IMEC 官方表示,没有经过聚酰亚胺钝化处理的芯片最高耐温 400 摄氏度。 使用聚酰亚胺,最高温度为 250 摄氏度
来自:Nizhnik, Oleg. (2016). Re: What is the maximum temperature a silicon chip can be exposed to after CMOS fabrication?. Retrieved from: https://www.researchgate.net/post/What-is-the-maximum-temperature-a-silicon-chip-can-be-exposed-to-after-CMOS-fabrication/56a2b2ad64e9b2954c8b4567/citation/download.
不仅取决于介电材料是否耐高温,还有其他失效的高温—时间对应关系:
众所周知半导体和引脚之间需要键合(wirebonding)链接,键合是有温度的
如果温度过高键合可能断开失效,所以温度也受键合种类影响。
当然同理,超大规模集成电路芯片内部也有大量的铜互连,铜-半导体界面会在200-250度时因为内应力断开形成开路。(DOI:10.5772/intechopen.72396)
这个问题在Reddit有一样的:
可以理解成,风280度但是吹到芯片上温度降低了。
芯片主要有三个参数与温度有关:
储存(storge)温度、工作(operating/junction)温度、焊接(lead)温度
你说的两个温度不是一回事,焊接时电路板需要预热,还要严格控制温度时间曲线。
而且你说的Tjunction一般芯片内置温度传感器的量程,280度热风吹的是bga芯片(焊球温度也就100~150度,用的锡一般是135度低温和185度中温),就算是lga的底座也就260度,没到280度。
这两个东西都不是一个维度的怎么比较
Ref:
只要没电流,一切都好说。
集成电路在工作的时候非常害怕高温,一是过热激发高能载流子会增大晶体管被击穿短路的概率;二是晶体管性能随温度会发生变化,高温会使部分电路因为性能变化无法正常工作;三是高温提高电迁移导致导线工作寿命下降。
但是这一切问题的前提都是电路正在工作,电路中有电流。如果没在工作没电流,根本不存在电迁移,也不需要在乎电路性能,至于晶体管击穿,等温度高到那种程度二氧化硅都该融化了。不上电,高温最多就制造点晶格缺陷非常微小地减低工作寿命,只要你别搞到破坏晶体结构的那种高温,芯片完全不在乎。
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