怎么看待温晓君谈明年年底14nm芯片将量产？
首先，我们需要明确“14nm芯片”和“量产”这两个概念在当前半导体行业中的地位。
14nm芯片技术： 在半导体技术节点的发展史上，14nm（纳米）是相对成熟但依然非常重要的一个工艺节点。它属于“先进工艺”的范畴，但相比于目前主流的5nm、3nm甚至更先进的工艺，它已经属于“成熟工艺”的范畴。然而，“成熟”并不意味着过时，许多应用场景仍然高度依赖和受益于14nm的性能和成本平衡。
量产（Mass Production）： 指的是芯片能够大规模、稳定地按照设计进行生产，满足市场需求。这涉及到良率（Yield Rate）、生产效率、成本控制、供应链稳定等多个关键因素。
其次，我们需要考虑“温晓君”这个人及其代表的机构的背景和发言的重要性。
温晓君（Wen Xiaojun）通常被认为是紫光集团董事长赵伟国的关键技术和战略顾问，或者与紫光集团有着紧密的联系。紫光集团是中国在集成电路领域具有战略地位的重要企业，尤其是在存储芯片和半导体制造方面。如果温晓君的发言代表着紫光集团（或其旗下的长江存储、中芯国际等相关企业）的技术进展和战略方向，那么其说法具有相当高的可信度和重要性。
基于以上背景，我们可以对温晓君谈明年年底14nm芯片量产这一消息进行详细的解读：
一、 目标和意义：
填补国内先进工艺空白，推动半导体自主可控： 目前，中国在高端芯片制造方面主要依赖于中芯国际等企业的14nm及以上成熟工艺。虽然这些工艺已经能满足很多需求，但与全球最先进的几家晶圆厂（如台积电、三星）在5nm及以下工艺上的差距依然明显。如果能实现14nm芯片的量产，特别是如果这代表着中国本土掌握了更先进的工艺技术并能够大规模应用，这将是中国半导体产业自主可控战略上的一个重要里程碑。
满足国内庞大的市场需求： 汽车电子、工业控制、通信设备、消费电子等领域对芯片的需求量巨大。许多这些应用场景并不需要最尖端的工艺，14nm技术在性能、功耗和成本之间取得了很好的平衡，是许多主流产品的理想选择。实现本土14nm量产，可以减少对外部供应商的依赖，保障国内供应链的稳定和安全。
技术能力的提升和积累： 掌握14nm工艺技术并实现量产，意味着在光刻、刻蚀、薄膜沉积、材料科学、IP核设计等一系列半导体制造核心环节积累了宝贵的经验和能力。这些经验是进一步向更先进工艺迈进的基础。
提升产品竞争力： 对于国内设计公司而言，能够在国内获得可靠的14nm制造服务，意味着更快的上市时间、更低的成本、更灵活的供应链，从而提升其产品的市场竞争力。
二、 可能的技术路径和实现方式：
自主研发与技术引进并存： 实现14nm量产并非易事，通常需要大量的技术投入和积累。可能的方式包括：
本土企业自主研发： 例如，如果紫光集团或其关联企业通过自身研发团队，在特定领域（如某些类型的半导体材料或特殊工艺）实现了突破。
与现有厂商合作或技术引进： 可能存在与拥有成熟14nm技术的外国厂商进行技术合作、转让，或者通过收购、并购等方式获得相关技术和设备。例如，在中芯国际与ASML的合作中，如果ASML能够提供EUV光刻机（虽然14nm通常使用DUV光刻机，但未来升级到更先进工艺会用到EUV），将极大促进工艺进步。
利用现有成熟工艺基础进行优化和升级： 例如，如果在现有14nm（或类似节点）工艺基础上进行工艺优化，提升良率、性能或降低成本，也算是一种重要的进展。
聚焦特定细分领域： 14nm技术并非只局限于通用处理器。它可能更侧重于某个特定的应用领域，例如：
车规级芯片： 汽车电子对芯片的稳定性和可靠性要求极高，14nm成熟工艺正好能满足这些需求，并且成本相对可控。
物联网（IoT）芯片： 许多IoT设备对性能要求不高，但对功耗和成本敏感，14nm是合适的选择。
AI芯片（部分应用）： 一些AI推理芯片，特别是边缘AI，并不需要最尖端的工艺。
存储芯片控制器： 例如，在长江存储等企业中，对存储芯片控制器等辅助芯片的制造也是重要的组成部分。
三、 挑战与制约：
技术壁垒和工艺复杂性： 即使是14nm，其制造过程也极其复杂，涉及数百道工序，对设备、材料、人员素质都有极高的要求。能否稳定、高质量地实现大规模量产，是巨大的技术挑战。
关键设备和材料的依赖： 半导体制造高度依赖于进口的先进设备（如光刻机、刻蚀机、检测设备）和高纯度材料。尽管中国在努力突破，但核心设备和材料的国产化率仍是制约因素。特别是高端光刻机（EUV），即使14nm本身不直接使用EUV，但未来向更先进工艺的迁移路径会受到影响。
良率和成本控制： 新工艺的良率提升是一个漫长且艰巨的过程。初期量产的良率往往不高，导致生产成本居高不下，影响产品竞争力。能否在一年时间内将良率提升到可接受的商业化水平，是关键的衡量标准。
人才储备： 半导体制造是人才密集型产业，需要大量的经验丰富的工程师和技术人员。能否在短时间内培养和吸引足够的优秀人才，也至关重要。
市场竞争： 即便实现量产，也要面对来自台积电、三星等国际巨头在成熟工艺市场的竞争。它们拥有更成熟的技术、更低的成本和更完善的生态系统。
四、 对中国半导体产业的潜在影响：
加速国产替代进程： 如果14nm芯片能够成功量产，将有力推动国内在汽车电子、工业控制等领域的国产替代进程，减少对外国供应商的依赖。
为更先进工艺打下基础： 14nm的成功将为中国半导体企业积累宝贵的工艺设计、制造和管理经验，为未来挑战更先进的7nm、5nm乃至更小的工艺节点奠定基础。
增强国家战略安全： 在当前全球地缘政治复杂多变的背景下，拥有自主可控的先进芯片制造能力，对国家战略安全具有不可替代的意义。
促进产业链协同： 14nm芯片的量产将带动上下游产业链的发展，包括设备、材料、EDA工具、IP核等，形成更完整的半导体生态。
五、 值得注意的“细节”和观察点：
“明年年底”的时间点： 这个时间点相对明确，意味着有具体的研发和生产计划。这通常意味着技术已经相对成熟，进入了工艺验证和爬坡阶段。
“量产”的定义： 需要关注这里的“量产”指的是月产能达到多少片晶圆，良率水平如何，以及是否能满足商业化应用的标准。
由谁来“量产”： 是中芯国际？还是紫光集团旗下的其他公司？这会影响到其对中国半导体格局的直接影响。
具体应用领域： 温晓君的发言是否指明了14nm芯片将主要应用于哪些细分领域？这有助于评估其市场潜力和实际意义。
背后是否有关键技术突破的支持？ 例如，在光刻技术、新材料或先进封装方面是否有重大突破？
总结：
温晓君谈明年年底14nm芯片将量产，是一个令人振奋的消息，具有里程碑式的战略意义。 它代表着中国半导体产业在追赶国际先进工艺方面迈出了重要一步，有助于提升产业自主可控能力，保障国家战略安全，并促进相关应用领域的国产化。
然而，我们也需要保持审慎乐观的态度。实现14nm芯片的稳定、大规模、低成本量产，仍然面临着巨大的技术、设备、材料和人才挑战。最终的成功与否，需要关注其良率、产能、成本控制以及市场反馈。同时，这也将是中国半导体产业从追赶者向参与者，乃至未来挑战者的道路上，又一次关键的考验。
如果这一目标能够如期实现，它将极大地提振中国半导体产业的士气，并为中国在全球半导体竞争格局中扮演更重要的角色奠定坚实的基础。
网友意见
我不知道明年能不能量产，但是中国的半导体先进制程发展速度绝对比某些“懂行”的人认为的快。
你看现在“懂行”的人，动不动认为中国需要“几十年”来实现追赶，说工艺要一步一步突破，看起来很有道理。
但逻辑上有个致命缺陷：技术开发不是线性的。
两方面来看，一方面，不是说中国先发展光刻机技术，然后发展设计工具，在发展巴拉巴拉其他技术。而是所有这些必要技术，中国是全面开发。
你们几家公司搞光刻机，我们几家搞设计工具。
这种进度要比单线程快很多。
第二方面，就是单线程的速度问题。
欧美人搞一项技术用了三十年，所以这些人认为中国人也得三十年，这是不对的。
从历史上看，出于追赶者地位的中国，不管是原子弹氢弹，还是卫星火箭，又或者是驱逐舰航母，甚至是歼二零，每一个都是跨越式发展。
正如有些人批判中国人卷，拼命加班，我不否认这是其中一方面原因，但是也不能排除中国人聪明，人多力量大，举国体制等等积极因素。
哪怕有不少人天天喊着躺平，但是实干的中国年轻人依然是大多数，他们快速推动中国各给领域发展。
话说到这儿，也难怪很多高华天天冷嘲热讽中国人努力了。
对呀，人家好不容易加入西方企业，享受着人家技术红利、历史红利，每天朝九晚三日子好不乐哉，你们这群中国泥腿子天天这么拼命，用几年时间走西方爸爸十几年甚至几十年的路，严重威胁高华们的幸福生活，不嘲笑你们嘲笑谁啊。
所以还是那句话，不管中国半导体技术是不是能像报道中说得那么乐观，但一定会比某些啥都懂的人说得乐观。
我们不叫14nm，我们叫40纳米改，也可以叫40.7，40.8纳米。
如果国产是指在中国领土范围内产，用啥不管。
那中芯国际已经14nm了，7nm也不会很远？
如果国产是指避开美国的限制，用其他国家的设备技术和材料，在美国不干涉的情况下完成。
那28nm是可能的。
如果国产指全部本土供应链，美国想干涉也干涉不了，90nm能不能量产还不好说。
第三种才是自主可控，第一第二都有被掐死的可能。
如有答主所澄清的，这是一则媒体误传，明年14nm国产装备的产能实现不切实际。
但关于14nm产线是否可以国产？竞争力如何？有哪些技术和产业掣肘？在此解读几点：
【1：关于12吋晶圆外延片的国产化供应问题】：
晶圆尺寸与工艺制程是并行发展的【晶圆尺寸增大→每片晶圆产出芯片数量更多→效率提升→成本降低】；当下国内非美产线仅能凑出8吋晶圆的供应，规格与经济极限就是90nm，90nm以下都需要12吋，14nm自然是12吋（5nm-0.13μm都用12吋，不过28nm区分了先进制程与成熟制程，原因是28nm以后引入FinFET等新设计和新工艺，晶圆制造难度就提高了）。如今，国内12吋的硅料拉锭+切割的良率还不够的，谈其它的就尚早了；国内缺少合格的12吋外延片，而上海硅产据传是拿芬兰子公司的产品充数，而其它几家刚到能拉出个锭，切割良率还是未知，意味着12吋wafer也需要整体外购。就现状来看，完全的<去美产线>，上海可以做到90nm，再以下就不能了；更微缩的制程比如45nm-->5nm的话，中微的国产蚀刻设备发文宣称可以支持（稍后再讲），但其余的光刻和后道环节都需要进口。以非美化28nm为例，但在短期3年内点亮12吋45nm就已然是壮举了。而当下12吋线全部不能排除美国设备。
【2：关于某刻蚀设备宣称的先进节点良率达成，以及对应的解读】：
尹总多次发文宣称可以支持45nm-5nm的刻蚀机。要知道通常dry etch仅是做掩模用的；3年前致使Intel大连厂的班组全员年终奖取消，那只是55nm的节点。业内通识是，dry etch和litho是雕版和翻拍的区别，一般就是用来雕刻掩模，或者最后那层金属引线层（即整片芯片最粗的那层线）；3年前，报废大连厂200片wafer的就是这最后一层，55nm的etch；metal都刻不好，谁敢用这台机器刻在硅片上呢？那次事故是把直线刻出了狼牙棒（工厂出身的伙伴原话形容是"狗啃过的"）。我们知道Foundry是有坪效问题的，产线聚集了大量装备形成的流水线，4次曝光就是四套设备串联了，占地越来越大，这也意味着良率的掣肘必然会极大制约产能，进而引发巨额亏损。
【3：关于有评论称可以借用日韩二手装备和盗版系统加快“去美产线”建设的问题】：
当下流行一种<售后去美化>，就是引进非美的二手机台（日韩台以的装备），加以翻新和维修调试，普遍认为可以达到130nm-90nm；但操作系统可能面临盗版或许可争议，要知道这些精密工业软件不是工具，其中都是内嵌材料物理算法的设计。这也是国产化的主要掣肘，技术上可以实现对应的机台制造，但是短期没有必要，而且工艺调通以及形成不同工艺搭配也需要更长时间，且良率也无法保证。类似的项目比如张汝京先生的青岛芯恩28nm非美产线（暂为验证线），即使凑出了一套装备也不能短期点亮和投产，不跑个2-3年，整条线的光学畸变不稳定，后端的IP就不能固化，每张订单从tape-in开始调试3个月设备，就还是科研课题的结果了，这也是即使90nm光刻及所有机台装备实现国产也很难被Foundry普遍上线实用的原因。BTW：SMIC也找不出很多件28nm以上制程的设备，即使有，也不是国产的；何谈14nm国产呢。
【4：关于28nm和14nm的产能掣肘问题，以及竞争环境】：
前面讲过，12吋线全部不能排除美国设备。同时14nm工艺又主要是美国IP，但10nm-7nm-5nm没有这个问题，使用台韩的装备都能解决。TSMC 7nm制程，源美IP占比<10%，所以其7nm芯片直到Y20年一直可以向HW供货，但当前使用最广泛的14nm节点，TSMC供货则会受到限制，因而国内Fabless才会加速导入7nm/5nm制程中去。而目前使用最广泛的14nm产品，国内公司也有意将其分散到SMIC，而后者的掣肘是扩充14nm月产能，这是截至Y20年的办法。这两年，国内公司不断增加对SMIC的14nm和N+1制程技术的New Tape-out数量，包括某手机芯片也是首度在SMIC进行NTO，而随着Joe Biden的新政更为苛刻，即使确保该制程的美国技术IP占比<10，也是不能规避制裁。
此外注意，TSMC南京厂在28nm以下的供应是以12nm和16nm为主；去年我在南京厂调研期间，知道TSMC已在把支持上述两个节点的后端老兵都调来南京，这些老兵已专注在这两个节点练了8-12年...；成熟的12nm和16nm工艺高低搭配，针对SMIC 14nm是竞争力有余的。今年初，TSMC南京厂官宣28nm扩产，原来月产能2万片，新扩产计划应该是4万片，虽然不算大的，但却是针对SMIC，当下SMIC 28nm勉强1万片月产能，甚至不足以满足HW的需求，SMIC亦庄在建的北方厂设计产能有30万/月。那么，SMIC的竞争对手只有TSMC南京厂么？当然不是，来看一组数据对比，三星西安厂未来设计产能是40万/月，海力士是17万/月，其余加上长三角一地碎片。其中以三星西安厂为例，这些产能并非都是Flash/Mem，而是包含大量的Logic产线，并且西安厂二期是含代工业务的。那么且不说国内谁会去找三星代工（下游产品竞争），假设西安厂二期的代工业务规模起量，那么前门有TSMC南京，后门有三星西安，SMIC在28nm及以下制程的生意就不好做了。SMIC在Y20年的14nm月产能仅2000-3000片，直到Y25年计划是，全部14nm(16nm)节点及以下产能可以占到9%，而台湾的14nm产能我记得Y20年是63%，那么，9%产能将会是由多少台机组贡献的？此外，FinFET制程的产能也极昂贵，业内的投产核算模型是，平均每扩充1000片需要投资1.5亿至2.5亿美元。
BTW：如前所述，14nm主要是美国IP，但10nm-7nm-5nm没有这个问题，使用台韩的装备都能解决。我们知道SMIC正在积极追求更微缩制程的开发，原因是旨在规避14nm美方IP限制；比如SMIC N+1就是等效浸没式7nm，且这个7nm还用不到EUV；但它相比TSMC的密度规格和微电性能几个方面都有不小差别，那么Foundry的经典经济模型在短期就不容易成立；如今SMIC代工芯动科技的流片项目，良率指引还未公布；以及，由于产品家族高低搭配的种类不旺盛使其下线的部分瑕疵die也难留作它用（想想INTC Core i那几款搭配）。目前的规格比较是，N+1工艺对比SMIC 14nm功耗降低57%、逻辑面积小了63%、SoC面积减少55%。仅评价晶体管密度的话自然大于TSMC N'10节点，否则啼笑皆非咯。
【5：关于上海微电子的国产光刻机即将适配28nm产线的传闻】：可以参考我的另一篇回答：
最后，科研讲究的是有或没有，产业讲究的是持续稳定性，如今的媒体报道严重倾斜于前者。
鉴于网络阅读环境已经差到300个字的大白话，也会被说成长篇大论、看不懂、没有内容核心，那么在开头特别添加网络大爷、文盲、盲人、歪果仁特供内容
这是环球网新闻原始版本（节选开头部分）：
行业预判，28纳米将是100%国产芯片的新起点，和国产14纳米芯片将分别有望在今年和明年实现量产。对此，中国电子信息产业发展研究院电子信息研究所所长温晓君在接受环球网记者采访时表示，国产14nm芯片明年底可以实现量产，国产芯片已经迎来最好的时刻。“认同行业预判，尽管面临着技术方面的难题，但已看到希望。”
这是目前修改后的版本（节选开头部分）：
行业预判，28纳米将是100%国产芯片的新起点。对此，相关领域专家在接受环球网记者采访时表示，尽管面临着技术方面的难题，但已看到希望。
鸟笼山的朋友们，你们看懂了吗
=======云文盲的分割线========
答完重新去捞了一下新闻，提及14nm明年量产的原始版本已被修改，新闻网页的百度遗照见答案末尾。
当前版本的新闻及“行业预判”（非温晓君原话）如下：
28纳米将是100%国产芯片的新起点。
========修改新闻的分割线========
一些自媒体转载新闻里打引号（即暗示是温晓君原话）的内容是：
“国产14nm芯片明年底可以实现量产，国产芯片发展已经迎来最好的时刻。”
那么一手报道怎么写的呢，我去看了环球网一手新闻的内容，关于国产化14nm工艺相关描述如下如下
首先，文中提出了一个行业预判，其内容是：
28纳米将是100%国产芯片的新起点，和国产14纳米芯片将分别有望在今年和明年实现量产。
逗号“，”和“和”字，说明这句话至少有两部分内容，实际有三个（起点、14nm量产时间、28nm量产时间）。
对此行业预判，温晓君所长的评论是：
“认同行业预判，尽管面临着技术方面的难题，但已看到希望。”
白底黑字在这，你品，你细品。
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