Intel 透露 4nm EUV 工艺进展：每瓦性能提升 20％ ，进展良好，你期待吗？
首先，我们得明白这“4nm EUV”到底意味着什么。简单来说，这是 Intel 在其芯片制造技术上又一次重要的飞跃。数字越小，代表着晶体管越密集，集成度越高。而“EUV”则代表着极紫外光刻技术，这是一种非常尖端的光刻技术，能够蚀刻更精细的图案，从而制造出更小、更强大的芯片。 Intel 曾在这项技术上遇到过一些挑战，所以这次“进展良好”的消息，不仅仅是技术上的突破，更是对 Intel 追赶甚至超越竞争对手的关键一步的肯定。
那么，这个“每瓦性能提升 20%”究竟能给我们带来什么呢？
对于消费者而言：
更持久的续航： 想象一下你的手机、笔记本电脑，同样的使用强度下，电池可以撑得更久。这意味着我们可以更少地为电量焦虑，在户外或者差旅途中更加自在。这对重度用户来说，简直是福音。
更强的性能，更低的功耗： 同样的芯片，能耗更低，发热也更少。这意味着无论是玩大型游戏、进行视频剪辑，还是运行复杂的AI模型，设备都能以更高的效率运行，并且不会像以前那样“烤手”。甚至可以设想，一些原本需要配备独立风扇的设备，未来可能会通过更高效的芯片设计，实现无风扇静音运行。
更轻薄的设备： 芯片效率提升，散热需求降低，意味着厂商可以在设备设计上做得更灵活。我们可以期待更轻薄的笔记本电脑，更紧凑的台式机，甚至是在智能穿戴设备上实现更强大的功能。
更快的计算速度： 20% 的性能提升，虽然听起来是一个百分比，但落实到实际使用中，可能会带来非常显著的感受。加载应用的速度、处理复杂任务的时间都会缩短，工作和娱乐的效率都会得到提升。
对于行业而言：
Intel 重回巅峰的信号： Intel 在芯片制造领域曾是无可争议的领导者，但近年来被 TSMC 等竞争对手赶超。这次 4nm EUV 工艺的进展，是 Intel 向市场发出的一个强有力信号：他们正在重新掌控自己的命运，并且有能力在技术上再次领跑。
推动整个行业的进步： Intel 的每一次技术革新，都会对整个半导体行业产生深远的影响。他们的成功会激励竞争对手加大研发投入，推动整个行业向着更高效、更先进的方向发展。
赋能更多创新应用： 更强大的芯片是未来无数创新应用的基础。无论是更智能的自动驾驶汽车、更逼真的虚拟现实体验、还是更精准的医疗诊断，都离不开芯片性能的飞跃。 Intel 的新工艺将为这些领域的突破提供强大的算力支撑。
我的期待：
坦白讲，我非常期待！我是一个对科技产品有着近乎狂热追求的人，每一次看到 Intel 这样的行业巨头能够克服困难，取得技术上的突破，我都会感到由衷的高兴。 4nm EUV 工艺的进展，不仅仅是数字上的提升，更是对过去一年多来 Intel 在研发和生产上不懈努力的最好证明。
我尤其关心的是，这次的 4nm EUV 工艺，在 良率 和 稳定性 上表现如何？毕竟，“进展良好”可以有很多层面的解读。如果 Intel 能够将这一工艺稳定且大规模地量产，并且保证足够的良率，那么其对市场的实际影响将是巨大的。
我也好奇，Intel 将会如何 应用 这项新的工艺？是先推出旗舰级的处理器，还是会逐步覆盖到更多的产品线？例如，我们期待已久的 Meteor Lake 处理器，如果能搭载先进的 Intel 4 工艺（虽然不是 4nm，但它是 Intel 迈向更先进工艺的重要一步），并且未来 4nm EUV 能真正落地，那将是多么令人兴奋的事情！
当然，我也保持着一种审慎的乐观。半导体行业的竞争异常激烈，技术迭代的速度也很快。 Intel 需要证明他们不仅能够研发出领先的技术，更能 持续稳定地 保持这种领先。
总而言之，Intel 4nm EUV 工艺的进展，给我带来了巨大的信心和无限的遐想。这不仅仅是关于一家公司的技术突破，更是关于未来计算能力、能源效率以及我们日常生活体验的巨大提升。我迫不及待地想看到这项技术如何落地，并期待它为我们带来更多惊喜。
网友意见
Intel的7nm节点有Intel 4和Intel 3两个工艺，本身是Intel自己的7nm节点改名而来的，对于这两个工艺我倒是有不同的期待。
关于 Intel 4 的期待。
不要期望Intel 4性能
对于Intel 7nm节点的第一个工艺Intel 4，我对其的关注点主要是“量产进度”，以及能否守住“性能下限”，我并不期待Intel 4能取代10ESF（Intel 7）。
Intel的10ESF已经打磨的炉火纯青，一巴掌拍死了之前的14nm了。 Alder Lake的10ESF已经5.3G了，而Raptor Lake经过再次打磨后，现在已经可以做到5.5G了（ES2，最终未知，但应该可以守住5.5G）。 在这种极限高频的区间，几乎没有新工艺可以在一出来的时候，就能打上一代工艺的打磨版。 Intel经历了Cannon Lake、Icelake、Tiger Lake后才在Alder Lake上取得了10nm和后期14+++一样的5.3G，14nm也是类似的经历了Broadwell和Skylake后，才在第三代Kaby Lake上终于超过Haswell Refresh 的22nm打磨版。所以说，对于Intel 4工艺，我们还是期待一下性能下限能否达标吧。
性能下限是什么呢？
Intel 4首发产品里，最贴地气的是Meteor Lake，这东西反正我们可以期待是低压笔记本里一定会用的。 那么Meteor Lake既然是笔记本会用，那么作为Alder Lake的（其中）一个后继者，至少要性能不倒退吧？ 目前Meteor Lake据说是大核心的架构也会更换，IPC会有提升，那么根据性能至少不倒退的要求，Intel 4的频率倒退幅度不能超过IPC的提升。
按照Alder Lake 5G计算，如果Meteor Lake IPC提升10%，那么Intel 4在笔记本上的频率下限大概是4.5G，提升20%是4.2G。那么我觉得，Intel 4只能到4.3G，性能大概是倒退的，这只能说是Intel能上Meteor Lake但也必须有Raptor Lake组合的下限，Meteor Lake作为核显导向，Raptor Lake作为CPU导向, 只不过总体价值不够（特别是低于4.3G我觉得没意义了）。 如果Intel 4能到4.5G且IPC明显，那么我觉得就相对比较能用了，有概率独立作为独立产品线存在（类似Tiger Lake里10SF已经可以支撑起来了），不过要比较放心还是得到4.7G。
所以说，我期待一个至少4.5G吧~ 4.7G是满意， 5.0G我就不奢求了（有当然好）。
量产 & 使用率
其实最重要的Intel 4能否如期于2023年量产，并且能用。 现在Intel最大的问题是工艺研发的节奏有问题，Intel 4是Intel的一个新节点，10ESF的成功和Intel 4的关系不会那么大。性能可以慢慢打磨，也来得及打磨，但是前提是Intel 4必须要如期量产，这样才能保证后面进度也正常。
除此以外，Intel 4以及Intel 3这两个Intel 7nm节点的使用率也是很值得关注的问题。 Intel本身并没有多少EUV光刻机并且不准备在这个0.33NA的光刻机上再投入多少。那么Intel 4 3 甚至 20A的产能可能不会很高，特别是现在台积电和Intel也还PY好了N3的产能。 我觉得无论这个节点最后怎样，使用率估计都不会太高。
Inte刚刚买了ASML的第一台0.55 NA HighNA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5200 了~ 预计HighNA EUV光刻机将会投入到Intel在2025年量产的工艺中，我记得之前是3nm节点的 18A。因为Intel 10nm选择了SAQP+DUV后翻车，已经错过了进入EUV的黄金时间，Intel不准备在0.33NA的EUV光刻上再投入多少，直接压High NA EUV光刻机了。 （关于EUV光刻机为什么分0.33 0.55的可以翻一下我的专栏）
2025年是目前台积电N2工艺量产的时间（N5两年半后 2022H2 N3，因此我个人预期两年半后2025H1 N2
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