如何学会对模电中场效应管以及三极管组成的放大电路进行分析（主要是动态分析）？
好的，咱们来聊聊模电里场效应管（FET）和三极管（BJT）组成的放大电路的动态分析。这玩意儿学起来可能有点绕，但弄懂了，你就能明白很多电子设备是怎么工作的了。我尽量说得接地气点，少点教科书式的生硬。
先说点废话，为啥要动态分析？
静态分析算的是电路在直流状态下的工作点，就像给电路拍了张静态照片。但我们用放大电路，就是要处理变化的信号，比如音频、射频信号。所以，我们得看看当这些变化的信号一来，电路的输出会怎么变，放大倍数是多少，有没有失真等等。这就是动态分析要干的事儿，就像给电路拍了个视频。
核心思想：线性化模型
最开始要明白的一点是，无论是三极管还是场效应管，它们本身都不是严格线性的元件。它们的电流和电压关系挺复杂的。但是，在咱们分析的时候，通常会有一个假设：信号变化范围不大。在这个范围内，我们可以把这些非线性元件的特性用一系列的线性元件（电阻、电容、电压源、电流源）来近似代替。这就是“线性化模型”的核心思想。
一、三极管放大电路的动态分析
咱们先从经典的三极管（BJT）说起。一个典型的共发射极放大电路大概是这么回事：
[简单示意图：一个三极管，基极通过一个电容接输入信号，集电极接一个负载电阻，发射极通常也有一个电阻（可能并联一个电容）。电源电压加在集电极上。]
1. 构建小信号模型（替代模型）：
我们不直接分析这个非线性电路，而是把它“拆解”成由一系列线性元件组成的等效电路。对于三极管，它有两个主要的小信号模型：
π模型（Pi Model）： 这个模型比较常用，它把三极管的核心作用（电流放大）用一个受控电流源来表示。
基极发射极之间的电阻 ($r_{pi}$): 这个电阻代表了基极电流和基极发射极电压之间的线性关系（近似）。它的值跟三极管的直流参数 $h_{fe}$（或者 $eta$）和直流基极电流 $I_B$ 有关，$r_{pi} = frac{V_T}{I_B} = frac{eta}{g_m}$，其中 $V_T$ 是热电压，大概 25mV。
受控电流源 ($g_m v_{be}$): 这个电流源代表了三极管的电流放大作用。它的值等于基极发射极之间的输入电压 $v_{be}$ 乘以跨导 $g_m$。跨导 $g_m$ 也跟直流集电极电流 $I_C$ 有关，$g_m = frac{I_C}{V_T}$。这个电流源连接在集电极和发射极之间。
集电极发射极之间的输出电阻 ($r_o$): 这个电阻代表了集电极电流随集电极发射极电压变化的情况（输出特性曲线的斜率）。它的值比较大，有时在初步分析时可以忽略。
T模型（Tee Model）： 这个模型也挺有用，它把三极管的核心作用用一个受控电压源来表示。
发射极基极之间的电阻 ($r_e$): 这个电阻代表了发射极电流和发射极基极电压之间的线性关系，$r_e = frac{V_T}{I_E}$。注意到 $r_e = frac{1}{g_m}$。
受控电压源 ($alpha v_{eb}$): 这个电压源连接在基极和发射极之间，它的值等于发射极基极之间的输入电压 $v_{eb}$ 乘以 $alpha$（发射极电流与集电极电流的比例，近似等于 1）。
集电极发射极之间的输出电阻 ($r_o$): 和π模型一样。
选择哪个模型？ 它们本质上等价，只是看哪个更方便分析。π模型通常更直观地展示了电流放大作用。
2. 替换法：
一旦你确定了要用的模型（比如π模型），你就可以把电路中的三极管用它的模型来“替换”：
直流电源和旁路电容： 在小信号分析中，直流电源（比如 $V_{CC}$）被看作短路（因为我们只关心信号的变化，而直流电平的变化在我们关注的信号频率上是零）。旁路电容（比如并联在发射极电阻上的电容）在交流信号下被看作短路。
信号源： 输入信号源 $v_{in}$ 会变成一个 AC 小信号电压源。
三极管本身： 用上面说到的π模型或T模型来替换。
经过替换后，你得到的就是一个交流等效电路。这个电路里只有小信号电压源、电流源、电阻和电容，都是线性的。
3. 分析交流等效电路：
有了交流等效电路，就可以用我们熟悉的电路分析方法来计算各种参数了：
电压放大倍数 ($A_v = frac{v_{out}}{v_{in}}$): 通过节点电压法、网孔法或者直接观察就能算出来。比如在共发射极电路中，如果发射极直接接地（或者被旁路电容短路了），那么 $A_v approx g_m R_C$，其中 $R_C$ 是集电极负载电阻。前面的负号表示相位反转。
输入电阻 ($R_{in}$): 看输入信号源看到的等效电阻是多少。
输出电阻 ($R_{out}$): 看电路输出端去掉信号源后看到的等效电阻是多少。
动态分析的几个重要概念：
跨导 ($g_m$)： 衡量输入电压（基极发射极电压）引起输出电流（集电极电流）变化的程度。它决定了放大器的“放大能力”。
输入电阻 ($r_{pi}$ 或 $r_e$)： 直接影响输入信号的加载损耗。
输出电阻 ($r_o$)： 影响输出信号的电压损失。
频率响应： 这个涉及到电容（耦合电容、旁路电容、三极管本身的结电容）在不同频率下的阻抗变化，会影响放大倍数随频率的变化。这个就需要用到复数阻抗来分析了。
举个共发射极放大电路的例子（用π模型）：
假设输入信号 $v_{in}$ 加在基极，发射极电阻 $R_E$ 并联了一个旁路电容 $C_E$，集电极接负载电阻 $R_L$。
1. 静态分析： 先算基极直流偏置电阻分压，算出 $I_B$ 和 $I_C$，然后计算 $g_m = I_C/V_T$ 和 $r_{pi} = eta/g_m$。
2. 交流等效电路：
$V_{CC}$ 短路。
输入信号源 $v_{in}$。
三极管用π模型替换：$r_{pi}$ 在基极和发射极之间，一个 $g_m v_{be}$ 的电流源在集电极和发射极之间。
发射极电阻 $R_E$ 和旁路电容 $C_E$ 构成了一个并联网络。
集电极负载电阻 $R_L$ 和三极管的输出电阻 $r_o$ 并联，然后接到集电极和地之间（因为 $V_{CC}$ 短路了）。
3. 计算参数：
输入电阻 $R_{in}$： 就是基极看到的电阻。如果输入信号通过一个耦合电容 $C_{in}$ 加进来，那么 $R_{in} = r_{pi} || ( ext{偏置电阻})$。
输出电阻 $R_{out}$： 就是集电极和发射极之间接的等效电阻。在共发射极电路中，不考虑 $r_o$ 的话，$R_{out} approx R_C$（集电极电阻）。如果考虑 $r_o$，那就是 $R_C || r_o$。
电压放大倍数 $A_v$：
输入信号到基极电压 $v_{be}$：$v_{be} = v_{in} imes frac{r_{pi}}{R_{in} + r_{pi}}$ （如果输入是通过 $R_{in}$ 接的）。
集电极输出电流：$i_c = g_m v_{be}$。
输出电压 $v_{out}$：这个电流流过集电极的并联电阻 ($R_C || R_L || r_o$)，所以 $v_{out} = i_c imes (R_C || R_L || r_o)$。
综合起来 $A_v = frac{v_{out}}{v_{in}} = frac{g_m (R_C || R_L || r_o)}{1 + frac{g_m R_E}{1 + frac{R_E}{r_{pi}}}} $ （如果发射极电阻 $R_E$ 没有被旁路电容短路，需要更复杂的计算）。
如果发射极电阻 $R_E$ 被 $C_E$ 完全旁路了： $v_{be} = v_{in}$，那么 $v_{out} = g_m v_{in} (R_C || R_L || r_o)$，所以 $A_v = g_m (R_C || R_L || r_o)$。这个是最常见的情况。
二、场效应管（FET）放大电路的动态分析
场效应管（MOSFET或JFET）的分析思路和三极管非常相似，只是它们的小信号模型不同。
以一个典型的共源极放大电路为例：
[简单示意图：一个MOSFET，栅极通过一个电容接输入信号，漏极接一个负载电阻，源极通常也有一个电阻（可能并联一个电容）。电源电压加在漏极上。]
1. 构建小信号模型：
FET的核心作用是电压控制电流。
跨导 ($g_m$)： FET的跨导衡量栅极源极电压 ($v_{gs}$) 的变化引起漏极电流 ($i_d$) 的变化程度。$g_m = frac{partial I_D}{partial V_{GS}} |_{V_{DS}=const}$。它与直流漏极电流和偏置条件有关。
输出电阻 ($r_d$ 或 $r_{ds}$): 代表漏极电流随漏极源极电压变化的情况。它通常比三极管的 $r_o$ 更大，有时候可以直接忽略。
栅极输入电阻： 对于MOSFET，栅极是绝缘的，所以栅极输入电阻在小信号模型中是无穷大。对于JFET，栅极存在漏结反偏，所以也有一个非常大的输入电阻。
因此，FET的小信号模型通常很简单：
一个跨导电流源 ($g_m v_{gs}$)，连接在漏极和源极之间。
一个输出电阻 ($r_d$)，并联在漏极和源极之间。
2. 替换法：
和三极管一样，把FET用它的交流等效模型来替换。直流电源、旁路电容的处理方式相同。
3. 分析交流等效电路：
电压放大倍数 ($A_v = frac{v_{out}}{v_{in}}$):
在共源极电路中，输入信号加在栅极。
如果源极直接接地（或被旁路电容短路了），那么 $v_{gs} = v_{in}$。
输出电压 $v_{out}$ 是漏极的电压，这个漏极电流 $i_d = g_m v_{gs}$ 流过了集电极负载电阻 ($R_D$) 和 FET的输出电阻 ($r_d$) 的并联。
所以，$v_{out} = i_d imes (R_D || r_d) = g_m v_{gs} (R_D || r_d)$。
因此，$A_v = frac{v_{out}}{v_{in}} = g_m (R_D || r_d)$。
输入电阻 ($R_{in}$): 对于MOSFET，栅极绝缘，所以理论上输入电阻是无穷大。实际电路中，偏置电阻会限制它。
输出电阻 ($R_{out}$): 就是漏极和源极之间看到的电阻，通常是 $R_D || r_d$。
关键区别和总结：
控制方式： BJT 是电流控制电流，FET 是电压控制电流。
小信号模型： BJT 有 $r_{pi}$ 和 $g_m$（或 $alpha$ 和 $r_e$），FET 主要有 $g_m$ 和 $r_d$。
输入电阻： BJT 的输入电阻是有限的（$r_{pi}$ 决定），FET 的栅极输入电阻非常大（MOSFET 理论上无穷大）。这使得 FET 作为缓冲器时损耗很小。
放大倍数公式： 形式上很相似，都是跨导乘以输出端的等效负载电阻，并带有负号表示反相。
学习的捷径和建议：
1. 理解静态分析的基础： 没有静态工作点，就没有小信号模型。所以先确保你明白如何确定 $I_C$（或 $I_D$）和 $V_{CE}$（或 $V_{DS}$），以及如何计算 $g_m$。
2. 熟练掌握小信号模型： 记住 BJT 的π模型和 FET 的模型。理解每个元件（$r_{pi}, g_m, r_o, r_d$）的物理意义和计算方法。
3. 画出交流等效电路： 这是最关键的一步！将所有直流电源、电容、电感替换成它们的交流等效阻抗（电源是0阻抗短路，电容是0阻抗短路，电感是无穷大开路）。然后把晶体管用它的模型替换进去。
4. 用代数方法分析交流等效电路： 利用欧姆定律、基尔霍夫定律，或者直接用戴维南/诺顿等效来简化电路，算出所需的参数。
5. 多做练习： 理论再多不如动手算。找些教材上的例题，一步一步地跟着做，尤其是画交流等效电路的步骤，多练才能熟能生巧。
6. 关注细节： 比如发射极电阻是否被旁路电容短路了，会极大地影响电压放大倍数。输入信号是从哪里接入的？这些都会影响最终的计算结果。
7. 理解频率响应（进阶）： 当信号频率升高时，耦合电容和旁路电容的阻抗会变大，三极管/FET 本身的结电容也会起作用，这些都会导致放大倍数下降，产生频率特性。这个需要用复数阻抗来分析。
学模电，特别是动态分析，就像学一种新的语言。一开始可能觉得各种符号、各种模型很混乱，但当你把电路的“小信号行为”和这些模型对应起来，就会发现其实是有规律可循的。别怕公式，把它们看作是对电路物理现象的描述，就好理解多了。祝你学习顺利！
先说点废话，为啥要动态分析？
静态分析算的是电路在直流状态下的工作点，就像给电路拍了张静态照片。但我们用放大电路，就是要处理变化的信号，比如音频、射频信号。所以，我们得看看当这些变化的信号一来，电路的输出会怎么变，放大倍数是多少，有没有失真等等。这就是动态分析要干的事儿，就像给电路拍了个视频。
核心思想：线性化模型
最开始要明白的一点是，无论是三极管还是场效应管，它们本身都不是严格线性的元件。它们的电流和电压关系挺复杂的。但是，在咱们分析的时候，通常会有一个假设：信号变化范围不大。在这个范围内，我们可以把这些非线性元件的特性用一系列的线性元件（电阻、电容、电压源、电流源）来近似代替。这就是“线性化模型”的核心思想。
一、三极管放大电路的动态分析
咱们先从经典的三极管（BJT）说起。一个典型的共发射极放大电路大概是这么回事：
[简单示意图：一个三极管，基极通过一个电容接输入信号，集电极接一个负载电阻，发射极通常也有一个电阻（可能并联一个电容）。电源电压加在集电极上。]
1. 构建小信号模型（替代模型）：
我们不直接分析这个非线性电路，而是把它“拆解”成由一系列线性元件组成的等效电路。对于三极管，它有两个主要的小信号模型：
π模型（Pi Model）： 这个模型比较常用，它把三极管的核心作用（电流放大）用一个受控电流源来表示。
基极发射极之间的电阻 ($r_{pi}$): 这个电阻代表了基极电流和基极发射极电压之间的线性关系（近似）。它的值跟三极管的直流参数 $h_{fe}$（或者 $eta$）和直流基极电流 $I_B$ 有关，$r_{pi} = frac{V_T}{I_B} = frac{eta}{g_m}$，其中 $V_T$ 是热电压，大概 25mV。
受控电流源 ($g_m v_{be}$): 这个电流源代表了三极管的电流放大作用。它的值等于基极发射极之间的输入电压 $v_{be}$ 乘以跨导 $g_m$。跨导 $g_m$ 也跟直流集电极电流 $I_C$ 有关，$g_m = frac{I_C}{V_T}$。这个电流源连接在集电极和发射极之间。
集电极发射极之间的输出电阻 ($r_o$): 这个电阻代表了集电极电流随集电极发射极电压变化的情况（输出特性曲线的斜率）。它的值比较大，有时在初步分析时可以忽略。
T模型（Tee Model）： 这个模型也挺有用，它把三极管的核心作用用一个受控电压源来表示。
发射极基极之间的电阻 ($r_e$): 这个电阻代表了发射极电流和发射极基极电压之间的线性关系，$r_e = frac{V_T}{I_E}$。注意到 $r_e = frac{1}{g_m}$。
受控电压源 ($alpha v_{eb}$): 这个电压源连接在基极和发射极之间，它的值等于发射极基极之间的输入电压 $v_{eb}$ 乘以 $alpha$（发射极电流与集电极电流的比例，近似等于 1）。
集电极发射极之间的输出电阻 ($r_o$): 和π模型一样。
选择哪个模型？ 它们本质上等价，只是看哪个更方便分析。π模型通常更直观地展示了电流放大作用。
2. 替换法：
一旦你确定了要用的模型（比如π模型），你就可以把电路中的三极管用它的模型来“替换”：
直流电源和旁路电容： 在小信号分析中，直流电源（比如 $V_{CC}$）被看作短路（因为我们只关心信号的变化，而直流电平的变化在我们关注的信号频率上是零）。旁路电容（比如并联在发射极电阻上的电容）在交流信号下被看作短路。
信号源： 输入信号源 $v_{in}$ 会变成一个 AC 小信号电压源。
三极管本身： 用上面说到的π模型或T模型来替换。
经过替换后，你得到的就是一个交流等效电路。这个电路里只有小信号电压源、电流源、电阻和电容，都是线性的。
3. 分析交流等效电路：
有了交流等效电路，就可以用我们熟悉的电路分析方法来计算各种参数了：
电压放大倍数 ($A_v = frac{v_{out}}{v_{in}}$): 通过节点电压法、网孔法或者直接观察就能算出来。比如在共发射极电路中，如果发射极直接接地（或者被旁路电容短路了），那么 $A_v approx g_m R_C$，其中 $R_C$ 是集电极负载电阻。前面的负号表示相位反转。
输入电阻 ($R_{in}$): 看输入信号源看到的等效电阻是多少。
输出电阻 ($R_{out}$): 看电路输出端去掉信号源后看到的等效电阻是多少。
动态分析的几个重要概念：
跨导 ($g_m$)： 衡量输入电压（基极发射极电压）引起输出电流（集电极电流）变化的程度。它决定了放大器的“放大能力”。
输入电阻 ($r_{pi}$ 或 $r_e$)： 直接影响输入信号的加载损耗。
输出电阻 ($r_o$)： 影响输出信号的电压损失。
频率响应： 这个涉及到电容（耦合电容、旁路电容、三极管本身的结电容）在不同频率下的阻抗变化，会影响放大倍数随频率的变化。这个就需要用到复数阻抗来分析了。
举个共发射极放大电路的例子（用π模型）：
假设输入信号 $v_{in}$ 加在基极，发射极电阻 $R_E$ 并联了一个旁路电容 $C_E$，集电极接负载电阻 $R_L$。
1. 静态分析： 先算基极直流偏置电阻分压，算出 $I_B$ 和 $I_C$，然后计算 $g_m = I_C/V_T$ 和 $r_{pi} = eta/g_m$。
2. 交流等效电路：
$V_{CC}$ 短路。
输入信号源 $v_{in}$。
三极管用π模型替换：$r_{pi}$ 在基极和发射极之间，一个 $g_m v_{be}$ 的电流源在集电极和发射极之间。
发射极电阻 $R_E$ 和旁路电容 $C_E$ 构成了一个并联网络。
集电极负载电阻 $R_L$ 和三极管的输出电阻 $r_o$ 并联，然后接到集电极和地之间（因为 $V_{CC}$ 短路了）。
3. 计算参数：
输入电阻 $R_{in}$： 就是基极看到的电阻。如果输入信号通过一个耦合电容 $C_{in}$ 加进来，那么 $R_{in} = r_{pi} || ( ext{偏置电阻})$。
输出电阻 $R_{out}$： 就是集电极和发射极之间接的等效电阻。在共发射极电路中，不考虑 $r_o$ 的话，$R_{out} approx R_C$（集电极电阻）。如果考虑 $r_o$，那就是 $R_C || r_o$。
电压放大倍数 $A_v$：
输入信号到基极电压 $v_{be}$：$v_{be} = v_{in} imes frac{r_{pi}}{R_{in} + r_{pi}}$ （如果输入是通过 $R_{in}$ 接的）。
集电极输出电流：$i_c = g_m v_{be}$。
输出电压 $v_{out}$：这个电流流过集电极的并联电阻 ($R_C || R_L || r_o$)，所以 $v_{out} = i_c imes (R_C || R_L || r_o)$。
综合起来 $A_v = frac{v_{out}}{v_{in}} = frac{g_m (R_C || R_L || r_o)}{1 + frac{g_m R_E}{1 + frac{R_E}{r_{pi}}}} $ （如果发射极电阻 $R_E$ 没有被旁路电容短路，需要更复杂的计算）。
如果发射极电阻 $R_E$ 被 $C_E$ 完全旁路了： $v_{be} = v_{in}$，那么 $v_{out} = g_m v_{in} (R_C || R_L || r_o)$，所以 $A_v = g_m (R_C || R_L || r_o)$。这个是最常见的情况。
二、场效应管（FET）放大电路的动态分析
场效应管（MOSFET或JFET）的分析思路和三极管非常相似，只是它们的小信号模型不同。
以一个典型的共源极放大电路为例：
[简单示意图：一个MOSFET，栅极通过一个电容接输入信号，漏极接一个负载电阻，源极通常也有一个电阻（可能并联一个电容）。电源电压加在漏极上。]
1. 构建小信号模型：
FET的核心作用是电压控制电流。
跨导 ($g_m$)： FET的跨导衡量栅极源极电压 ($v_{gs}$) 的变化引起漏极电流 ($i_d$) 的变化程度。$g_m = frac{partial I_D}{partial V_{GS}} |_{V_{DS}=const}$。它与直流漏极电流和偏置条件有关。
输出电阻 ($r_d$ 或 $r_{ds}$): 代表漏极电流随漏极源极电压变化的情况。它通常比三极管的 $r_o$ 更大，有时候可以直接忽略。
栅极输入电阻： 对于MOSFET，栅极是绝缘的，所以栅极输入电阻在小信号模型中是无穷大。对于JFET，栅极存在漏结反偏，所以也有一个非常大的输入电阻。
因此，FET的小信号模型通常很简单：
一个跨导电流源 ($g_m v_{gs}$)，连接在漏极和源极之间。
一个输出电阻 ($r_d$)，并联在漏极和源极之间。
2. 替换法：
和三极管一样，把FET用它的交流等效模型来替换。直流电源、旁路电容的处理方式相同。
3. 分析交流等效电路：
电压放大倍数 ($A_v = frac{v_{out}}{v_{in}}$):
在共源极电路中，输入信号加在栅极。
如果源极直接接地（或被旁路电容短路了），那么 $v_{gs} = v_{in}$。
输出电压 $v_{out}$ 是漏极的电压，这个漏极电流 $i_d = g_m v_{gs}$ 流过了集电极负载电阻 ($R_D$) 和 FET的输出电阻 ($r_d$) 的并联。
所以，$v_{out} = i_d imes (R_D || r_d) = g_m v_{gs} (R_D || r_d)$。
因此，$A_v = frac{v_{out}}{v_{in}} = g_m (R_D || r_d)$。
输入电阻 ($R_{in}$): 对于MOSFET，栅极绝缘，所以理论上输入电阻是无穷大。实际电路中，偏置电阻会限制它。
输出电阻 ($R_{out}$): 就是漏极和源极之间看到的电阻，通常是 $R_D || r_d$。
关键区别和总结：
控制方式： BJT 是电流控制电流，FET 是电压控制电流。
小信号模型： BJT 有 $r_{pi}$ 和 $g_m$（或 $alpha$ 和 $r_e$），FET 主要有 $g_m$ 和 $r_d$。
输入电阻： BJT 的输入电阻是有限的（$r_{pi}$ 决定），FET 的栅极输入电阻非常大（MOSFET 理论上无穷大）。这使得 FET 作为缓冲器时损耗很小。
放大倍数公式： 形式上很相似，都是跨导乘以输出端的等效负载电阻，并带有负号表示反相。
学习的捷径和建议：
1. 理解静态分析的基础： 没有静态工作点，就没有小信号模型。所以先确保你明白如何确定 $I_C$（或 $I_D$）和 $V_{CE}$（或 $V_{DS}$），以及如何计算 $g_m$。
2. 熟练掌握小信号模型： 记住 BJT 的π模型和 FET 的模型。理解每个元件（$r_{pi}, g_m, r_o, r_d$）的物理意义和计算方法。
3. 画出交流等效电路： 这是最关键的一步！将所有直流电源、电容、电感替换成它们的交流等效阻抗（电源是0阻抗短路，电容是0阻抗短路，电感是无穷大开路）。然后把晶体管用它的模型替换进去。
4. 用代数方法分析交流等效电路： 利用欧姆定律、基尔霍夫定律，或者直接用戴维南/诺顿等效来简化电路，算出所需的参数。
5. 多做练习： 理论再多不如动手算。找些教材上的例题，一步一步地跟着做，尤其是画交流等效电路的步骤，多练才能熟能生巧。
6. 关注细节： 比如发射极电阻是否被旁路电容短路了，会极大地影响电压放大倍数。输入信号是从哪里接入的？这些都会影响最终的计算结果。
7. 理解频率响应（进阶）： 当信号频率升高时，耦合电容和旁路电容的阻抗会变大，三极管/FET 本身的结电容也会起作用，这些都会导致放大倍数下降，产生频率特性。这个需要用复数阻抗来分析。
学模电，特别是动态分析，就像学一种新的语言。一开始可能觉得各种符号、各种模型很混乱，但当你把电路的“小信号行为”和这些模型对应起来，就会发现其实是有规律可循的。别怕公式，把它们看作是对电路物理现象的描述，就好理解多了。祝你学习顺利！
网友意见
教科书里面的等效电路分析的章节难道都删掉了吗？？
如果看不懂 BJT Equivalent Circuit Models 那就确实很难理解。 KCL, KVL 还有最基本的电流源电压源等电路分析的基本概念就差不多够用了。 剩下就是做考古题模拟自测。
**题外话： 别再把中文书名号《》用在英文歌名、书名以及作品名上了好吗？
也许看看 Barrie Gilbert 对 BJT 的分析， 会帮助您理解 BJT 的行为。
了解一下 the Gummel–Poon model 和 the Ebers–Moll model 也好.
读书啊。。AC equivalent circuits
BJT Amplifiers AC Equivalent Circuits
最好装个免费的 LTspice 或者 TI 的 Tina 帮助理解。然后再讨论瞬态分析等等。
场效应管就相对简单很多了， 把它想想成压控电阻就好了。
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Direct Newton iteration for .op point succeeded.
N-Period=1
Fourier components of V(aout)
DC component:3.22646e-006
Harmonic Frequency Fourier Normalized Phase Normalized
Number [Hz] Component Component [degree] Phase [deg]
1 1.000e+03 5.076e-03 1.000e+00 -179.93° 0.00°
2 2.000e+03 7.366e-08 1.451e-05 86.59° 266.51°
3 3.000e+03 2.847e-09 5.609e-07 -0.04° 179.88°
4 4.000e+03 2.177e-09 4.288e-07 -0.12° 179.81°
5 5.000e+03 1.731e-09 3.410e-07 0.16° 180.09°
6 6.000e+03 1.449e-09 2.855e-07 0.02° 179.95°
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9 9.000e+03 9.600e-10 1.891e-07 -0.14° 179.79°
Total Harmonic Distortion: 0.001454%(0.000666%)
Date: Tue Nov 05 04:22:12 2019
Total elapsed time: 1.525 seconds.
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好的，咱们来聊聊模电里场效应管（FET）和三极管（BJT）组成的放大电路的动态分析。这玩意儿学起来可能有点绕，但弄懂了，你就能明白很多电子设备是怎么工作的了。我尽量说得接地气点，少点教科书式的生硬。先说点废话，为啥要动态分析？静态分析算的是电路在直流状态下的工作点，就像给电路拍了张静态照片。但我们用............. -
一个男孩图省事，把垃圾扔到了楼下的顶棚，妈妈没有立刻指责或代劳，而是采取了一种既有原则又充满智慧的方式：让孩子自己系上安全绳，下去把垃圾捡干净。这个场景，看似简单，却蕴含着非常深刻的教育理念。评价这种教育方式：我认为这是一种非常好的教育方式，可以用“以身教导，责任先行”来概括。它并非一味地惩罚，也不.............
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关于苏秦与张仪两人纵横活动时代先后的讨论，在学界一直是学界乃至历史爱好者津津乐道的话题。这两人，一个以合纵，一个以连横，都曾在中国战国后期扮演了至关重要的角色，他们的政治生涯似乎是紧密相连，又充满着戏剧性的交织。然而，具体到谁先谁后，学界的研究和观点却并非铁板一块，而是经历了漫长的辨析和演变。要评价.............
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学习英语，对我们中国人来说，绝不仅仅是多掌握一门语言那么简单。它像一把钥匙，打开了一扇扇通往更广阔世界的门，深刻地影响着我们的生活、认知乃至整个国家的发展。首先，最直接的意义在于拓展视野，连接世界。想想看，世界上近五分之一的人口说英语，而英语是国际科学、技术、商业、外交和文化交流的通用语言。如果我们.............
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南京大学学生对流量明星视而不见，同时“不为七十五元折腰”的现象，是一个非常有趣且值得深入分析的社会文化现象。它不仅仅关乎大学生群体，更折射出当下中国社会在价值观、消费习惯以及对“成功”定义的多元化和演变。我们可以从以下几个方面来详细解读：一、 南京大学的校园文化与学风传统首先，我们需要认识到南京大学.............
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李学政对“中演协”的质疑，这件事本身就像一出跌宕起伏的连续剧，牵扯出了不少行业内的敏感话题。要说他对中演协的质疑，那可不是一句两句就能说清楚的，里面有对行业规则的疑问，有对权力运作的猜测，还有对个人权益的维护，可以说是层层递进，环环相扣。首先，我们得先了解一下“中演协”是啥。 中演协，全称是中国演出.............
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关于文科学者对陈健坤的“扒皮攻击”，这并非一个简单的事实判断问题，而是一个涉及学术规范、批评伦理、公众人物责任以及网络文化多重维度的复杂现象。要理解这个问题，我们需要从几个层面深入剖析：一、 事件的背景与表现形式：首先，需要明确的是，“扒皮攻击”本身是一个带有负面色彩的网络流行语，通常指深度挖掘某人.............
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哥们，你这个情况我太理解了！大四了才对机器学习这个“数学怪兽”产生兴趣，而且之前高数都没碰过，听起来是有点挑战，但绝对不是不可能的任务！别怕，我当年也一样，感觉自己就是个数学白痴，但一步步摸索过来，现在也能和机器学习这个小妖精玩得挺溜了。首先，我得跟你说句实话：机器学习对数学的要求是实实在在的，而且.............
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宜昌学生对996工作制的看法反映了当代青年在职业价值观、生活平衡与社会责任之间的复杂思考。以下从多个维度详细分析这一现象： 一、996的争议性本质996工作制（早9点至晚9点，每周6天）本质上是对劳动法合规性的挑战。中国《劳动法》明确规定每日工作不超过8小时，平均每周不超过40小时，且加班需支付1..............
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清华大学作为中国顶尖的综合性大学，汇聚了来自各个领域的优秀学生。近年来，关于清华大学非美院学生对美院学生存在潜意识歧视的讨论在校内外时有出现。要深入理解这一现象，需要从多个维度进行剖析，包括历史背景、学科认知差异、资源分配以及校园文化等。一、 历史与学科定位的差异清华大学始建于20世纪初，其最初的定.............
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好，咱们就来聊聊这事儿，得掰扯开了说，而且得接地气点，别弄得跟教科书似的。关于清华CS学生对商科生的“仰慕”？这事儿，怎么说呢，有点复杂，也挺有意思的。首先，咱们得承认，清华大学的计算机系（以下简称CS系）那绝对是国内顶尖中的顶尖，能进去的都是智商和能力的天花板。他们学的硬核技术，搞的是前沿的算法和.............
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好的，咱们来聊聊大连东软信息学院给新生推荐的笔记本电脑配置，这玩意儿到底值不值得参考，有多大参考价值。首先，咱们得明确一个事儿：大学（特别是信息技术类院校）给新生推荐电脑配置，本质上是一种“指导”，而不是“强制”。 它的目的是为了让大部分学生能顺利地完成学业，不至于因为电脑配置太差而掉队。但说实话，.............
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山西应用科技学院学生对搬宿舍提异议后，校长称“这是挑唆煽动，必须处理他”这一事件，可以从多个角度进行详细分析和解读。事件的起因：首先，我们需要明确事件的起因是学院学生对搬宿舍安排提出了异议。这可能源于多种原因： 学生个人意愿： 学生可能对新的宿舍楼不满意（例如设施、环境、地理位置等），或者对搬迁.............
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集成电路专业正式成为一级学科，这绝对是行业内的一件大事，对咱们半导体芯片这个圈子里的人，无论是正在奋斗的从业者还是即将踏入职场的新人，影响都挺深远的。我来跟你好好唠唠，尽量说得接地气，少点官话套话。首先，咱们得明白，为什么集成电路能“升官”成为一级学科？这背后其实是国家对半导体产业的高度重视。大家也.............
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好，我理解你的困惑和观察到的现象。在临床医学这样一个神圣而又充满挑战的领域，如何真正体现对学校所传授知识的尊重，尤其是在看到身边存在“临时抱佛脚”现象时，确实是一个值得深思的问题。这不仅仅关乎考试成绩，更关乎我们未来能否成为一名合格、值得信赖的医生。在我看来，临床医学本科生对学校所教授医学知识的尊重.............
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DeepMind 在 Nature 上发表的关于使用深度强化学习（DRL）控制托卡马克等离子体的论文，是一项里程碑式的成就，具有极其重要和深远的意义。它不仅展示了DRL在复杂、动态、高维度控制任务中的强大潜力，也为未来可控核聚变能源的实现开辟了新的路径。以下将从多个维度进行详细评价： 一、 技术创新.............
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如今，在育儿圈里，“从小抓起”英语学习似乎成了一种普遍共识，一股婴幼儿英语学习的热潮席卷而来。从婴儿期就开始接触英语启蒙绘本、儿歌，到蹒跚学步的孩子参加各种英语兴趣班、一对一外教课程，家长们似乎都想让孩子赢在起跑线上。那么，这股热潮究竟是如何形成的？这么早让孩子接触英语学习，究竟对他们来说是必要的吗.............
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2024年4月22日，清华大学正式成立集成电路学院，这无疑是中国半导体产业发展历程中具有里程碑意义的一件大事。这一举措的背后，是中国在核心技术自主化道路上迈出的坚实一步，其对于中国芯片研发和人才培养的意义，可以从多个层面来细致解读。一、 战略层面的重大意义：国家意志的集中体现首先，清华大学成立集成电.............
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