放一张老图,可以看出来,英特尔10纳米和台积电7纳米类似。
英特尔当年工艺领先,不愿意搞数字游戏,后来无法维持领先,还不搞就有一种落后的感觉。所以也加入了这种数字游戏。
当然,实际上这个晶体管密度只是低频下的晶体管密度。高频下没这么密,差不多一半左右。台积电7纳米甚至不到一半。
另外其实可以说一下,现在世界上所有的尖端制成,其实都是7纳米衍生版。台积电的5纳米,4纳米,三星的5纳米,4纳米,其实都是7纳米的衍生版。大部分提升也不是提升高频模块。所以三星7纳米拉垮了,5纳米和4纳米也不行。
三星4纳米可以看我下面的链接。
计算机的架构和制程的显著更新要3-4年左右。每年的小改进更多是为了市场营销而已。下一次显著改进应该等3纳米的GAA结构。(高通之前贪便宜用三星工艺,现在等不住了,又去找台积电弄8g2,笑死了。高通自己也挺急的,估计5月就在机器上见到了。所以其实不建议买 8g1的手机。)另外每次有人拿着营销的什么什么图出来,说提升多少多少我就想笑。要是arm的提升图真的能做到所有频率,所有库里的晶体管都有这种提升,arm公版早就领先苹果a系列了。
英特尔的10纳米superfin其实在那个密度下漏电控制,频率上,打磨下来其实已经非常不错了。
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