如何看待长春光机所 EUV 光刻机进展？
要理解长春光机所的进展，咱们得先知道EUV光刻机到底是怎么回事，以及它有多难。
EUV光刻机：微观世界的雕刻师
简单来说，光刻机就是制造芯片的“印钞机”。芯片上布满了密密麻麻的电路，光刻机的作用就是用光，通过一个叫做“光罩”（mask）的模板，将电路图案“印”在涂有光刻胶的硅片上。
那EUV光刻机又有什么特别的呢？
1. 极紫外光（EUV）： 传统的深紫外（DUV）光刻技术使用的光波长大概在193纳米。而EUV光波长只有13.5纳米。你想想，波长越短，能“看到”和“雕刻”的细节就越精细。这就像用更细的针写字，自然能写出更小的字，电路密度也就越高，芯片性能也就越强。
2. 光源： 产生EUV光是一件极其困难的事情。EUV光会被大多数材料吸收，包括空气。所以，EUV光刻机的工作环境必须是真空，而且光源也需要特殊的产生方式。目前主流的方式是“激光等离子体”（LaserProduced Plasma, LPP）技术，就是用高能激光轰击特种金属液滴（比如锡），使其瞬间汽化并电离，产生等离子体，从而发射出EUV光。这个过程的能量转换效率非常低，需要产生大量的EUV光才能满足制造需求。
3. 光学系统： 由于EUV光会被透镜吸收，所以EUV光刻机不能用传统的玻璃透镜。它只能使用特殊的“反射镜”。这些反射镜需要在极高的精度下制造，表面必须极其平坦，而且要涂上多层极薄的特殊反射膜（比如钼/硅多层膜），才能将EUV光高效地反射回来。一个EUV光刻机里，这样的反射镜有好几面，它们的精确度和对准能力是决定成败的关键。
4. 精密机械与控制： 整个过程就像在分子尺度上进行精密雕刻，需要极高的机械精度和控制稳定性。光罩、硅片、反射镜等所有部件的移动、对准，都必须在微纳米级别上做到毫秒不差。
为什么EUV如此重要？
掌握EUV光刻技术，意味着国家在先进半导体制造领域拥有了核心竞争力。我们知道，目前全球最先进的芯片，比如高端手机处理器、AI芯片等，都需要EUV光刻机才能制造。如果一个国家没有EUV光刻机，就只能依赖于少数几个掌握这项技术的国家，这在国家安全和经济发展上都会受到制约。
长春光机所的进展：为什么值得关注？
对于长春光机所（CASCMI）在EUV领域的进展，大家之所以如此关注，是因为它代表了中国在这一极端技术领域试图突破的努力。长久以来，EUV光刻机技术被荷兰ASML公司垄断，这不仅是技术上的壁垒，也是地缘政治上的挑战。
长春光机所在EUV光刻机领域的研究，可以从几个关键环节来理解：
光源技术： 这是EUV光刻机的“心脏”，也是最难攻克的技术之一。长春光机所在EUV光源的产生、效率提升、稳定性控制等方面进行了深入研究。他们可能在激光、等离子体物理、高功率脉冲技术等方面积累了经验，并尝试开发自己的EUV光源系统。
光学系统： 研制高精度的EUV反射镜是另一大挑战。这涉及到超精密加工、表面测量、薄膜沉积等多个尖端领域。长春光机所可能会在这些方面取得突破，例如能够制造出更高质量、更高反射率的EUV镜片，并掌握其制造工艺。
整机集成： 从光源到光学系统，再到真空环境、精密机械、控制系统，最终将所有模块集成起来，形成一台能够实际工作的EUV光刻机，这需要跨学科的集成能力和海量的工程经验。即使各个单项技术有所突破，将它们有机地整合在一起，并达到工业级的可靠性和性能，也是一个极其复杂和漫长的过程。
我们应该如何看待这些进展？
1. 这是一个系统工程，任重道远： EUV光刻机的研制不是一朝一夕能完成的，它是一个庞大的、涉及多个尖端科学和工程领域的系统工程。即使有了关键技术的突破，距离能够大规模、稳定地生产出先进芯片的光刻机，还有很长的路要走。
2. “进展”的定义很重要： 消息中提到的“进展”，具体是指在某个关键技术环节（比如光源效率提升、反射镜精度提高）取得了阶段性成果，还是说已经造出了可以用于实际生产的EUV光刻机原型？这两者的含义是完全不同的。我们需要更具体、更量化的信息来评估进展的程度。
3. 突破单点不等于突破全局： 即使在某个技术点上取得了亮眼的成果，比如成功产生了稳定的EUV光源，或者制造出了合格的反射镜，这也不代表整个EUV光刻机项目就成功了。将这些技术有机整合，并达到 ASML 那样的生产水平，还需要无数次的迭代和优化。
4. 信息披露的审慎： 在这样一个高度敏感且竞争激烈的领域，对于任何进展的披露，都需要非常谨慎。过度的渲染可能会带来不切实际的期望，而过于保守的保密又可能让外界无法了解真实情况。
5. 关注长期的战略意义： 即使长春光机所的EUV光刻机项目短期内无法完全赶上ASML，它所积累的技术和人才，对于中国半导体自主化进程的长期战略意义是巨大的。这些研究能够带动相关产业的发展，培养出一批顶尖的科学家和工程师。
总结一下：
长春光机所在EUV光刻机领域的进展，无疑是令人振奋的。它体现了国家在关键技术领域不懈努力和决心。然而，我们也应该认识到EUV光刻机制造的极端复杂性和难度，这是一个需要持续投入、长期坚持的攻坚战。我们既要为取得的每一分进步感到高兴，也要保持清醒的头脑，理解其中的挑战，并期待着中国在半导体制造领域能够不断取得更大的突破。
对于这些进展，与其说是“看到了曙光”，不如说是“正在努力点亮前方的道路”。这条路很长，但每一步都至关重要。
网友意见
事件背景：
极紫外光刻机（EUV）的进展 :
1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所在2016年验收了原理技术样机，在近两年会下线第一台验证机。
光刻机的两大核心部件为双工件台和曝光系统。
清华大学朱煜教授带领的团队在2014年研发出工件台样机，掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到MA：2.2nm、MSD:4.7nm，
【使中国成为第二个掌握此技术的国家[惊喜]。】
随后依托该技术产业化成立华卓精科向市场推出商用光刻机双工件台产品。
另外在EUV曝光系统方面，长春光机所于【2002年】研制国内第一套EUV光刻原理装置，于2016年成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，2017年32nm线宽的13.5nm极紫外光EUV光刻曝光系统通过验收。科益虹源在2018年成功商用的浸没式193nm准分子激光器。
其它核心器件技术方面，依托浙江大学研发团队的启尔机电推出了可用于最高11nm制程浸没式光刻机的浸液系统。中微半导体也推出用于5nm制程蚀刻机。南大光电研发出193nm光刻胶。华为自研EDA已进行7纳米验证。
2.极紫外光源方面，哈尔滨工业大学方面负责的DPP-EUV光源已经到了接近12* W的水平，基本可以支持中国科学院长春光学精密机械与物理研究所完成-套一小时曝光60-70片12英寸晶片极紫外光刻机验证机。
3.在光刻机物镜方面由北京某企业负责的物镜超精密加工机床也通过了验收。
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三篇文章大家自己体会。。。光源也许可以买德国人的(现在ASML的EUV光源是德国通快独家供货和美国cymer无关)，但哈工大也在研发！【2021.06.28更新，德国通快的EUV光源模块里也有美国大通技术，看来是绕不开了】
这里有个前提：
2017年10月4日 – 通快公司宣布收购美国华盛顿州靠近西雅图的爱福莱特市的Access Laser（大通激光）的85%的股份。Access Laser是一个从事生产高精度低功率CO2激光器的制造商，其生产的激光器用在尤其是在EUV光刻中制造微芯片。此次并购让TRUMPF成功地把一个关键供应商整合到EUV科技供应链当中。
【通快本身就会搞激光器，不知道通快给ASML的光源里是否还有Access Laser（大通激光）的技术。如果通快现在自己也能造了，可以避开美国技术，那么供货不成问题。】
其一：德国光源巨头通快公司和长春光机所合作！
全球激光巨头德国通快公司与长春光机所签订合作项目
作者：时光机器猫 【2015-01-20】来源: 网易（报道时间是2015。。。）
OFweek激光网讯：日前，全球最大的激光企业--德国通快集团（TRUMPF，简称“通快”）与长春光机所发光学及应用国家重点实验室佟存柱研究员团队签订了为期两年的研究开发合同，这也是通快公司首次与中国研究机构进行合作，并全额出资进行研发。 2015年3月，在长光所国际合作处的邀请下，通快公司研发主管Berthold Schmidt博士访问长春光机所并为双方合作奠定基础。Berthold博士对双方的合作评价说“这是一次激动人心的合作，重要的是双方找到了共同的兴趣点；除了技术层面，这也是文化层面的一次合作，这是通快第一次与一家中国研究所进行项目合作研究。”他们也坚信“长春光机所是非常优秀的合作伙伴。”该项目在德国"工业4.0"和"中国制造2025"的大背景下，为双方的长期合作开启了新的篇章。 德国通快集团是全球制造技术领域的主导企业之一，1923年成立至今，已具有90多年辉煌历史。通快集团总部位于德国斯图加特市附近的迪琴根(Ditzingen)，在工业激光及激光系统领域是技术及市场的全球领导者，是全球机床制造的领军企业，在全球拥有五十多家子公司，2014-2015财务年度销售额达29亿欧元。
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其二：德国通快是ASML唯一EUV光源供货商，量产EUV光刻机的光源并不是美国Cymer提供的。
激光技术助力EUV光刻：ASML、通快携手共进。
为强化光刻技术，ASML于2012年收购全球知名准分子激光器厂商Cymer，以加强光刻机光源设备及技术；三年后的2015年，ASML向通快订购了15台EUV光刻工具。自那以后，EUV光刻业务成了通快发展的重心之一，2016年至今的历年财报均强调EUV业务为通快集团业务作出了重大贡献，近两年通快更是指出只有EUV和电子产品业务实现了逆势增长。2017年，通快宣布成功收购Access Laser 85％的股权，后者建立早期专注研发CO2激光器，利用在定制激光器方面的强大知识，于2012年成为EUV市场的核心供应商。收购完成后，通快迅速加强EUV相关设备研发，一举成为ASML EUV光刻机光源的独门供应商。
EUV光刻是光刻机发展的第五代技术，也是目前最先进的技术。前四代光刻机使用都属于深紫外光（准分子激光器产生UV激光束），但在摩尔定律的推动下，半导体产业对于芯片的需求已经发展到5nm，甚至是3nm，浸入式光刻面临更为严峻的镜头孔径和材料挑战。可将最小工艺节点推进至5nm、3nm的第五代 EUV光刻机成了半导体行业不可或缺的重磅武器。
EUV光刻最大的挑战之一是如何产生波长极短的13.5nm的光。为实现这一点，荷兰ASML（光刻系统制造商）、德国Zeiss（镜头制造商）和德国Trumpf（光源制造商）紧密合作，通过多年努力最终研制出每秒可加工100多个晶圆的独一无二的CO2激光系统。这套系统的工作过程为：锡发生器每秒发射5万滴锡珠，通过真空室并被激光脉冲击中。当激光脉冲击中锡珠时，锡珠被电离并产生高强度的等离子体，同时发出波长为13.5nm的EUV光。随后收集器收集EUV光，并通过反射镜将其输送到光刻机上，对晶圆进行雕刻。
为了产生能使锡珠电离的激光脉冲，德国通快集团基于其二氧化碳激光技术开发了一套独一无二的激光放大器。在五个放大阶段中，该设备可提升一个较弱的激光脉冲超过10000次，输出的激光脉冲超过3万瓦的平均脉冲功率，脉冲峰值功率可以高达为几兆瓦。
EUV光刻市场的机遇为通快集团业绩提供了有力支撑。通快2019/20财年年报显示，有关EUV应用的销售额同比增长了近20％，达4.6亿欧元。随着市场对EUV光刻需求的进一步提升，2020/21财年，通快EUV市场销售还将进一步增长。
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其三：通快官网最新信息
德国通快(Trumpf)给asml 提供euv光刻机的EUV激光光源。
EUV 光刻是未来微芯片制造方法中的翘楚。多年来，半导体产业一直在寻找符合成本效益并且能批量处理的方法，以便借此在硅晶片上曝光更小的结构。ASML、Zeiss 和通快合作开发了一项技术，用以获得波长为 13.5 纳米的工业用极紫外光 (EUV)：在真空室内，液滴发生器每秒发射 50,000 个锡液滴。每一个液滴被 50,000 个激光脉冲中的一个击中并变为等离子体。由此产生 EUV 光，再通过反射镜将其引到需要曝光的晶片上。用于等离子体辐射的激光脉冲来自通快所开发的脉冲式 CO2-激光系统——通快激光放大器。【从几瓦到 40 千瓦】通快激光放大器将激光脉冲连续放大 10,000 倍以上。
看样子通快不仅生产EUV光源，EUV激光放大器也一起搞！
以上消息2021年05月06日更新。
下面是之前的原回答：
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哈工大已经做出120瓦左右的DPP-EUV光源了，做一个每小时50片的验证机还是没问题的。（这事前后也布局20年了）应该已经交给中科院长春光机所搭建了一个实验光刻平台，之前就传言在测试了，但是DPP功率提高不容易。
2021年是中国半导体产业最黑暗的一年。俗话说得好，黎明前是最黑暗的时刻。今年国产光刻机就能下线，明年就是黎明之时。关注国产EUV光刻机和半导体的朋友可以看看B站UP：一水遮夏
这是一水遮夏关于今年年底国产DUV光刻机和纯国产28nm生产线的消息，也包括EUV光刻机动态。
知乎里一片鼓吹全球没有一个国家能单独做EUV，我看了就好笑！EUV光刻机是商业行为，别人不造绝对不可能完全是技术问题，日本早几年就能做可用的EUV光源，但是造EUV光刻机是商业行为，尼康、佳能现在是没钱来做。但中国不同，工信部已经组织了近百家企业成立了【集成电路标准委员会】！中芯国际在北京的中芯京城年内投产一条纯国产28nm生产线，上海微电子提供的DUV光刻机不止能造28nm，改进工艺后多次曝光最高能到7nm。
中国现在是除了荷兰ASML外全球唯一可以做光刻机双工件台的，拿哈工大之前就搞出的120W EUV光源，搭建个EUV实验光刻设备有什么好奇怪的？
我要说的不是中国现在真就能立马量产5nm工艺芯片，而是咱们并不是一穷二白！中国两年之内肯定可以造出成熟的EUV光刻机，我想引用比尔盖茨问特朗普的话，大意是：“你现在拿芯片制裁中国，逼中国去研发，等中国能造了，你拿还什么制裁？”
有人说我推荐股票？我特么自己都不炒股，韭菜思维真的恶心。
产业分析能不讲企业名字？ 说三遍：
我不推荐股票，我自己都不炒股
我不推荐股票，我自己都不炒股
我不推荐股票，我自己都不炒股！
日本Gigaphoton公司在2017年就研发出188瓦的LPP EUV光源了，而ASML的实用化EUV光刻机是250瓦功率LPP EUV光源。
中科院上海光机所这篇文章不知为何，我引用了之后就被删了，下面有内容↓
EUV光源实现连续输出140W
发布时间： 2015-03-28 10:08:39 作者：本站编辑 来源： http://industrial-lasers.com 浏览次数：44
日本光刻光源制造商Gigaphoton公司为EUV光刻机设计的激光驱动等离子（LPP）光源样机在占空比50%实现了连续输出140W。而业界普遍认为140W输出功率可以达到EUV光源实现批量生产应用的要求。 实现这一成果是公司不断完善其开发的关键技术的结果，即液滴生成器产生的锡滴直径小于20μm；单波长、固态预脉冲及主脉冲CO2激光器；采用高输出超导磁体和锡蚀刻的碎片移除技术。在占空比为50%实现连续输出功率140W象征着该产业已经接近实现大批量生产应用的EUV光刻机的最后阶段。 公司继续努力研发争取在2015年底实现250W输出。
用于大规模光刻制造的LPP-EUV光源
发布时间： 2017-02-10 12:52:14 作者：本站编辑 来源： 本站原创 浏览次数：110
日本Gigaphoton公司一直致力于研发面向半导体光刻大规模生产（HVM）的激光等离子体极紫外光源（LPP-EUV）。其中包含一些独特的技术特点，诸如高功率短脉冲的CO2激光、短波固态预脉冲激光，以及磁场碎片减缓技术。本文将介绍高功率LPP-EUV光源的核心技术。同时，也将展示最新的性能数据，相应的测试参数为：EUV中间焦点处（IF）的功率188W，在100kHz下有3.7%的转换效率。
1. 前言
LPP-EUV光源由于其功率可拓展的特性，成为了13.5 nm光刻技术最被看好的高功率光源解决方案。该光源通过将高功率的CO2激光打在锡液滴上产生13.5 nm波长的光。LPP-EUV工程上的难点集中在，将高功率CO2激光打到锡液滴的过程上，以及收集器镜面的锡残渣减缓。EUV光线发射之后，生成的锡残渣会沉降在收集器的镜面上，致使镜面反射率降低，最终造成光源功率的损失。锡屑沉积可以通过优化管道内的氢气（H2）气流来减缓。然而，氢气流速的增加随之会引入热效应，并将造成激光射击的困难。为了解决该问题，我们研发了双波长射击法，结合了高功率短脉冲的CO2激光和短波长固态预脉冲激光，并且将磁场引入到了残渣减缓的技术中。
2. LPP-EUV光源系统
2.1 结构
图5展示了我们提出的LPP-EUV光源系统的结构，由驱动激光器、光束传递系统和EUV腔系统三部分组成。驱动激光系统包含CO2激光器和预脉冲激光器。其中CO2激光器是一套主振功率放大（MOPA）系统。该主振荡器包含多个量子级联激光器，一套再生放大器，和一套基于射频放电激发、平板波导和多程放大器的后置放大系统。
预脉冲激光和CO2激光束在光束传输系统中被混合起来，并通过EUV腔系统中的对焦单元导入到等离子体态的锡液滴上。锡等离子体产生的EUV光束被收集镜收集起来，并导入到曝光系统中。超导磁场系统位于EUV腔外部，并能在EUV腔内产生高强度的磁场，从而保护收集器镜面不受锡等离子体产生的高速锡离子的影响。此外，该系统配备有若干套射击控制回路，如液滴定位控制、激光光束轴、定时控制器，以确保液滴和激光器间能拥有μm至nm量级的射击精度。
图5 LPP-EUV光源系统结构图
2.2 预脉冲技术
预脉冲激光技术对于获得高转换效率至关重要。获取高的转换效率是将EUV功率提升至250W水平最合理的方案，该水平是目前可用于大规模生产的目标。图6（a）和（b）分别展示了在CO2激光辐射前经过10 ns（a）和10 ps（b）的预脉冲激光辐射后，锡薄雾的形状。图6（c）展示了在使用10 ps预脉冲激光的情况下经CO2激光辐射后光束的发射情况（上：可见光CCD成像，下：X线CCD成像，EUV成像）。另一方面，经过10 ps预脉冲辐射的液滴是一个穹顶型的靶。该穹顶型的靶通过图6（c）所示的较宽的EUV发射区域，可以带来高的转换效率。图7（a）和（b）展示了在小型EUV光源实验装置中分别使用ns和ps的预脉冲激光条件下，转换效率CE和离子化率的表现。使用ps级别的预脉冲激光技术可以达到超过4.5%的高转换效率。且其离子化率高达超过98%。
2.3 磁性残渣减缓技术
磁性残渣减缓技术被用于最大化收集镜面的寿命，而图7（b）中所示的高离子化率是该概念的核心参数。预脉冲激光可将液态的锡液滴生成均匀分布的雾状物。EUV光束通过高功率的CO2激光照射锡等离子体而生成。锡离子在超导生成的强磁场的作用下被导向离子捕捉装置。剩余的锡原子沉淀在收集镜面上并被H2气体带走。根据这个概念，几乎所有的锡残渣都可以以离子的形式被强磁场捕获，因此H2气体的流速可以实现最小化。此外，图7（a）所示的高CE可以降低CO2激光器所需的功率。以上这些意味着，高功率的EUV系统运行时，因高功率CO2激光轰击锡液滴带来的气体热效应将被最大程度削弱。
3. 系统性能表现
3.1 残渣减缓效果
图8所示为最新的收集镜面的锡沉积数据。这些数据来自于在收集镜面表面放置的鉴定板。在（a）和（b）的数据中，锡很明显地在粒子捕捉装置附近的区域沉积。这意味着，锡离子被磁场有效地捕捉到了，且磁性残渣减缓装置运行有效。锡在粒子捕捉装置附近区域的大量沉积，是该处存在逆扩散的原因所致。该现象可以通过图8（c）所示的对捕捉器进行优化得以改进。
图8 收集镜面处锡的沉降率
3.2 EUV功率
图9（a）所示的是EUV功率和CE随CO2激光功率的变化关系，100kHz，50%周期，无剂量控制。最高的EUV功率可以达到268W，CO2激光功率为22kW，CE为3.5%。我们已经通过使用100mJ脉冲能量的CO2激光，在小型EUV光源实验装置下达到了超过4.5%转化效率。这意味着我们的EUV光源系统有着更进一步的提升空间。图9（b）是加上剂量控制后的长期运行数据。EUV功率达到188W，且具备CO2激光功率控制下的优于0.3%的剂量稳定性（3σ）。运行时间为7小时。在CO2激光功率约为15kW的水平下，平均CE为3.7%。我们的EUV光源系统的功率已经接近大规模生产所需的250W大关。同时，这些数据也支持了我们的技术概念所具备的优点，如双波长轰击技术和磁性残渣减缓技术。
4. 结论
我们研制出了适于大规模光刻生产的LPP-EUV光源。展示了例如CO2激光、预脉冲激光和磁性残渣减缓技术等关键性技术。同时也展示了最新的测试数据，获得了中间焦点（IF）处188W的EUV光源功率，在100kHz下拥有3.7%的转换效率。
常哲编译自T. Saito, Y. Ueno, T. Yabu, LPP-EUV light source for HVM lithography.Proc. of SPIE Vol. 10254 102541A-1
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赛雷三分钟最近的风波，确实引起了不小的波澜。关于他冒充买不到菜的长春市民接受外媒采访，并自称是“钓鱼”这件事，我们可以从几个不同的角度来解读和看待。事件本身的回顾与疑点：首先，我们得捋清楚事情的大致脉络。据报道，赛雷三分钟（一位以“硬核”科普和爱国主义视频闻名的博主）在长春疫情期间，对外媒记者表示自.............
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一个公众号在南京大屠杀罹难者纪念日当天转载龙应台的《长春围城令人不寒而栗》一文，这件事情可以从多个角度来理解和评价，其中涉及到历史事件的严肃性、纪念日的意义、文章的性质以及公众号的运营目的。一、 事件本身及可能引发的联想： 时间节点的特殊性： 南京大屠杀纪念日是一个庄重、严肃且充满悲痛的日期，旨.............
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您好！关于侮辱牺牲民警曲玉泉的微博用户“lukehcen0”和“长春社会姐”被警方查获一事，我们可以从以下几个方面来详细解读：1. 事件的性质：侮辱英烈，挑战社会公序良俗 侮辱英烈罪的法律界定： 曲玉泉同志是在执行公务过程中英勇牺牲的，他代表着国家公权力，代表着维护社会秩序和人民生命财产安全的职.............
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看待网红博主王境泽对2022年3月长春疫情的发声，需要从几个层面去分析。首先，我们要明确王境泽是谁，他的身份和影响力。其次，要回顾一下当时长春疫情的背景和状况。最后，才能结合他的发声内容，评估其意义、影响以及可能存在的争议点。王境泽是谁？很多人可能对他最深的印象是早期一个综艺节目中的一句“我就是饿，.............
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