如何看待 Intel 2021 年7 月 26 号公开的工艺路线图？
核心内容：摆脱“10nm”的阴影，直奔更先进的节点
那天最关键的信息，就是Intel 彻底告别了长期困扰他们的“10nm”命名，转而采用了一种更符合行业普遍命名习惯的“Intel 7”、“Intel 4”、“Intel 3”、“Intel 20A”和“Intel 18A”这样的数字命名。这背后有几层含义：
1. 品牌重塑和信心重拾： 长期以来，“10nm”这个数字对Intel 来说就像一个魔咒，每一次推迟都伴随着巨大的舆论压力。通过改名，Intel 试图甩掉过去的包袱，用全新的名字来代表更先进、更成熟的工艺。
2. 与行业对齐： 其他厂商，比如台积电（TSMC）和三星（Samsung），普遍采用数字命名，如7nm、5nm、4nm。Intel 这样改名，是为了让消费者更容易理解其工艺的先进程度，并进行直接对比。虽然Intel 一直强调自家“10nm”的实际晶体管密度等同于甚至超越了友商的某些更先进节点，但“10nm”这个名字本身就弱势了。
3. 新的技术方向： 关键在于，这次公布的路线图不再是修修补补，而是展现了Intel 在制程技术上的一些新思路和决心。
具体节点和技术亮点解读：
Intel 7 (原10nm Enhanced SuperFin)： 这是当时Intel 最先进、已经量产的工艺。虽然名字变了，但它承载了Intel 在10nm节点上多年的研发和改进。Intel 声称其性能和能效比相较于之前的10nm SuperFin 有显著提升，主要体现在核心电压降低、频率提升等方面。很多12代酷睿（Alder Lake）处理器就是基于这个工艺。可以说，Intel 7 是Intel 走出10nm泥潭的第一个里程碑。
Intel 4 (原7nm EUV)： 这是Intel 工艺路线图上的一个重要转折点。Intel 4 是Intel 首次大规模采用EUV（极紫外光刻）技术的节点。EUV是制造更小、更密集晶体管的关键技术，也是AMD等竞争对手已经广泛使用的技术。Intel 曾因为EUV的进展缓慢而落后，Intel 4 的出现意味着Intel 终于跟上了EUV的步伐。Intel 声称Intel 4 的逻辑密度相比Intel 7 提升了约20%，性能功耗比提升了约40%。这是Intel 在追赶过程中一个非常关键的节点。
Intel 3 (原7nm EUV 增强版)： 在Intel 4 的基础上进行改进。Intel 3 的目标是进一步提升性能和能效，旨在提供比Intel 4 更出色的表现。Intel 计划在Intel 3 上实现更高的晶体管密度和更优化的晶体管结构，以满足高性能计算和数据中心的需求。这展示了Intel 在EUV技术上的持续投入和迭代能力。
Intel 20A (Angstrom Era)： 这是Intel 野心勃勃的节点，宣称这是“Angstrom 时代”的开始，代号“RibbonFET”和“GAAFET”是其中的核心技术。
RibbonFET： 这是Intel 对环绕栅极晶体管（GAAFET）的一种创新设计。与三星和台积电的GAAFET有所不同，RibbonFET采用了水平排列的纳米片（nanosheet），就像丝带一样，而不是传统的垂直排列的纳米线。Intel 认为这种设计在电流控制和性能上具有优势。这是Intel 在晶体管结构上的重大突破，旨在提供比FinFET更优越的性能和能效。
PowerVia： 这是Intel 在供电网络设计上的创新。传统设计中，供电和信号线都布置在硅片的顶层，这会造成信号串扰和性能瓶颈。PowerVia 将供电网络移到晶圆的背面，与信号路由分离。这样可以减少信号干扰，提高信号完整性，从而提升芯片的性能和能效。这是一种从根本上解决性能瓶颈的设计思路。
Intel 20A 的目标是比友商的同代（例如5nm/4nm级别）工艺在性能和能效上实现代际领先。
Intel 18A (Angstrom Era 增强版)： 这是Intel 更长远的愿景，进一步优化Intel 20A 的技术。Intel 18A 将继续使用RibbonFET 和 PowerVia，并在此基础上进行进一步的工艺优化和材料创新。Intel 的目标是在18A节点上实现前所未有的性能和能效，重新夺回工艺制程的领导地位。
关键意义和影响：
1. 追赶与反击的决心： 这份路线图最直观的意义就是Intel 表明了他们不甘落后，并且有能力追赶甚至超越竞争对手的决心。通过引入EUV、GAAFET（RibbonFET）、PowerVia 等先进技术，Intel 展现了其在制程工艺研发上的强大实力和创新能力。
2. IDM 2.0 战略的支撑： 这份路线图是Intel 全面推行其IDM 2.0（Integrated Device Manufacturer 2.0）战略的重要组成部分。IDM 2.0 意味着Intel 不仅要自己设计和生产芯片，还要成为其他公司的代工厂。而先进的制程工艺是吸引客户、建立代工业务的基石。只有拥有领先的制程，Intel 才能在代工市场与台积电等巨头竞争。
3. 改变市场格局的可能性： 如果Intel 能够按计划成功实现这份路线图上的目标，那么AMD 等竞争对手将面临来自Intel 的强大压力。同时，Intel 的代工业务也将有机会获得更多订单，从而改变全球半导体代工市场的格局。
4. 对技术创新的重视： Intel 20A 和 18A 的 RibbonFET 和 PowerVia 技术，都显示了Intel 在晶体管结构和芯片设计理念上的创新。这不再是简单的“缩小尺寸”，而是从根本上解决性能和能效瓶颈的新思路。
需要注意的风险和挑战：
当然，这份路线图也并非没有挑战。任何先进工艺的推进都伴随着巨大的研发投入和技术风险：
执行的可靠性： Intel 在10nm节点上的失误，让人们对他们执行复杂工艺的能力有所顾虑。能否按时、按质地完成Intel 4、Intel 3、Intel 20A 和 Intel 18A 的量产，是最大的考验。
竞争对手的进步： 半导体工艺的竞争是动态的。在Intel 努力追赶的同时，台积电和三星也在不断推进自己的下一代工艺，例如5nm、4nm、3nm等。Intel 需要确保在每个节点上都能实现“代际领先”，而不是仅仅“追平”。
EUV 的成熟度： 虽然Intel 宣称Intel 4 将采用EUV，但EUV 技术的成熟度和成本效益仍然是需要关注的焦点。
代工业务的开拓： Intel 作为一个新的进入者，能否在代工市场获得足够的客户和订单，也是其IDM 2.0战略能否成功的关键。
总的来说，Intel 在2021年7月26号公布的工艺路线图，是一份充满雄心壮志的蓝图。它标志着Intel 在经历低谷后，正以全新的姿态和更先进的技术，向半导体工艺制程的领导者地位发起冲击。这份路线图不仅是对自身实力的展示，更是对整个行业的一次宣示。它的成功与否，将对Intel 的未来，乃至整个半导体产业格局产生深远影响。那一天，人们看到了Intel 复兴的希望，但也知道，这条路依然充满荆棘，需要一步一个脚印地去实现。
网友意见
简答下
改名嘛， 这事 INTEL 熟悉，90年代INTEL最著名的改名事件。
90年代，因为80年代期初INTEL实质上是旁上IBM PC这个大腿，又走开放路线而起家，因为IBM处于风险制衡考虑，让INTEL开放了授权，因此有AMD和其他一大票厂商都生产X86处理器，从386稳固市场开始，到486的市场爆发，INTEL发现继续用586的命名规则走下去，实际上是在给其他X86厂商铺路，大手一挥，开始了奔腾的道路。
具体其实可以考古N久以前的回答。
奔腾处理器_编号和非编号的奔腾处理器之间有什么区别？ - 程序员大本营
如今市场，INTEL又绕回那个看似一样的境地，制程工艺的命名实质上就是营销术语，那么这热度，和当年一模一样，
实际上其他答案已经明确表述出，如今各家的制程工艺以nm代表实际性能&密度已经不适用，彻彻底底的沦为营销词汇，而INTEL之前倡导的nm工艺指标又过于高，几次所谓的制程难产在商业上带来了巨大损失，Intel改名又绕回了30年前那次586改名，只不过那次是真打官司想拿下数字命名失败，而这次是INTEL在制程宣传的商业上失败。
尾巴 (电脑软硬件相关问题有时效性，答案仅供参考)
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参考财报，Tiger Lake的销售数据相当可观，其中i9-12900K QS版本近期跑分的性能、频率都极为强悍；且自产10nm芯片的出货量已经超过了其14nm芯片；而反观TSMC那边为AMD代工的Zen3，已经曝出不少【whea 18/19、L3降速甚至减半】等高危报错，多是缓存结构或者总线互联的问题（Cache Hierarchy & Bus/Interconnect Error）；可以推测TSMC的工艺交付在高负载下也存在不稳定因素。
Pat/Ann也披露了预计2024帮助高通量产新产品的消息，这个进度相比TSMC 2nm/20A的量产时间点也很接近了，于是高通就是INTC/Samsung/TSMC三家争夺的Key-Account了。
技术上，Intel TMG/IFS 7nm SuperFin工艺还没有磨成，自然Capacity Planning并未启动，此时直接发布埃米20A的计划显然是出于PR需要，向投资者证明IDM2.0的决心；要知道14nm以后，INTC可是放出不少vapor-wear呢…
在INTC公布的消息中，提到的另一个Key-Acct是AWS，并且AWS会是首个使用Intel代工服务IFS的伙伴；为什么曾经规模化采购Xeon的云平台会优先尝试IFS代工？我司无非是苦于x86智商税久矣，作为几乎无关于Wintel生态的云机型，过往为此付出了很多无意义成本；而大规模上线Graviton替代Xeon一方面伤害与INTC的合作关系，二方面考验自身的设计迭代、掩膜和产能风险，倘若接纳IFS代工则平衡了上述问题；TMG擅长高密度设计且在I/O和封装方面具有独道优势，那么AWS将hard IP授权给IFS的理由就充分了，虽然Graviton处理器的设计和实物还未有人见过（除了ARM）。
BTW：我尝试查了RibbonFET的环栅构型，想看看与Samsung GAA有何区别，没有查到详解。
最近1-2年，TSMC面临的 “持续Capex投入与持续盈利天花板” 的危机传言甚广，花街分析师也已然多次暗示。如今TSMC依旧在加速全球新厂基建：包括我国南京厂已扩产28nm线（设计产能4万片/月），预期Y22下旬实现量产；此外，又确定德国作为下一站Fab选址，日本和欧洲其他地区的新设厂址也已在规划中，US Arizona的厂址已经兴建……。然而BCG的统计数据说明在欧美投运一座晶圆厂的总费用相比在亚洲有25%-50%的成本劣势，且这些成本/代价会由驻在国政府的补贴和最终用户承担。那么一来，TSMC与整个半导体供应链的共生关系难免生变，张忠谋近期也讲出了： “花费数千亿以及多年时间，结果仍将是无法充分自给自足且成本高昂的供应链” 这样的话。
此时再回看INTC IDM2.0战略，别有一番意味；INTC几年前的【钴代铜-钴互联、跳升SADP4次曝光、强推COAG工艺提升密度】的冒进之殇已经渐消。如今，以Fab42 Chandler AZ厂区为例，它的规模之大，已经占据其全球50%产能，CEO Pat履新后大兴IDM2.0的作为很有魄力；同时又进一步跨越IP开放代工，且推动PDK支持SNPS/CDNS，拥抱商业EDA生态，共同发展设计工具和周边IP（片上/片间）；加上N'7/N'5自有制程的高密度优势，并搭配INTC独门的2.5D/3D封装方案；INTC的代工特色以及为下游产品创造的竞争力不可小觑。同时，Pat也拒绝在x86遗产上死循环，比如收购SiFive的强逻辑就是超越x86，IFS开启RISC-V代工，剑指ARM丝毫不奇怪。
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