intel 7nm 是euv 还是 duv 做出来的?
咱聊聊英特尔的 7nm 工艺，这事儿吧，得跟大伙儿细说，不能瞎掰。要说这 7nm 是用 EUV 还是 DUV 弄出来的，其实情况有点复杂，得分开来看。
先说说 EUV 和 DUV 是啥？
简单点说，这俩都是光刻技术，就是用不同波长的紫外线来在硅片上“画”出电路图。你可以想象成用一种特别精密的喷墨打印机，只是它喷的是光，刻的是图案。
DUV (Deep Ultraviolet)：这是老一辈的技术了，用的是波长相对长一些的紫外光，大概在 248 纳米（nm）或者 193nm。用 DUV 要想刻出越来越小的电路，就得想办法提高分辨率。怎么提高呢？最常用的办法就是加 浸润式光刻 (Immersion Lithography)。这就像是给镜头加了个增距镜，让光线能更聚焦，图案就能更清晰。所以，英特尔早期的 10nm 工艺，主要就是靠浸润式 DUV 技术来实现的。
EUV (Extreme Ultraviolet)：这是新一代的技术，用的是波长非常短的紫外光，只有 13.5nm。波长越短，能刻出的图案就越精细。打个比方，DUV 就像是用一支粗一点的笔在画画，而 EUV 就像是用一根头发丝来描边，自然就能画出更多细节。EUV 还有个好处，它不需要浸润式技术，理论上能简化很多步骤，也更容易实现更先进的节点。
英特尔 7nm 的故事：曲折中前进
现在回到英特尔的 7nm 工艺。这玩意儿跟它的命名一样，一开始让大家操碎了心。
起初的计划： 英特尔在推出 10nm 的时候，就已经在研究和规划 7nm 了。按照他们最初的设想，很多 7nm 的关键步骤是 打算使用 EUV 技术 的。尤其是对于那些非常精密的特征尺寸，比如一些关键的金属层布线，EUV 是最理想的选择，可以一次性完成原本 DUV 需要多次曝光和掩膜才能达到的效果。
遇到的挑战： 然而，EUV 技术在发展过程中，尤其是早期，面临着很多技术难题。比如光源的功率不稳定、掩膜版制作困难、反射镜效率不高等等。这些问题导致 EUV 的成熟度和稳定性比预期的要慢。
DUV 的“死守”： 面对 EUV 的不确定性，英特尔并没有完全放弃 DUV。他们非常擅长利用 DUV 技术优化到极致。为了在 7nm 上达到所需的精度，英特尔在 DUV 光刻上投入了巨大的研发精力，开发了更先进的 多重曝光 (Multipatterning) 技术。你可以理解成，本来用 EUV 一笔就能画完的线，他们用 DUV 呢，可能要分好几次，用不同的掩膜，一层一层地“叠”上去。这就像是盖房子，本来一个模块能搞定，他们硬是用小砖头一块一块地砌起来。这种方法虽然复杂，但技术上是可行的，而且 DUV 本身相对成熟。
EUV 的介入： 随着 EUV 技术的不断进步，它开始变得越来越可靠和可用。英特尔在 7nm 工艺的开发过程中，也 逐步引入了 EUV 技术。但是，它并不是包揽了所有关键步骤。更常见的情况是，EUV 被用在了 7nm 工艺中部分最关键、最难用 DUV 实现的步骤上。比如，一些最细密的栅极结构或者一些关键的金属互连层，这些地方需要极高的分辨率，而 EUV 正好能胜任。
总结一下英特尔 7nm 的光刻情况：
所以，英特尔的 7nm 工艺并非完全由 EUV 或 DUV 单独完成，而是 “混合使用” 的结果。
DUV 是基石： 核心的、大部分的步骤，特别是那些对精度要求相对不那么极致的，仍然是基于非常成熟和优化的浸润式 DUV 技术完成的。英特尔在 DUV 多重曝光上的积累非常深厚。
EUV 是点睛之笔： EUV 的引入是为了解决那些用 DUV 难以实现或者成本过高的超精细结构。它更多的是用在 最关键、最前沿的几个光刻层上，作为提升分辨率和简化工艺流程的手段。
你可以想象一下，就像造一辆高级跑车，底盘、车身框架这些基础部分可能还是传统的钢材和铝合金，但发动机、变速箱、电子控制系统这些核心部件，则采用了最尖端的技术（比如碳纤维、高性能芯片等）。英特尔 7nm 的光刻就是这么个道理。
这种混合策略在半导体行业并不少见，尤其是在工艺节点快速迭代的时期。既要保证生产的稳定性，又要拥抱新技术带来的优势。英特尔在 7nm 上遇到的挑战，也正是整个行业在向更先进节点迈进时所经历的共同阵痛。他们花了更多的时间来攻克这些难题，特别是如何将 DUV 和 EUV 有效地整合在一起，以达到他们设定的性能和成本目标。
先说说 EUV 和 DUV 是啥？
简单点说，这俩都是光刻技术，就是用不同波长的紫外线来在硅片上“画”出电路图。你可以想象成用一种特别精密的喷墨打印机，只是它喷的是光，刻的是图案。
DUV (Deep Ultraviolet)：这是老一辈的技术了，用的是波长相对长一些的紫外光，大概在 248 纳米（nm）或者 193nm。用 DUV 要想刻出越来越小的电路，就得想办法提高分辨率。怎么提高呢？最常用的办法就是加 浸润式光刻 (Immersion Lithography)。这就像是给镜头加了个增距镜，让光线能更聚焦，图案就能更清晰。所以，英特尔早期的 10nm 工艺，主要就是靠浸润式 DUV 技术来实现的。
EUV (Extreme Ultraviolet)：这是新一代的技术，用的是波长非常短的紫外光，只有 13.5nm。波长越短，能刻出的图案就越精细。打个比方，DUV 就像是用一支粗一点的笔在画画，而 EUV 就像是用一根头发丝来描边，自然就能画出更多细节。EUV 还有个好处，它不需要浸润式技术，理论上能简化很多步骤，也更容易实现更先进的节点。
英特尔 7nm 的故事：曲折中前进
现在回到英特尔的 7nm 工艺。这玩意儿跟它的命名一样，一开始让大家操碎了心。
起初的计划： 英特尔在推出 10nm 的时候，就已经在研究和规划 7nm 了。按照他们最初的设想，很多 7nm 的关键步骤是 打算使用 EUV 技术 的。尤其是对于那些非常精密的特征尺寸，比如一些关键的金属层布线，EUV 是最理想的选择，可以一次性完成原本 DUV 需要多次曝光和掩膜才能达到的效果。
遇到的挑战： 然而，EUV 技术在发展过程中，尤其是早期，面临着很多技术难题。比如光源的功率不稳定、掩膜版制作困难、反射镜效率不高等等。这些问题导致 EUV 的成熟度和稳定性比预期的要慢。
DUV 的“死守”： 面对 EUV 的不确定性，英特尔并没有完全放弃 DUV。他们非常擅长利用 DUV 技术优化到极致。为了在 7nm 上达到所需的精度，英特尔在 DUV 光刻上投入了巨大的研发精力，开发了更先进的 多重曝光 (Multipatterning) 技术。你可以理解成，本来用 EUV 一笔就能画完的线，他们用 DUV 呢，可能要分好几次，用不同的掩膜，一层一层地“叠”上去。这就像是盖房子，本来一个模块能搞定，他们硬是用小砖头一块一块地砌起来。这种方法虽然复杂，但技术上是可行的，而且 DUV 本身相对成熟。
EUV 的介入： 随着 EUV 技术的不断进步，它开始变得越来越可靠和可用。英特尔在 7nm 工艺的开发过程中，也 逐步引入了 EUV 技术。但是，它并不是包揽了所有关键步骤。更常见的情况是，EUV 被用在了 7nm 工艺中部分最关键、最难用 DUV 实现的步骤上。比如，一些最细密的栅极结构或者一些关键的金属互连层，这些地方需要极高的分辨率，而 EUV 正好能胜任。
总结一下英特尔 7nm 的光刻情况：
所以，英特尔的 7nm 工艺并非完全由 EUV 或 DUV 单独完成，而是 “混合使用” 的结果。
DUV 是基石： 核心的、大部分的步骤，特别是那些对精度要求相对不那么极致的，仍然是基于非常成熟和优化的浸润式 DUV 技术完成的。英特尔在 DUV 多重曝光上的积累非常深厚。
EUV 是点睛之笔： EUV 的引入是为了解决那些用 DUV 难以实现或者成本过高的超精细结构。它更多的是用在 最关键、最前沿的几个光刻层上，作为提升分辨率和简化工艺流程的手段。
你可以想象一下，就像造一辆高级跑车，底盘、车身框架这些基础部分可能还是传统的钢材和铝合金，但发动机、变速箱、电子控制系统这些核心部件，则采用了最尖端的技术（比如碳纤维、高性能芯片等）。英特尔 7nm 的光刻就是这么个道理。
这种混合策略在半导体行业并不少见，尤其是在工艺节点快速迭代的时期。既要保证生产的稳定性，又要拥抱新技术带来的优势。英特尔在 7nm 上遇到的挑战，也正是整个行业在向更先进节点迈进时所经历的共同阵痛。他们花了更多的时间来攻克这些难题，特别是如何将 DUV 和 EUV 有效地整合在一起，以达到他们设定的性能和成本目标。
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第二代euv
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