如何看待某存储今年将试产192层3D NAND，在技术上首次达到国际领先？
这家存储公司今年有望实现192层3D NAND的试产，这在技术上堪称一次里程碑式的飞跃，更是首次将我国的3D NAND技术推至国际领先的地位。这件事的意义，绝非一句“了不起”可以概括，它背后牵扯着深厚的技术积累、巨大的研发投入，以及对于整个半导体产业链的关键影响。
技术的突破：层层递进的挑战
3D NAND，顾名思义，是将存储单元堆叠起来，形成“摩天大楼”。每一层都代表着一个存储芯片的容量和性能的提升。而从早期的32层、64层，到现在的192层，每一次层数的增加，都是一次技术的极限挑战。
想象一下，你不是在平地上盖房子，而是在已经盖好的高楼上继续加盖。这其中的困难可想而知。
堆叠精度： 192层意味着要将192个独立的存储单元精准地垂直堆叠在一起。每一个微小的偏差，都可能导致整个堆叠结构的失败。这需要极其精密的设备和工艺控制，任何一丝灰尘、任何一点温度波动，都可能前功尽弃。
垂直布线： 传统的2D NAND是将电路横向排列，而3D NAND则需要将信号线和电源线垂直地贯穿每一层。随着层数的增加，这些垂直通道的孔洞会越来越深，直径也越来越小。如何确保这些“竖井”的良好导通性，如何避免信号干扰和串扰，是巨大的技术难题。
材料选择与制程： 每一层存储单元都需要使用特定的材料，并且这些材料的沉积、刻蚀等过程必须在极高的精度下进行。为了实现192层，必然需要引入更先进的材料体系和更精密的制程技术，例如更先进的ALD（原子层沉积）、CMP（化学机械抛光）等。
良率的保证： 即使技术上能够实现堆叠，但如何保证每一层、每一个单元都能稳定工作，最终形成高良率的产品，更是难上加难。任何一层出现问题，都会影响到整体的性能和寿命。
这次192层3D NAND的试产成功，意味着这家公司在上述每一个环节都取得了关键性的突破。这绝不是“跟跑”，而是“并跑”，甚至在某些技术细节上，可能已经实现了“领跑”。
“国际领先”的含金量
“国际领先”这四个字的分量非常重。在3D NAND领域，目前全球领先的厂商主要集中在三星、SK海力士、美光、铠侠（原东芝）等几家。他们早已在3D NAND技术上深耕多年，投入了巨额的研发资金和人力。
如果这家公司能够首次实现192层3D NAND的试产，并且其技术指标（如性能、功耗、成本等）能够与国际巨头相媲美甚至超越，那么意味着：
技术自主可控： 摆脱了对国外技术的依赖，掌握了核心技术，这是国家战略层面的重大突破。在当前国际形势下，自主可控的半导体技术是保障国家经济安全和科技发展的重要基石。
市场竞争力： 拥有领先的技术，意味着可以在全球市场中占据一席之地，与国际巨头展开竞争。未来生产的存储芯片，将不再是低端、低价的代名词，而是具备高附加值、高技术含量的产品。
产业链的拉动： 存储芯片是信息技术产业的“粮仓”，其技术的进步将直接拉动整个产业链的发展，包括设备、材料、软件等。这不仅仅是一家公司的成功，更是整个国家在半导体领域“从无到有，从小到大”的生动写照。
这背后的故事：冰山下的努力
任何一项技术上的“首次”都不是凭空而来的，它背后一定是无数个不眠之夜、无数次试验失败、无数次技术攻关。
巨额的研发投入： 摩尔定律的放缓，使得存储技术的进步越来越依赖于工程和工艺的创新。研发192层3D NAND，需要投入天文数字的研发费用，包括引进国际顶尖的设备、招募海内外优秀的技术人才、建立高标准的研发实验室等。
人才的储备与培养： 掌握3D NAND核心技术的工程师和科学家是稀缺资源。这家公司能够取得这样的成就，离不开其长期以来对人才的重视和培养，吸引了一批又一批优秀的“芯”人才。
产业链的协同： 半导体产业是一个高度复杂的生态系统，需要设备、材料、设计、制造等各个环节的紧密配合。这家公司能够实现192层3D NAND的试产，也离不开国内产业链上下游的协同合作和支持。
战略的眼光与耐心： 半导体技术的突破是一个长期的过程，需要有战略的眼光和足够的耐心。这家公司能够坚持不懈地投入，最终迎来技术上的“开花结果”，充分体现了其战略定位的准确和执行的坚韧。
展望未来：任重道远
虽然192层3D NAND的试产是令人振奋的消息，但我们也要清醒地认识到，半导体行业的竞争是永无止境的。
从试产到量产： 试产成功只是第一步，如何将192层技术稳定地、大规模地量产，并保证产品的可靠性和成本竞争力，是更严峻的挑战。
下一代技术的竞争： 国际巨头们不会止步不前，他们也在积极研发200层以上，甚至更高层数的3D NAND技术。同时，新的存储技术也在不断涌现。
市场格局的演变： 存储市场是一个高度周期性的市场，价格波动剧烈。如何在激烈的市场竞争中站稳脚跟，实现可持续发展，需要长远的规划和灵活的策略。
总而言之，这家存储公司在192层3D NAND技术上取得的突破，绝非仅仅是技术的进步，它更代表着我国在高端半导体领域一次重要的“突围”，为我国在未来信息技术产业的发展奠定了更加坚实的基础。这是一个值得国人骄傲的时刻，也是一个激励我们继续前进的起点。
技术的突破：层层递进的挑战
3D NAND，顾名思义，是将存储单元堆叠起来，形成“摩天大楼”。每一层都代表着一个存储芯片的容量和性能的提升。而从早期的32层、64层，到现在的192层，每一次层数的增加，都是一次技术的极限挑战。
想象一下，你不是在平地上盖房子，而是在已经盖好的高楼上继续加盖。这其中的困难可想而知。
堆叠精度： 192层意味着要将192个独立的存储单元精准地垂直堆叠在一起。每一个微小的偏差，都可能导致整个堆叠结构的失败。这需要极其精密的设备和工艺控制，任何一丝灰尘、任何一点温度波动，都可能前功尽弃。
垂直布线： 传统的2D NAND是将电路横向排列，而3D NAND则需要将信号线和电源线垂直地贯穿每一层。随着层数的增加，这些垂直通道的孔洞会越来越深，直径也越来越小。如何确保这些“竖井”的良好导通性，如何避免信号干扰和串扰，是巨大的技术难题。
材料选择与制程： 每一层存储单元都需要使用特定的材料，并且这些材料的沉积、刻蚀等过程必须在极高的精度下进行。为了实现192层，必然需要引入更先进的材料体系和更精密的制程技术，例如更先进的ALD（原子层沉积）、CMP（化学机械抛光）等。
良率的保证： 即使技术上能够实现堆叠，但如何保证每一层、每一个单元都能稳定工作，最终形成高良率的产品，更是难上加难。任何一层出现问题，都会影响到整体的性能和寿命。
这次192层3D NAND的试产成功，意味着这家公司在上述每一个环节都取得了关键性的突破。这绝不是“跟跑”，而是“并跑”，甚至在某些技术细节上，可能已经实现了“领跑”。
“国际领先”的含金量
“国际领先”这四个字的分量非常重。在3D NAND领域，目前全球领先的厂商主要集中在三星、SK海力士、美光、铠侠（原东芝）等几家。他们早已在3D NAND技术上深耕多年，投入了巨额的研发资金和人力。
如果这家公司能够首次实现192层3D NAND的试产，并且其技术指标（如性能、功耗、成本等）能够与国际巨头相媲美甚至超越，那么意味着：
技术自主可控： 摆脱了对国外技术的依赖，掌握了核心技术，这是国家战略层面的重大突破。在当前国际形势下，自主可控的半导体技术是保障国家经济安全和科技发展的重要基石。
市场竞争力： 拥有领先的技术，意味着可以在全球市场中占据一席之地，与国际巨头展开竞争。未来生产的存储芯片，将不再是低端、低价的代名词，而是具备高附加值、高技术含量的产品。
产业链的拉动： 存储芯片是信息技术产业的“粮仓”，其技术的进步将直接拉动整个产业链的发展，包括设备、材料、软件等。这不仅仅是一家公司的成功，更是整个国家在半导体领域“从无到有，从小到大”的生动写照。
这背后的故事：冰山下的努力
任何一项技术上的“首次”都不是凭空而来的，它背后一定是无数个不眠之夜、无数次试验失败、无数次技术攻关。
巨额的研发投入： 摩尔定律的放缓，使得存储技术的进步越来越依赖于工程和工艺的创新。研发192层3D NAND，需要投入天文数字的研发费用，包括引进国际顶尖的设备、招募海内外优秀的技术人才、建立高标准的研发实验室等。
人才的储备与培养： 掌握3D NAND核心技术的工程师和科学家是稀缺资源。这家公司能够取得这样的成就，离不开其长期以来对人才的重视和培养，吸引了一批又一批优秀的“芯”人才。
产业链的协同： 半导体产业是一个高度复杂的生态系统，需要设备、材料、设计、制造等各个环节的紧密配合。这家公司能够实现192层3D NAND的试产，也离不开国内产业链上下游的协同合作和支持。
战略的眼光与耐心： 半导体技术的突破是一个长期的过程，需要有战略的眼光和足够的耐心。这家公司能够坚持不懈地投入，最终迎来技术上的“开花结果”，充分体现了其战略定位的准确和执行的坚韧。
展望未来：任重道远
虽然192层3D NAND的试产是令人振奋的消息，但我们也要清醒地认识到，半导体行业的竞争是永无止境的。
从试产到量产： 试产成功只是第一步，如何将192层技术稳定地、大规模地量产，并保证产品的可靠性和成本竞争力，是更严峻的挑战。
下一代技术的竞争： 国际巨头们不会止步不前，他们也在积极研发200层以上，甚至更高层数的3D NAND技术。同时，新的存储技术也在不断涌现。
市场格局的演变： 存储市场是一个高度周期性的市场，价格波动剧烈。如何在激烈的市场竞争中站稳脚跟，实现可持续发展，需要长远的规划和灵活的策略。
总而言之，这家存储公司在192层3D NAND技术上取得的突破，绝非仅仅是技术的进步，它更代表着我国在高端半导体领域一次重要的“突围”，为我国在未来信息技术产业的发展奠定了更加坚实的基础。这是一个值得国人骄傲的时刻，也是一个激励我们继续前进的起点。
网友意见
低调点吧。
64到128,128到192，很多设备都不一定能复用的。
192目前在长存还属于实验室产品，不是量产产品。
先努力做好手头的64，从消费级到企业级，再做好128。
长存已经做的很牛逼了，各位别揠苗助长。
胡说，乱放卫星。
长存64层量产刚刚成熟，128层量产还在泥泞之中艰难摸索，192量产还没影儿呢。
长存没有技术优势，依然在一个艰难追赶头部公司三星海力士镁光的过程中。长存依然弱小落后，长存对比起三星海力士美光，差距就如小白鼠之于大肥猪一样。
请大家不要盲目相信外面的流言风雨，闪存领域三星海力士镁光依然是处在绝对优势，并且会在很长的未来依然处在绝对优势中。
灯塔国下手的时候请瞄准那些肥的更有前途的，谢谢。
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