管存在挑战，但其在先进逻辑工艺上的进步，对于中国半导体产业的自主发展至关重要。
网友意见
14应该算一个，对标T的16，但具体对标哪个，呵呵！第二代N+1，对标T的12，但具体对标哪个，继续呵呵；最后是N+2，设计规则是10和7之间；
至于为啥说具体对标就呵呵，看下面两图，第一张是T的16/12平台演化，就类似于INTEL的14++++，T也不是做好了就结束了，一直在原有基础上提高改进PPA啊
第二张是和某设计公司前同事聊天，看不懂就权当我们在胡说八到 ，那哥们评价S家为半代；说白了就是和T最早的13年的FF比，PPA还差着不少意思呢！
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