消息人士称闻泰科技旗下安世半导体将收购英国最大芯片制造商，意味着什么？ 第1页

2021年7月5号Nexperia获得Newport Wafer Fab的100%所有权，正式更名为Nexperia Newport

收购已经完成。

意味着，安世花小钱新扩了35k片200mm/月产能的新的产线，而且折旧已经完毕。制程上支持0.18-0.7um。

收购前，安世是newport wafer fab的第二大股东。

经营情况来看。

2017-2019年收入 1.6/1.0/0.6亿美金。gross margin 13.4%/-0.5%/-5.2%。

资产来看。

截至2019年底，总资产0.5亿美金、固定+无形0.3亿美金、净资产0.26亿美金。

2019年折旧 仅 600万美金、相比于2015年的0.3亿美金折旧摊销。产线基本已经折旧完了。

总体来说，竞争力已经很差了。3万片的产能，0.18um-0.7um的IDM，本身应该毛利率做到很高的，至少也应该逐步提高。是因为产能利用率很低的原因，基本没什么规模效应。

8寸片的功率产品。至少卖到8寸功率wafer 价格 大概400-700美金。一年假设稼动率100%。36万片 就是 大概1.44亿-2.52亿美金。

2019年现在的稼动率可能连50%都不够了。说明业务做的其实蛮艰辛的。

员工来看。

2012-2013年巅峰人数为595人。2019年走了30%以上，剩下389人。

这笔交易如何？

按照新闻，交易为6300万英镑，我们不知道收购了多少股权，我们先对公司估值。

（据 CNBC 报道，这笔交易的价值尚未披露，但估计为 6300 万英镑。NWF 的运营总监 Paul James 表示，这笔交易将确保该业务的重要投资。）

8寸线到了安世手里，会具备规模效应，这种稼动率低的情况会好很多，而且现在芯片缺货，未来有工控、变频电器及新能源车驱动。未来增长有保障。假设现金流稳定在公司巅峰时期80%。

净资产规模将达到2.2亿美金，按照行业平均 3倍pb。对应6.6亿美金的一级市值。

这次收购6300万英镑，收购股权比例大概为12.5%。如果收购比例大于这个，那就是赚了。而且毕竟收购的是大股东。大概也30%+吧。我觉得肯定赚翻了。

因为这家实控人在 二股东（安世控制）那里也任职。他们这属于整合，不算战略并购，跟门口的野蛮人不一样啊。

对安世来说，最省心的扩产，还不用买设备，现在扩产买设备 交付比较慢，也需要审批。

Nexperia 首席运营官 Achim Kempe 表示：“Nexperia 制定了雄心勃勃的增长计划，并且新增 Newport 支持全球对半导体不断增长的需求。“纽波特工厂拥有一支非常熟练的运营团队，在确保运营连续性方面发挥着至关重要的作用。”

这其实是一家一年收入超过100亿人民币的汽车功率半导体巨头，收购一家弱小且无助的一年营收3亿亏损两亿的「小公司」。

1、NWF是什么？

NWF是一家英国的车载功率半导体厂商，其具备8英寸4.4万片/月的180nm以上半导体产能，单从数字上看，并不太先进。

所以这家公司2020财年营收3091万英镑，亏损1861万英镑。

换句话讲，这家公司去年一共卖了不到3亿元的芯片，四舍五入亏了两个亿，裤子都亏没了。

2、闻泰科技为什么要收购NWF？

增产能、补高端。

这得从NWF和闻泰的业务开始说起。

闻泰通过收购安世半导体，目前已成为全球最大的车规功率半导体厂商之一。

NWF做的主要是Trench Mosfet和IGBT，说前面那个你们可能听的少，但IGBT应该不少人见过，属于功率半导体里头的高端芯片，国内能做好IGBT的企业也就那么几家，中车、比亚迪……

另一方面，缺产能，缺产能。

你们也通过各种新闻知道，现在全球车载芯片都缺货，闻泰虽然在上海投资了一个12寸晶圆厂，但现在厂房还在盖，机器还在搬，一时半会还没有产能。收购一家现成的企业，产能立马就上来了。

3、收购完了还得亏多久？

闻泰收购完成安世半导体，通过调整组织架构、产品结构，给员工股权激励，花了两年时间，就将业务利润带上新高，股价也一路走高。

闻泰科技也因为收购安世半导体，从一家一台千元机只能赚十来块钱的代工企业，变成了A股半导体产业的耀眼明星。

安世半导体是NXP剥离的标准件业务，在相关领域排名世界前十。闻泰收购安世半导体，在当年是“蛇吞象”般在资本市场的存在。

安世半导体收入折合人民币超过100亿元/年，是NWF的三十多倍。

闻泰都能把安世半导体折腾明白了，在国内这么强烈下游市场需求下，NWF扭亏应该问题不大。

原回答：

这家的产能是：

0.18μm，8寸，44000片/月。

主要是做功率半导体的：

Trench Mosfet
20 to 300V
◯ Low Voltage 1st generation 0.4µm CD, 20 to 40V
◯ Integrated Schottky diode
◯ Low Rg Dual Layer Metal
◯ Low Voltage Low charge and Rd-son 0.2µm CD
◯ Mid Voltage 1st gen 0.7µm CD, 40 to 300V
◯ Taiko grind process 70µm wafer thickness
◯ Solderable front metal Direct board mount
◯ Automotive Passivation
◯ Charge balance Design Dual trench
Trench IGBT
◯ U and K Type 1200V, 5.5µm trench
◯ RBSOA Robust 1200V
◯ 650V to 1400V expansion
◯ FREDFET 500V
◯ PI passivation
IC's
◯ High Current Automotive CMOS / LDMOS 0.7µm
◯ High Voltage Automotive CMOS 0.5µm, 600V
◯ Mid Voltage CMOS / LDMOS 0.4µm
◯ Higher Technology/Time (2004-2016).

跟安世半导体定位倒是挺符合的。

唯一问题可能是国内网民看不上吧。